-
公开(公告)号：CN113922784A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111218430.7
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波谐振器及其制备方法，声波谐振器包括衬底、压电膜和多个叉指电极，其中，衬底具有空气腔，压电膜设置在衬底的上表面，多个叉指电极设置在压电膜的上表面，多个叉指电极包括第一叉指电极集合，第一叉指电极集合中每个第一叉指电极上开设有刻蚀通孔，刻蚀通孔贯穿第一叉指电极和压电膜，刻蚀通孔与空气腔连通。基于本申请实施例通过在第一叉指电极上开设刻蚀通孔，利用各向同性的刻蚀和释放工艺，可以控制多余的悬空区域的大小，在不影响器件性能的前提下，可以提高器件的功率容量，并且通过减小悬空区域可以提升器件机械稳定性，此外还可以抑制部分杂散波模式。
-
公开(公告)号：CN113676152A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110987487.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种弹性波谐振器及其制备方法。该弹性波谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构；该支撑衬底上设有孔；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。从而使得该弹性波谐振器不仅能够有效获得高阶兰姆波的模式，且有效抑制其他杂散模式的基础上，提高器件的功率容量。
-
公开(公告)号：CN113381724A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110750879.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法，所述体声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，所述压电层中形成有基于刻蚀孔定义的图案化有源区，所述刻蚀孔暴露出所述支撑衬底的上表面；一对顶电极，形成于所述压电层的上表面，且至少形成于所述图案化有源区的相对两侧。通过本发明提供的体声波谐振器及其制备方法，解决了现有体声波谐振器在激发主模的同时存在其他杂波的问题。
-
公开(公告)号：CN111799367B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010608583.1
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/312 , H01L41/332 , H01L41/22 , H01L41/08
Abstract: 本申请实施例所公开的一种基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件，通过在具有不同厚度介质层的压电衬底上注入种类、剂量和能量均相同的离子，使得在该衬底的不同深度处形成多个损伤层，可以在同一衬底的不同区域上得到间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜，可以提高衬底的利用率，节约衬底制造成本，并且，利用间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜增加应用器件的空气边界，可以提高声波在薄膜边界的反射系数，进而可以提高器件的品质因子。
-
公开(公告)号：CN113114158A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110512905.7
申请日：2021-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种兰姆波谐振器及弹性波装置，所述兰姆波谐振器包括：支撑衬底；压电薄膜，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电薄膜的上表面；高热导率薄膜，至少形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面，及/或，形成于所述支撑衬底和所述压电薄膜之间；空气腔，形成于所述支撑衬底中，并使叉指电极所在区域的压电薄膜和高热导率薄膜悬空于所述支撑衬底上方。通过本发明提供的兰姆波谐振器及弹性波装置，解决了现有器件功率容量低的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112688657A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011560361.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一压电材料层；于压电材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退火处理，以于压电材料层中预设深度处形成具有预设厚度的高缺陷密度损伤层；于压电材料层上表面形成至少一个暴露高缺陷密度损伤层的腐蚀窗口；基于腐蚀窗口去除至少部分高缺陷密度损伤层，以于压电材料层中形成空气隙；其中，空气隙将压电材料层分为压电衬底及压电薄膜，压电薄膜位于空气隙的上方，压电薄膜与压电衬底在空气隙的边缘处具有接触；于压电薄膜上表面形成图案化电极。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有声波谐振器无法满足5G通信需求的问题。
-
公开(公告)号：CN111081811B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201811229790.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供一种陷光结构的制备方法及半导体陷光结构，制备包括：提供一衬底，至少包括第一化学元素及第二化学元素，第一化学元素具有第一饱和蒸气压，第二化学元素具有第二饱和蒸气压，第一饱和蒸气压小于第二饱和蒸气压；对衬底进行离子束辐照，使得所述第一化学元素逃逸出离子束辐照面，并基于第二化学元素于离子束辐照面上形成陷光结构。本发明通过离子辐照的技术，在衬底表面快速制备大面积陷光结构，且制绒高度可调，能够大大简化陷光结构的制备流程，降低成本，可以极大增加衬底光接收面积，减小光反射率，应用在太阳能电池中，能够有效降低光反射，提高转化率，只需要一步，大大简化了传统“制绒”方式，降低了成本，提高了可操控性。
-
公开(公告)号：CN111865257A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010627339.X
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种声波谐振器及其制备方法，制备方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层；在单晶薄膜层上外延形成高声速层；在高声速层上形成压电层；在压电层上形成图案化电极；其中，高声速层中传播的体波声速大于压电层中传播的目标弹性波声速。本申请通过在压电层下设置高声速层，可以有效提高器件的工作频率和品质因子；且利用离子束剥离和键合技术可重复转移价格昂贵或无法直接在衬底上外延得到的单晶薄膜层，如此，可以降低制备成本；同时利用外延技术在单晶薄膜层上沉积高声速层，得到约束声波能量的最佳厚度的高声速层，如此，可以提高声波谐振器的带宽和品质因子。
-
公开(公告)号：CN111817678A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010631496.8
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种单片式混合集成声波谐振器阵列及其制备方法，声波谐振器阵列包括支撑衬底；位于支撑衬底上表面的压电层；压电层包括多个厚度不相同的区域；压电层与支撑衬底接触的一面平整或压电层远离支撑衬底的一面平整；位于压电层上表面的叉指电极阵列；叉指电极阵列中几何特征相同的多个叉指电极与多个厚度不相同的区域一一对应；叉指电极阵列中几何特征不同的多个叉指电极在压电层上的对应区域的厚度相同；且几何特征不同的多个叉指电极对应的多个目标声波模式不同。本申请中声波谐振器阵列的工作频率可以同时覆盖低频、中频和高频频段，如此，可以解决实际应用中需要将分立声波谐振器进行系统级集成导致的工艺、设计复杂等问题。
-
公开(公告)号：CN111799367A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010608583.1
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/312 , H01L41/332 , H01L41/22 , H01L41/08
Abstract: 本申请实施例所公开的一种基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件，通过在具有不同厚度介质层的压电衬底上注入种类、剂量和能量均相同的离子，使得在该衬底的不同深度处形成多个损伤层，可以在同一衬底的不同区域上得到间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜，可以提高衬底的利用率，节约衬底制造成本，并且，利用间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜增加应用器件的空气边界，可以提高声波在薄膜边界的反射系数，进而可以提高器件的品质因子。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
126
records
(took 0.094 seconds)
