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公开(公告)号：CN103295912A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310189470.2
申请日：2013-05-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/66439 , H01L29/7781
Abstract: 本发明公开了一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法，涉及半导体器件的制造方法技术领域。在衬底上形成石墨烯材料，在石墨烯材料上形成一层金属薄膜，利用平版印刷术形成所需要的光刻胶图形，去除未被光刻胶覆盖的地方的金属，去除未被光刻胶覆盖的地方的石墨烯，形成设计的石墨烯晶体管有源区。形成设计的源、栅和漏的金属电极，源和漏的金属电极与有源区的金属相连，并在源漏之间利用平版印刷术形成所需要的栅光刻胶图形，腐蚀掉暴漏出来的金属，在暴漏出来的石墨烯表面形成种子层，在种子层上形成栅介质，然后在栅介质上形成栅金属，最终形成石墨烯晶体管。所述方法减小栅源和栅漏之间的间距，从而提高石墨烯晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN119170652A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411135378.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/808 , H01L29/423 , H01L29/36 , H01L21/337
Abstract: 本发明提供了一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件及制造方法技术领域，凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管包括金刚石衬底、i‑p++‑i三层delta掺杂结构、源电极、漏电极、N型掺杂单晶金刚石外延薄膜和凹槽栅极，制备方法包括依次制备上述结构。本发明提供的一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法，i‑p++‑i三层delta掺杂结构具备高载流子浓度和高迁移率的掺杂沟道，能形成PN结来耗尽沟道载流子，能有效调控器件开关，而且在栅漏漂移区内，形成纵向PN结能够调制电场分布，有效提高器件击穿电压，能避免形成空间电荷区导致寄生电阻增大，通过凹槽栅极可以在实现上述结构的同时，调制电场提高器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN118957750A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411028016.3
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化铝/金刚石异质结材料及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括氢处理金刚石衬底表面，得到氢终端金刚石；在氢终端金刚石表面外延氮化铝薄膜。本发明采用微波等离子体化学气相沉积以及脉冲激光沉积法生长氮化铝薄膜的制备方式，实现了材料功能层不受器件工艺过程的损害，从而提升了材料电性能及器件性能稳定性，有利于制备高质量的金刚石器件。
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公开(公告)号：CN118109900A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311710823.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结外延材料制备方法，该方法包括：在氢气气氛下对单晶立方结构的金刚石衬底进行热处理，得到表面修复后的金刚石衬底，其中，金刚石衬底为001晶向。将表面修复后的金刚石衬底在氢等离子体中进行氢处理，在金刚石衬底表面形成C‑H键，得到氢处理后的金刚石衬底。在氢处理后的金刚石衬底表面生长立方结构的氮化铝，制备得到立方结构的金刚石氮化铝异质结外延材料。本发明采用001晶向的立方结构金刚石衬底进行外延生长，可制备得到立方结构氮化铝，形成金刚石氮化铝异质结。制备得到的立方金刚石/立方氮化铝的异质结晶格匹配度高、异质结界面外延缺陷少，提升了金刚石氮化铝异质结外延材料的导电性能。
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公开(公告)号：CN115491764B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202211213382.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法。该方法包括：在GaN衬底上表面生长外延层；在外延层的上表面生长外延金刚石；在外延金刚石上表面距离外延金刚石边缘的预设位置处进行激光切割，采用激光切割产生的热量将外延金刚石与外延层进行边缘分离，得到第一样品；将第一样品放入腐蚀溶液中进行腐蚀，将外延层腐蚀掉后，得到分离的外延金刚石与GaN衬底。本发明能够在不损伤GaN材料功能层的前提下，实现外延金刚石与GaN材料的彻底分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114047556B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111348894.X
申请日：2021-11-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石NV色心的磁力探测头及磁力探测系统。该磁力探测头包括：金刚石NV色心系综样品，其为毫米级块状结构、内部阵列设置多个用于冷媒流通的微流道，各微流道的一端与用于冷媒入口的冷媒管密封连接、另一端与用于冷媒出口的冷媒管密封连接；微波天线，设置在金刚石NV色心系综样品表面，用于与微波源连接；光纤，与金刚石NV色心系综样品的一端面连接、且避开冷媒管所在的端面。本发明能够通过在毫米级的金刚石NV色心系综样品内部设置用于冷媒流通的微流道，可通过在微流道内部通入冷媒，降低金刚石NV色心系综样品的整体温度，提高探测灵敏度。(56)对比文件盛百城等.碳化硅衬底外延石墨烯.半导体技术.2019,第44卷(第08期),第635-640页.宁伟光;张扬;李中豪;唐军.金刚石NV~-色心系综自旋相干动力学解耦.量子光学学报.2019,第25卷(第02期),第215-220页.林朝东;王芳;张少文;王生毅;高健.Ib型金刚石NV色心系综的制备及磁检测.微纳电子技术.2017,第55卷(第01期),第45-50页.王凯悦;郭睿昂;王宏兴.金刚石氮-空位缺陷发光的温度依赖性.物理学报.2020,第69卷(第12期),第328-335页.
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公开(公告)号：CN116716591A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310637288.2
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C23C16/27 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B29/04
Abstract: 本申请适用于金刚石技术领域，提供了尤其涉及钼托结构和金刚石制备方法。该钼托结构包括钼托本体，所述钼托本体呈圆柱体结构，在所述钼托本体的上表面上开设有多个圆环状凹槽，所述多个圆环状凹槽依次嵌套；由所述钼托本体的上表面的中部到边缘的方向上，相邻的两个圆环状凹槽之间的距离变大。本申请通过对钼托结构的凹槽形状进行设计，优化单晶金刚石衬底温度均匀性，最终有效抑制单晶衬底边缘的温度过高现象，从而获得高外延质量的单晶金刚石外延片。
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公开(公告)号：CN116683261A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310549280.0
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石色心微波激射器及其制备方法。本发明通过设置阵列式的金刚石色心柱、激光二极管、蓝宝石谐振腔、铜谐振腔和微波天线，构成阵列式的金刚石色心微波激射器。各阵列单元的金刚石色心柱可在外部磁场作用下实现能级偏转，在激光激化下产生粒子数反转，在微波天线接收的外部微波粒子作用下产生受激辐射，并经蓝宝石谐振腔、铜谐振腔谐振后实现雪崩式的微波粒子放大。各阵列单元的出射功率累加，增大了金刚石色心微波激射器的微波出射功率。
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公开(公告)号：CN116359807A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310315128.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032 , G01R33/00
Abstract: 本申请适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了一种金刚石NV色心磁力探测装置及系统，该装置包括：三个两两互相垂直的探测模块、光纤、微波模块和荧光传输模块，每个探测模块包括两个磁通量聚集器、金刚石样品、第一聚焦镜、第二聚焦镜、滤光片和光电探测器，金刚石样品为NV色心系综，两个磁通量聚集器分别与金刚石样品的上表面和下表面接触放置，第一聚焦镜和第二聚焦镜分别设于金刚石样品的两侧，金刚石样品与微波模块相连，光纤中的激光通过第一聚焦镜聚焦在金刚石样品上，金刚石样品在激光和微波模块提供的微波的作用下产生的荧光被第二聚焦镜收集后经过滤光片，并通过光电探测器导入荧光传输模块。本申请能够实现矢量磁场的实时探测。
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公开(公告)号：CN116106796A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310077203.X
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心磁强测量系统。该系统包括：金刚石NV色心系综薄片、磁通量聚集器、脉冲模块、微波模块、激光模块和第一光电探测器。脉冲模块分别向微波模块和激光模块发送脉冲信号，以控制微波模块发出微波和激光模块发出激光。微波模块发出的微波和激光模块发出的激光入射至金刚石NV色心系综薄片。金刚石NV色心系综薄片在微波和激光的激发下产生的荧光入射至第一光电探测器。本发明能够通过脉冲信号控制微波模块和激光模块的开关，减少微波模块和激光模块的开启时间，减少微波和激光对磁通量聚集器的作用时间，减少引起磁通量聚集器本身的低频涡旋噪声和热噪声，减少磁通量聚集器对磁信号的干扰，提升低频磁测量灵敏度。
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