公开(公告)号：CN106757323A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611103463.6

申请日：2016-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  陈丁丁 ,  李悦文 ,  陈琳 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60

Abstract: 一种制备无应力InN纳米线的方法，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气N H3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟。

公开(公告)号：CN106129204A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610627269.1

申请日：2016-08-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  张国刚 ,  刘斌 ,  任芳芳 ,  谢自力 ,  陈鹏 ,  郭旭 ,  葛海雄 ,  修向前 ,  赵红 ,  陈敦军 ,  陆海 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。

公开(公告)号：CN101724910B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN200910232185.8

申请日：2009-12-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  石宏彪 ,  修向前 ,  陈鹏 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，工艺简单、有效。所述消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法为：将GaN厚膜材料置于含氢气和氨气的混合气体气氛中，进行退火处理。其中，混合气体气氛中，氢气体积百分比为0.1％-99.9％，氨气体积百分比为0.1％-99.9％，退火处理在气压为1K～1MPa的混合气体气氛中进行。退火处理的温度为500～1500℃，时间为5秒到500分钟。GaN厚膜材料厚度为5～1000微米之间时，特别适用于本发明。本发明的有益效果有：一、可有效消除GaN厚膜材料表面的缺陷态和抛光损伤；二，可去除GaN厚膜材料表面氧化薄层；三，可使GaN厚膜材料内部可能存在的应力得到一定程度的释放。

公开(公告)号：CN101908511B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010237851.X

申请日：2010-07-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  石宏彪 ,  张荣 ,  郑有炓 ,  张之野 ,  朱廷刚

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/373 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/16 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法，整流器包括金属衬底、金属键合层和氮化镓肖特基整流器晶片，金属衬底作为支撑衬底，氮化镓肖特基整流器晶片包括氮化镓外延层、氮化镓肖特基电极和欧姆电极，氮化镓外延层通过金属键合层与金属衬底键合，氮化镓肖特基电极与欧姆电极相对金属衬底在外延层的另一侧呈横向分布，制备时把欧姆电极与肖特基接触电极先后制备在外延片的正面，之后再在另一面通过激光将蓝宝石衬底剥离，再与金属衬底键合。本发明可解决GaN肖特基整流器的金属化方案与蓝宝石衬底剥离的工艺兼容性问题，以高导热性金属衬底作为支撑载体及热沉，解决了器件的散热问题，可有效提高器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN101908511A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010237851.X

申请日：2010-07-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  石宏彪 ,  张荣 ,  郑有炓 ,  张之野 ,  朱廷刚

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/373 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/16 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法，整流器包括金属衬底、金属键合层和氮化镓肖特基整流器晶片，金属衬底作为支撑衬底，氮化镓肖特基整流器晶片包括氮化镓外延层、氮化镓肖特基电极和欧姆电极，氮化镓外延层通过金属键合层与金属衬底键合，氮化镓肖特基电极与欧姆电极相对金属衬底在外延层的另一侧呈横向分布，制备时把欧姆电极与肖特基接触电极先后制备在外延片的正面，之后再在另一面通过激光将蓝宝石衬底剥离，再与金属衬底键合。本发明可解决GaN肖特基整流器的金属化方案与蓝宝石衬底剥离的工艺兼容性问题，以高导热性金属衬底作为支撑载体及热沉，解决了器件的散热问题，可有效提高器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN101315881B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810124323.6

申请日：2008-06-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  严文生 ,  修向前 ,  韩平 ,  陈鹏 ,  陆海 ,  赵红 ,  刘斌 ,  李弋 ,  宋黎红 ,  崔颖超 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247 ,  C23C14/28

Abstract: LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜；控制生长腔的真空在10-3Torr以上；将衬底温度升至300-900度，然后向腔内通入高纯氧，氧压控制在5-90帕；调整激光器频率设置为5Hz，能量为300mJ，并预先将激光预溅射靶材3-5分钟，清洁衬底表面的污染；最后，将脉冲激光聚焦于靶材上，打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。

公开(公告)号：CN101281863B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810019103.7

申请日：2008-01-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  张荣 ,  谢自力 ,  陆海 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/38

Abstract: 大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法，在HVPE生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层。温度为500-800℃，然后升温至生长温度开始生长GaN，生长温度1000-1100℃。生长至合适的厚度后，停止生长；冷却后获得完整的自支撑GaN衬底，铝酸锂衬底自动分离。本发明利用了铝酸锂衬底和GaN之间的小的晶格失配来获得低位错密度的非极性面GaN薄膜；本发明方案充分利用两者之间大的热失配来使得二者相分离，无需按照一定降温速率降温，并且晶体质量明显改善，而且成品率高，采用本发明方案利于规模生产。

公开(公告)号：CN101475150A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810235278.1

申请日：2008-12-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  张荣 ,  陆海 ,  谢自力 ,  顾书林 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: C01B21/06

Abstract: 改进HVPE传输气流均匀性的装置，在立式HVPE生长系统中，生长室反应腔上方设有一个匀气环，匀气环设有连通的气路进口和气路出口构成，其中气路出口设有4－30个，在圆环上均匀分布，匀气环气路进口接有源气体输气终端。尤其是匀气环气路进口至每个气路出口的气体传输管路路径相同。

公开(公告)号：CN101355127A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810124467.1

申请日：2008-07-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  修向前 ,  陈鹏 ,  陆海 ,  刘斌 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。量子阱结构层(2)是5－10个周期且层厚分别为5－20nm/15－40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层。

公开(公告)号：CN119725049A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411817490.4

申请日：2024-12-11

Applicant: 南京大学 ,  合肥国家实验室

Inventor： 王科 ,  柳裕 ,  邵鹏飞 ,  刘达伟 ,  姚齐 ,  陆海 ,  张荣

IPC: H01J1/34

Abstract: 本发明公开了一种分层掺杂的GaN光电阴极，其结构最底层为衬底，其上依次生长有缓冲层、GaN光吸收层、GaN电子迁移层，在GaN电子迁移层上吸附有Cs/O激活层，所述GaN光吸收层为非故意掺杂或p型掺杂，所述GaN电子迁移层为p型掺杂，且掺杂浓度高于GaN光吸收层。通过协同控制p‑GaN掺杂浓度与厚度，本发明提出的分层掺杂GaN光电阴极结构，有效避免了传统结构GaN光电阴极材料高晶体质量和高浓度p型掺杂在外延生长中难以兼容问题，在光电子产生、迁移、发射三个方面均有改善，实现提高光阴极量子效率的效果。