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公开(公告)号：CN113135654A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110395939.2
申请日：2015-07-20
Applicant: AGC株式会社
IPC: C03C3/091
Abstract: 本发明提供热膨胀系数小、应变点高并且粘性低、特别是玻璃粘度达到102dPa·s时的温度T2低的无碱玻璃。一种无碱玻璃，其应变点为695℃以上，50～350℃下的平均热膨胀系数为43×10‑7/℃以下，玻璃粘度达到102dPa·s时的温度T2为1690℃以下，以基于氧化物的摩尔％计，含有63～70的SiO2、8～16的Al2O3、1.5～低于4的B2O3、0～8的MgO、0～20的CaO、1.5～10的SrO、0～0.5的BaO，MgO+CaO为0～28，MgO+CaO+SrO+BaO为12～30，SrO/CaO为0.33～0.85，(23.5×[SiO2]+3.5×[Al2O3]‑5×[B2O3])/(2.1×[MgO]+4.2×[CaO]+10×[SrO]+12×[BaO])为17以上。
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公开(公告)号：CN110944953A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880049010.0
申请日：2018-07-18
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 根据本发明的一个方式，提供不易破损或者破损时不易粉碎地飞散的半导体封装用支承玻璃。根据本发明的一个方式，提供比模量为30MNm/kg以上、50℃～350℃的平均热膨胀系数α为55～80×10－7/℃的半导体封装用支承玻璃。以及/或者提供说明书中规定的X值为30000以上的支承玻璃。
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公开(公告)号：CN109970318A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910183470.9
申请日：2014-08-21
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃的制造方法，将玻璃原料投入熔化窑中，加热至1350～1750℃的温度制成熔融玻璃，然后通过浮法将该熔融玻璃成形为板状，其中，在所述熔化窑中的加热中，组合使用利用燃烧器的燃烧焰进行的加热和利用以浸渍在所述熔化窑内的熔融玻璃中的方式配置的加热电极进行的该熔融玻璃的通电加热，将所述熔融玻璃的作为澄清温度的T3.3(玻璃粘度为103.3dPa·s时的温度、单位：℃)下的电阻率设为Rg(Ωcm)，将T3.3下的构成熔化窑的耐火材料的电阻率设为Rb(Ωcm)时，以Rb＞Rg的方式选择所述玻璃原料及所述耐火材料。
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公开(公告)号：CN105492395B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201480047420.3
申请日：2014-08-21
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃的制造方法，将玻璃原料投入熔化窑中，加热至1350～1750℃的温度制成熔融玻璃，然后通过浮法将该熔融玻璃成形为板状，其中，在所述熔化窑中的加热中，组合使用利用燃烧器的燃烧焰进行的加热和利用以浸渍在所述熔化窑内的熔融玻璃中的方式配置的加热电极进行的该熔融玻璃的通电加热，将所述熔融玻璃的作为澄清温度的T3.3(玻璃粘度为103.3dPa·s时的温度、单位：℃)下的电阻率设为Rg(Ωcm)，将T3.3下的构成熔化窑的耐火材料的电阻率设为Rb(Ωcm)时，以Rb＞Rg的方式选择所述玻璃原料及所述耐火材料。
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公开(公告)号：CN109153596A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031202.4
申请日：2017-05-22
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 本发明提供一种磨削率高且在将硅基板与玻璃基板贴合的热处理工序中在所述硅基板产生的残留应变小的无碱玻璃基板。本发明的无碱玻璃基板以氧化物基准的摩尔百分比计含有11.0％以上的Al2O3、8.0％以上的B2O3、1％以上的SrO，且在100℃～200℃下的平均热膨胀系数α100/200为3.10ppm/℃～3.70ppm/℃，杨氏模量为76.0GPa以下，密度为2.42g/cm3以上。
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