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公开(公告)号：CN203300652U
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201320305245.6
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本实用新型公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本实用新型包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本实用新型给出的在半绝缘衬底背面制作多孔结构，可以大幅降低肖特基二极管的寄生电容，提高肖特基二极管的截止频率，同时也可以增加肖特基二极管的散热能力，提高肖特基二极管用于倍频时的转换效率。
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公开(公告)号：CN206743219U
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201720578822.7
申请日：2017-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，涉及太赫兹技术领域。所述发射机包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体和位于所述盒体内的发射机电路，所述Si基镀金盒体包括位于内侧的Si壳体和位于Si壳体外侧的金属镀层。所述发射机的盒体采用MEMS工艺实现的Si盒体，通过镀金实现和金属相同的功能，质量轻，大大降低了发射机的重量。且采用MEMS工艺，系统集成度更高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206743196U
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201720610856.X
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本实用新型公开了一种单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，且可以承受大功率输入，提高输出功率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206743194U
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201720609214.8
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本实用新型公开了一种双面鳍线四管芯太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、四个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反面的前侧鳍线与后侧鳍线；位于正面的两个所述肖特基二极管的一端与正面的前侧鳍线电连接，位于正面的两个所述肖特基二极管的另一端与正面的后侧鳍线电连接。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单且石英电路采用双面电路，在正反两面均放置反向串联的肖特基二极管，可提高倍频效率，通过正反两面各设置两个肖特基二极管，可承受较大的功率输出，提高输出功率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205657060U
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201620478202.1
申请日：2016-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型公开了一种梁式引线太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体上设有阳极和阴极，所述阳极和阴极的外侧面各设有一条向所述二极管本体外侧延伸的梁式引线，且所述梁式引线延伸至所述二极管本体的外侧部分的长度不同。所述二极管在阳极和阴极上伸出不同长度的金属条，在二极管应用于倒装焊接时，从背面看的时候，通过梁式引线长度的不同，区别二极管的阳极和阴极，降低了倒装焊的工艺难度，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204614773U
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201520349799.5
申请日：2015-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/49 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公开了一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域。所述二极管包括衬底，所述衬底上设有N+型GaN层和N-型GaN层，第一欧姆接触层和N-型GaN层保持间隔设置，右侧高掺杂的N+型GaN层的上表面设有第二欧姆接触层，所述N-型GaN层的上表面设有肖特基接触层，所述肖特基接触层与第二欧姆接触层之间通过空气桥进行连接，所述第一欧姆接触层上设有第一悬空梁式引线，所述空气桥上设有第二悬空梁式引线。所述二极管利用梁式引线结构，可以实现微小芯片的压焊机装配，减少了涂覆导电胶带来的麻烦，降低了器件装配难度，提高工作效率和器件的质量。
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公开(公告)号：CN204577433U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201520253437.6
申请日：2015-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型公开了一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管，涉及半导体器件技术领域；包括砷化镓基肖特基倍频二极管本体，砷化镓基肖特基倍频二极管本体的两端均设有多梁式引线，所述多梁式引线包括一端连接在一起的至少两条梁式子引线，所述梁式子引线的厚度为2μm-4μm。本实用新型能够为肖特基倍频二极管正常安装在电路上提供保障，提高了肖特基倍频二极管的安全性与可靠性，安装成品率高，能确保安装质量，大大降低了生产及科研成本，结构简单，使用方便，延长了二极管的使用寿命。
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公开(公告)号：CN204204868U
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201420714337.4
申请日：2014-11-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型公开了一种类混频GaAs太赫兹肖特基三倍频二极管，第一金属电极组件上的第一金属电极层通过金属空气桥与第一二极管组件上的第二肖特基接触金属层连接，第一二极管组件上的第二金属电极层与第二金属电极组件上的第一肖特基接触金属层通过金属空气桥连接，第二金属电极组件上的第一金属电极层通过金属空气桥与第二二极管组件上的第二肖特基接触金属层连接，第二二极管组件上的第二金属电极层通过金属空气桥与第一金属电极组件上的第一肖特基接触金属层连接。所述二极管是现有三倍频二极管类型的补充，用作三倍频时，可以有效抑制二次谐波，提升倍频效率。同时，所述二极管采用两管芯先串联再反向并联的形式，可以有效提升二极管的耐功率性能，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN203760500U
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201420150450.4
申请日：2014-03-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/108 , H01L31/0352
Abstract: 本实用新型公开了一种GaN基GSG型紫外探测器，涉及半导体器件技术领域。自下至上包括衬底、AlN缓冲层和GaN层，在GaN层上设有石墨烯层；石墨烯层包括第一、第二、第三、第四、第五和第六石墨烯层，第一与第二石墨烯层相连且呈T形分布，第二与第三石墨烯层相连，第三石墨烯层由平行且均匀分布的2-100个条形石墨烯构成，第四与第五石墨烯层相连且呈倒T型分布，第五与第六石墨烯层相连，第六石墨烯层由平行且均匀分布的2-100个条形石墨烯构成，第三与第六石墨烯层交错分布；第一和第四墨烯层上设有第一和第二欧姆接触引线电极。本实用新型与常规的MSM型紫外探测器相比，可以增加紫外光实际照射面积，增加探测器响应度。
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公开(公告)号：CN203351610U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320462832.6
申请日：2013-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/47
Abstract: 本实用新型公开了一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本实用新型包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层、在衬底层上生长的高掺杂的N+型GaN层，以及在N+型GaN层上采用调制掺杂生长的N-型GaN层；N-型GaN层的掺杂浓度从N+型GaN层的界面处开始非均匀分布；在N+型GaN层上生长欧姆接触电极；在N-型GaN层上生长有肖特基接触电极。本实用新型利用调制掺杂方式在N+型GaN层上生长N-型GaN层，提高了GaN材料的迁移率，改善了材料中电子浓度分布，减小了二极管的肖特基结电容，提高了其工作频率，进而提高了毫米波和太赫兹范围内倍频电路的工作频率和输出功率；通过控制调制掺杂可以有效控制肖特基二极管的变容比，提高器件的Q值。
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