公开(公告)号：CN102598308A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050384.8

申请日：2010-05-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了太阳能电池，其包括：具有受光面和非受光面的半导体基板；形成于半导体基板上的pn结；形成于受光面和/或非受光面上的钝化层；以及形成于受光面和非受光面上的电力提取电极。太阳能电池的特征在于，钝化层包括具有40nm或更少厚度的氧化铝膜。由于在基板表面上形成具有预定厚度的氧化铝膜，可以仅通过作为传统技术的烧成导电性糊获得优异的钝化性能以及在硅和电极之间的优异的电接触。此外，可省去过去为获得氧化铝膜的钝化效果所必需的退火步骤，由此显著地降低成本。

公开(公告)号：CN1498426A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN02806810.6

申请日：2002-03-19

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 生岛聪之 ,  大塚宽之 ,  高桥正俊 ,  渡部武纪

IPC: H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。

公开(公告)号：CN1489791A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02804239.5

申请日：2002-01-30

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 生岛聪之 ,  大冢宽之 ,  高桥正俊 ,  渡部武纪 ,  阿部孝夫

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022425 ,  F24S30/425 ,  F24S2030/16 ,  H01L31/02 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H02S20/23 ,  H02S20/24 ,  H02S20/30 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/47 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池组件60具有多个太阳能电池14，这些太阳能电池在其各个吸收光表面上具有多个平行的凹槽8，每个凹槽具有一在其横向一侧的内侧面(电极形成内侧面)上用于引出输出的电极5；并具有用于以整体化方式支撑太阳能电池14以使吸收光表面朝上的支架10、50。当考虑到各个所安装的太阳能电池14的吸收光表面水平面的倾斜角β和太阳能电池组件的安装位置的纬度δ时，通过调整凹槽8的电极形成内侧面的安装方向可以增加年功率输出。这成功地提供了即使在太阳光斜向照射组件时也能均衡来自组件中各个太阳能电池的输出电流的太阳能电池组件。

公开(公告)号：CN218951491U

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202222440438.4

申请日：2022-09-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  坂爪崇寛

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/46

Abstract: 本实用新型是一种成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜装置进行喷雾化学气相沉积法，所述成膜装置包括：基板加热部件，具有载置基板的基板载置部；喷嘴，喷出方向相对于所述基板的表面为垂直方向，且供给包含原料溶液的喷雾；以及所述喷嘴和/或所述基板加热部件的位置调整部件，能够将所述基板载置部的位置调整为所述喷嘴的所述喷出方向的位置与所述喷出方向以外的位置。由此，提供一种以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜、用于使所述结晶性氧化物膜成膜的成膜装置，所述结晶性氧化物膜的结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好。

公开(公告)号：CN221421215U

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202220709474.3

申请日：2022-03-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  坂爪崇寛

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本实用新型是一种层叠结构体，包括基底基板与以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜，所述结晶性氧化物膜的表面的均方根粗糙度为0.2μm以下，所述基底基板的直径为50mm以上，所述基底基板的TTV为30μm以下。由此，本实用新型提供一种包含表面平滑的结晶性氧化物膜的层叠结构体、半导体装置以及所述层叠结构体的制造系统，所述结晶性氧化物膜在适用于半导体装置的情况下，半导体特性优异。

公开(公告)号：CN217781272U

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202220709479.6

申请日：2022-03-30

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国立大学法人和歌山大学

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  坂爪崇寛 ,  宇野和行 ,  太田茉莉香

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本实用新型为一种成膜系统，其进行结晶性氧化物膜的成膜包括：原料溶液制造部，制造用于进行雾化的原料溶液且为包含含有金属元素的溶质与溶媒的原料溶液；雾化部，将所制造的所述原料溶液喷雾化或液滴化而生成雾；搬送部，通过载气来将所述雾搬送至成膜部；以及成膜部，从喷嘴向基板上供给所述雾，并在所述基板上进行热处理而进行成膜，并且所述原料溶液制造部包括搅拌部件，所述搅拌部件在将包含金属元素的溶质混合于溶媒中并加以搅拌时，将温度设为30℃以上来进行搅拌。由此，可提供一种成膜速度优异的、即便在将两种以上的元素的固溶体成膜时也能够进行膜中组成的再现性优异的成膜的成膜系统。

公开(公告)号：CN303854420S

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201630047509.1

申请日：2016-02-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Designer： 大塚宽之 ,  渡部武纪 ,  桥上洋 ,  三田怜 ,  森山隼 ,  森力

Abstract: 1、本外观设计产品的名称：太阳能电池。2、本外观设计产品的用途：本外观设计产品作为太阳能电池来使用。3、本外观设计产品的设计要点：在于如图所示的形状等。4、最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1A部放大参考图。5、指定基本设计：设计1。6、在设计1主视参考图、设计2主视参考图、设计3主视参考图以及设计4主视参考图中，2表示太阳能电池的受光面的相反侧的面，3表示指状电极，5表示绝缘膜，6表示总线电极，在设计1使用状态立体参考图、设计2使用状态立体参考图、设计3使用状态立体参考图以及设计4使用状态立体参考图中，4表示引线。7、设计1A部放大参考图中用阴影线表示的部分，即设计1的绝缘膜5采用透明材质，设计3A部放大参考图中用阴影线表示的部分，即设计3的绝缘膜5采用透明材质。