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公开(公告)号：CN104360333A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410654337.4
申请日：2014-11-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/41
CPC classification number: G01S7/411
Abstract: 本发明属于雷达微弱信号检测技术领域，特别涉及一种同时校正一阶和二阶距离徙动的相参积累检测方法。其具体步骤为：在快时间域对回波信号进行傅里叶变换，得到只考虑一阶距离走动和二阶距离弯曲时快时间频域回波信号表达式；通过二阶keystone变换，对只考虑一阶距离走动和二阶距离弯曲时快时间频域回波信号表达式进行二阶距离弯曲校正，得到二阶距离弯曲校正后的二维时间域的回波信号；通过Hough变换，对二阶距离弯曲校正后的二维时间域的回波信号进行一阶距离走动校正，得出两次距离校正后的时间域的回波信号；对两次距离校正后的时间域的回波信号进行脉冲压缩、相参积累检测。
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公开(公告)号：CN104184555A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410445738.9
申请日：2014-09-03
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于3D MIMO系统的基于双码本的预编码方法，其特征在于，在充分考虑实际信道空间特性的前提下，分别在垂直方向和水平方向上进行了两次预编码设计，由于垂直方向上信道相关性较大，因此垂直方向上采用了DFT码本，由于水平方向上格拉斯曼码本性能更好，因此水平方向上采用了格拉斯曼预编码方案，即DFT码本和格拉斯曼码本联合形成了本发明的预编码方法。本发明的有益之处在于：本发明的DFT码本和格拉斯曼码本联合所形成的双码本预编码方法与传统的预编码方案相比，极大地提高了用户的信号性能，有效降低了系统的误比特率。
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公开(公告)号：CN104063426A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410250446.X
申请日：2014-06-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G01S7/4004
Abstract: 本发明公开了一种面向辐射和散射的有源相控阵天线结构公差的快速确定方法，包括：1)确定天线结构参数和电磁工作参数，给出初始结构公差；2)计算天线辐射因子和散射因子；3)将结构公差分配为天线单元在阵面内的安装位置误差和安装高度误差；4)计算阵面内相邻两天线单元在观察点处的辐射场空间相位差和散射场空间相位差，得到辐射场和散射场口面相位误差；5)计算远区辐射场和散射场方向图函数绘制辐射场和散射场方向图；6)计算相对于指标辐射场性能和散射场性能的变化量；7)判断是否满足设计要求。本发明能够快速给出合理的结构公差精度，降低加工和安装难度，减少研制成本，缩短研制周期。
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公开(公告)号：CN104036093A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410298622.7
申请日：2014-06-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于阵元互耦的大型变形阵列天线副瓣性能预测方法，包括：根据阵列天线的结构参数和材料属性，确定阵列天线结构有限元模型；利用有限元软件进行结构有限元分析，得到阵列天线变形后阵面内阵元的位置偏移量，确定阵元的新坐标；根据阵元的新坐标，将阵列天线交叉划分成子阵，用子阵的互耦参数矩阵构建变形阵列天线整体的互耦参数矩阵；根据阵元的位置偏移量和阵元间的互耦参数，利用阵列天线机电耦合模型，计算天线远区电场分布；根据阵列天线远区的电场值，建立功率方向图极值与阵元幅度相位的关系式，计算天线的副瓣电平，从而实现阵列天线副瓣性能的快速预测。本发明可用于指导天线的结构设计以及天线副瓣性能的分析与评价。
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公开(公告)号：CN103364771A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310296166.8
申请日：2013-07-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/41
Abstract: 本发明基于空域压缩投影和随机时钟采样的雷达波束形成器，主要解决现有技术成本高，采样要求高，数据存储量大的问题。其包括：空域压缩投影模块(1)、随机时钟采样模块(2)和波束形成模块(3)；空域压缩投影模块(1)对雷达回波信号Z进行空域压缩投影，得到空域压缩投影结果D；随机时钟采样模块(2)对空域压缩投影结果D进行降速率采样，并将每个通道的采样数据和选择的时钟通路传输给波束形成模块(3)；波束形成模块(3)根据每个通道的采样数据和选择的时钟通路，通过矩阵填充算法和稀疏重构算法，得到角度域的稀疏向量sq，再将其累加得到波束形成向量y。本发明降低了成本，降低了采样要求，缩小了数据存储空间，可用于雷达波束形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102243276B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201110075475.3
申请日：2011-03-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种大型地基面天线分析方法，特别是大型地基面天线的温度载荷机电耦合分析方法，其特征是：它包括如下步骤：1）确定天线所处的时间、地理位置和姿态；2）计算天线受到来自太阳的热流密度；3）将热流密度作为载荷，对天线进行热分析，得到其温度分布；4）将温度分布作为温度载荷加入天线的有限元模型，进行结构分析，得到天线变形；5）提取天线主面变形，计算天线远场方向图；6）给出增益损失，指向误差，副瓣电平。它提供了一种大型地基面天线的温度载荷机电耦合分析方法,以便分析天线在仰天时，受环境、太阳辐射和温度变形对电性能的影响。
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公开(公告)号：CN102013576B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010289864.1
申请日：2010-09-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种修正型卡塞格伦式天线的副面调整方法，主要解决现有的方法只是沿轴向方向或径向方向进行近似调整的问题，其步骤是：对修正卡式天线主面母线离散点进行分段抛物线拟合，得到一组分段标准抛物线；将拟合抛物线绕公共轴线旋转一周得到一组抛物环面；以主面节点相对于抛物环面z向偏差的均方根值最小为目标，同时保证各抛物环面满足共焦轴且焦线长度不大于初始焦线长度，建立优化数学模型计算分段吻合参数；根据吻合参数中的焦距变化量和顶点坐标计算焦线两端点的调整量，指导天线副面的调整。本发明具有在多工况下准确定位副面和提高天线电性能的优点，可用于修正卡式天线的副面调整以提高天线的电性能。
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公开(公告)号：CN103116677A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310057042.4
申请日：2013-02-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种面向有源相控阵天线的微通道冷板设计方法，该方法包括：1）确定有源相控阵天线的几何模型；2）确定有源相控阵天线微通道冷板的外形尺寸；3）计算有源相控阵天线阵面的温度分布；4）判断是否满足设计要求。本方法提供了一种利用微通道冷板对天线散热方案，以保证天线能够有效工作并保持高性能。通过考虑高宽比α、宽度W、流体入口速度v和流体入口温度T，利用建模得到不同参数下的温度分布，最终确定参数，与只能凭借经验设计的传统方法相比，本发明可给出最佳设计方案，保证一次满足要求，缩短了设计周期。通过计算阵面温度分布，可判断设计是否满足温度要求，根据温度分布修改参数和流道布局以达到要求，具有工程意义。
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公开(公告)号：CN102163284B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110088320.3
申请日：2011-04-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向中文环境的复杂场景文本定位方法，主要解决现有技术在复杂背景下场景文本定位虚警率较高的问题。该方法结合基于边缘的文本定位方法和基于纹理的文本定位方法的优点，将边缘和纹理特征进行分阶段组合。首先利用边缘特征进行文本区域的检测，即对下采样后彩色图像进行边缘提取、二值化处理，采用形态学运算将字符边缘连接成块，对每个连通域进行特征提取，通过级联阈值分类器排除大量的非字符连通域，得到备选的字符连通域；然后提取备选字符连通域的纹理特征，通过BP网络分类器进一步确认是否为字符连通域。本发明具有在复杂光照和背景情况下文本定位准确率高、速度快的优点，可用于复杂场景中的文本自动提取与识别。
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公开(公告)号：CN102788920A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210266151.2
申请日：2012-07-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了基于机电耦合模型的偏置反射面天线电性能预测方法，该方法包括：1）在I-DEAS中建立天线有限元模型；2）在I-DEAS中分析得到偏置反射面天线的有限元模型各节点的温度分布；3）将有限元模型文件读入Ansys文件中，计算温度引起的结构变形；4）计算偏置反射面天线的反射面误差和馈源误差对天线口径场幅度相位的影响项；5）计算偏置反射面天线的电性能；6）判断是否满足设计要求。该方法可以准确分析温度对偏置反射面天线结构的影响，实现偏置反射面天线的结构和电磁两场耦合分析；分析各种结构误差对天线工作性能的影响，可以找出其中主要结构因素，根据实际需要给出合理的结构精度要求，缩短研制周期，降低研制成本。
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