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公开(公告)号：CN113342104A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110615192.7
申请日：2021-06-02
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种双节锂电保护芯片的带隙基准电路，包括启动电路单元、低压差线性稳压器单元、运算放大器电路单元、带隙电路单元；所述启动电路单元包括MP1、MP2、MP3三个PMOS管，MN1、MN2、MN3三个NMOS管，以及电容C1；所述MP1与MN1的栅极均连接到VSS，MP1与MN1、MN2的漏极均与MP2、MN3的栅极控制连接，MN2栅极接基准跟随信号VREF0。本发明电路上电时自启动，无需额外偏置电路提供电流，同时可选择不同的电阻R1的值，调节电路静态功耗，满足电路对低功耗的需求，电路中没有cascade结构，能保证电路在低的工作电压下(1.5V)输出正常。
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公开(公告)号：CN110426644B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910687560.1
申请日：2019-07-29
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： G01R31/385 , G01R1/28
摘要： 本发明提出了一种模拟锂电池测试锂电池充电芯片的方法，设置被测锂电池充电芯片以及第一、第二两个电压源和一个电流源构成的测试系统，第一电压源和电流源共同连接在被测锂电池充电芯片的输出端，用于模拟替代锂电池并模拟锂电池先恒流再恒压的充电特性，第二电压源连接在被测锂电池充电芯片的输入端，用于给被测锂电池充电芯片供电，提供充电电流。
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公开(公告)号：CN112532083A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011478499.9
申请日：2020-12-15
申请人： 南京微盟电子有限公司
摘要： 一种连续导通模式的开关电源恒流输出控制系统，在非隔离高压降压交直流转换拓扑的基础上，设置同相放大电路、中位电压比较电路、误差放大电路、消磁时间控制电路、比较器COMP、RS触发器和驱动电路，同相放大电路输入峰值电流检测信号，输出VCSX进入中位电压比较电路与基准VREF2比较，输出进入误差放大电路与基准VREF3进行差值放大，输出进入消磁时间控制电路，消磁时间控制电路输出连接RS触发器的S端，COMP的正端连接VREF1，COMP的负端连接VCSX，COMP输出连接RS触发器R端，RS触发器的Q端输出PFM连接驱动电路，驱动电路输出连接功率管M1的栅极和中位电压比较电路的另一个输入端。
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公开(公告)号：CN111693901A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010737795.X
申请日：2020-07-28
申请人： 南京微盟电子有限公司
摘要： 一种多节锂电池保护芯片的断线检测系统，包括逻辑时序电路、电平移位电路和断线检测电路，逻辑时序电路产生初始断线检测时序信号给电平移位电路，经电平移位电路得到最终的断线检测时序信号传递给断线检测电路，断线检测电路设有与电池节数相同数量的断线检测单元，各断线检测单元的输出信号分别输入至断线检测信号输出单元，该输出单元输出信号连接保护芯片IC的充、放电控制端子，正常状态没有发生断线时，充放电控制端子输出高电平，充放电NMOS管开启，进行正常的充电和放电，任一节电池发生断线现象时，断线检测信号输出单元的输出信号控制充、放电控制端子输出低电平，充放电NMOS管关闭，实现断线状态下系统的充电及放电保护。
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公开(公告)号：CN111552345A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010493817.2
申请日：2020-06-03
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 一种补偿带隙基准电压分流的稳压电路，包括横向PNP三极管PNP1、PNP2、PNP3、PNP4、PNP5、PNP6、PNP7、PNP8、PNP9，纵向三极管NPN1、NPN2、NPN3、NPN4、NPN5、NPN6，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9，电容C1，偏置电流源I1；利用PNP8集电极电流与NPN5的集电极电流之差等于NPN3基极电流与NPN4的基极电流之和，基准电压VREF从R8、R9的分流等于0，输出电压VOUT将完全由基准电压VREF通过R8、R9倍压得到，输出电压在-40-150℃全温度范围不受基准基极电流分流影响。
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公开(公告)号：CN107733404B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201711000830.4
申请日：2017-10-24
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/687
摘要： 一种用于NMOS负载开关的限流检测和保护电路，负载开关包括NMOS管M0、电荷泵CP、箝位电路Clamp1和电阻R1；限流检测和保护电路包括NMOS管M1、M2、M3、M4，电流基准Iref，电阻R2，比较器CMP和箝位电路Clamp2。通过M1和M2的分压来检测负载开关的输出电压VOUT，M1和M2的阻值随温度、电源电压、工艺的变化的情况一致，可实现稳定的比例关系，使得电源电压VIN与检测端的压差值与VIN和VOUT之间的压差值成固定的比例关系。同时，通过M3与Iref产生限流阈值基准电压，使限流门限阈值电压与M0的阻值随温度、电源电压、工艺的变化的情况一致，从而实现稳定的限流保护电流阈值。
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公开(公告)号：CN111522381A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010303653.2
申请日：2020-04-15
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明提出了温度系数可调电流基准电路及方法，该电路中JFET管NJ1的源极连接三极管e的集电极和基极以及三极管f的基极；三极管f的发射极连接三极管g的发射极以及电阻R2的一端，电阻R2的另一端接GND；三极管c的集电极和三极管d的基极连接于电阻R3的一端，三极管c的基极、三极管f的集电极、三极管g的集电极连接于电阻R3的另一端；三极管d的集电极连接于三极管h的集电极、基极以及三极管g的基极；三极管h的发射极连接于三极管i的基极以及电阻R4的一端，三极管i的集电极以及三极管j的基极连接于电阻R4的另一端。该发明通过调节电阻R2、R3、R4的阻值来改变电流基准的电流值和温度系数，方便不同应用场景。
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公开(公告)号：CN108776502B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810672401.X
申请日：2018-06-26
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种LDO线性稳压器的防倒灌保护电路，在现有LDO基础上，设置防倒灌电路和防倒灌NMOS管，防倒灌电路连接在输入端VIN、输出端VOUT和功率PMOS管的衬底之间，防倒灌NMOS管的漏、源极连接在反馈分压电阻与接地端之间，防倒灌电路比较VIN电位与VOUT电位，使功率PMOS管的衬底切换选择连接VIN与VOUT之间的最高电位，打破功率PMOS管MP的衬底Bo与漏极之间固定寄生的二极管效应，防倒灌电路输出逻辑信号连接防倒灌NMOS管的栅极，使输出VOUT与输入VIN之间就不会存在因为功率PMOS管的寄生正偏置二极管效应产生的倒灌电流现象，有效防止损耗及功率PMOS管的损坏。
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公开(公告)号：CN111142006A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911364550.0
申请日：2019-12-26
申请人： 上海岭芯微电子有限公司
发明人： 张灵灵
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供了一种芯片的Trim测试方法，包括以下步骤：获得多个修调元件中每一修调元件的修调量；计算所述多个修调元件的各种组合下的各个组合修调量；获得所述芯片的预定节点的检测值和目标值；根据所述各个组合修调量与所述检测值计算各个修调结果；计算所述各个修调结果与所述目标值之差的绝对值；选择与所述目标值之差的绝对值最小的修调结果；以及根据所选择的修调结果确定所述多个修调元件的组合。
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公开(公告)号：CN111026219A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911344297.2
申请日：2019-12-24
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种共源共栅结构的基准源，在设有PMOS场效应管P1、P2、P3、P6，NMOS场效应管N1、N2，三极管PNP1、PNP2、PNP3以及电阻R1、R2的基础上，增设场效应管P4、P5和P7以及场效应管N3，P4与P2、P5与P3、P7与P6以及N3与N2均构成共源共栅结构，且在共源共栅结构中引入耗尽管或者低阈值金属场效应MOS管，在明显改善电源抑制比PSRR指标的同时还可以降低最低工作电压。
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