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公开(公告)号：CN103755382B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410016180.2
申请日：2014-01-14
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 一种制备高温超导涂层导体RESbO3缓冲层及其制备方法，属于高温超导材料制备技术领域。所述高温超导涂层导体缓冲层，是由RE2O3和Sb2O3外延成相热处理生成的RESbO3氧化物固溶体，RE为Y（钇）、Sm（钐）、Dy（镝）或Ho（钬）中的一种。它能在900℃以上氢氩还原气体的环境中外延生成，并且结构致密，表面平整，能在随后的涂层导体超导层的制备过程中保持结构的稳定。所述高温超导涂层导体缓冲层的制备方法采用以乙酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在氢氩还原气氛中进行制备，具备操作简单，成本低廉，适合大规模沉积等优点。主要用于制备高温超导涂层导体的RESbO3缓冲层。
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公开(公告)号：CN102851655B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210318922.8
申请日：2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明提供一种化学溶液沉积制备Gd2Zr2O7缓冲层的方法，其具体作法是：a、Gd2Zr2O7前驱溶液的制备：将适量的Gd(NO3)3.6H2O和ZrO(NO3)3.2H2O按照离子浓度Gd+3：Zr+4为1：1溶于羟乙基甲基醚中，加入氧化聚乙烯20000调节溶液的黏度，获得前驱溶液；b、湿膜的制备:将前驱溶液均匀涂覆在织构基带上，获得湿膜；c、干膜的制备:将湿膜进入干燥设备，去除薄膜中水份；d、分解成相:然后放入通有H2/Ar还原气氛的热处理炉内，先以1℃/min-5℃/min速率升温至350℃－600℃，让有机物和硝酸盐充分分解，后直接升温至成相高温区1100℃－1200℃，保温0.5－2小时，获得Gd2Zr2O7薄膜。该采用化学方法硝酸盐体系制作Gd2Zr2O7缓冲层成本低廉、工艺简单、操作容易控制、不污染环境，有利于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN104129985A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410322592.9
申请日：2014-07-08
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种表面具有纳米颗粒析出相的高温超导涂层导体Eu0.6Sr0.4BiO3缓冲层及其制备方法。采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备。目标物高温超导涂层导体缓冲层材料其名义组分为Eu0.6Sr0.4BiO3，其表面具有均匀弥撒分布的纳米析出相SrO2,析出相尺寸在100nm左右。本发明通过过饱和掺杂在缓冲层表面直接获得析出相颗粒，纳米析出相SrO2赋予了为其上超导层提供钉扎中心的可能。方法具有成本低廉，适合大规模沉积等优点，为其上超导层提供钉扎中心的性能得到验证。
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公开(公告)号：CN103526172A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310499546.1
申请日：2013-10-22
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 片状纳米形貌和带状纳米形貌的可控六方相In2Se3的制备方法，其中片状纳米形貌的In2Se3的制备方法是：A、将基片超声清洗，然后用热氮气干燥后放入磁控溅射设备的溅射室，B、在氩气气氛下用In2Se3靶材进行70-80秒的磁控溅射，溅射功率为4-8W/cm2，衬底温度为350-370℃。带状纳米形貌的In2Se3的制备方法则是：A、B两步操作后，再将衬底温度升高至基片的软化温度，纵向加机械压力，使基片发生曲率半径为3～50m的弯曲，并持续8-12min；然后再次沉积200-250秒。该方法能制备出具有完整纳米片状形貌和带状形貌的In2Se3，且其制备效率高，成本低，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102543311B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201210042888.6
申请日：2012-02-23
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种Nb3Al/Nb多芯复合超导线材的制备方法，其步骤是：按Nb3Al的化学计量比称取Nb箔和Al箔；将Nb箔、Al箔重叠并缠绕在Nb棒上，再将其装入Nb管中，然后拉拔成0.8-1mm的细线，得单芯线材；将单芯线材截成等长的多段后，整齐的装入Nb管中，并在Nb管的中轴线上放置一根与等长的Nb棒；然后将Nb管拉拔、轧制成直径1-2.5mm的圆形或扁形的线材，即得多芯线材；将制得的多芯线材截成10cm的短线材，利用脉冲电源在真空条件下对短线材进行0.05-0.2秒的1900-2100℃的高温处理，即得。该法制备周期短、效率高；制得线材整体连接紧密、均匀性好、无分离现象；不存杂质相，超导性能优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157675B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110009810.X
申请日：2011-01-17
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法，属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性，能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明包括以下步骤：将乙酸钡和乙酰丙酮锆溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得钡锆氧(BaZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高，制作工艺简单，操作控制容易，不污染环境。
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公开(公告)号：CN102864444A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210318924.7
申请日：2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供一种提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法，依次由以下步骤构成：a、硝酸盐的制备：按稀土与铈的离子比x：1－x，0.01≤x≤0.5配制稀土硝酸盐与硝酸亚铈混合物；b、胶体制备：将配制的稀土硝酸盐与硝酸亚铈溶解在高分子有机溶剂中；c、胶体涂敷与干燥：将b步的胶体涂覆在织构基底上，后干燥；d、分解成相：将干燥样品放入通H2/Ar还原气氛的烧结炉中,经过350oC－550oC分解，后升温至1000oC－1200oC成相，随炉冷却。本发明所述的提高化学溶液法制备CeO2薄膜临界厚度的方法其制作工艺简单、操作控制容易、成本低、不污染环境、制备的稀土掺杂的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。
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公开(公告)号：CN102854478A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210319057.9
申请日：2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供一种单块高温超导块材磁悬浮特性测试装置，其特征在于：包括有由顶板、底座以及固定杆构成一个固定支架，固定支架为竖直放置或平躺放置，便于对单块高温超导块材悬浮和导向力的测试，在顶板中间有一通孔，移动杆穿过该孔，通过伺服电机驱动移动杆上下移动，移动的位移由位移传感器测得，液氮低温容器固定连接在底座上，在液氮低温容器的下部连接用于测试悬浮系统的悬浮、导向力的力传感器，永磁体与位移传感器设置在一起。本发明与现有技术相比，可以在同一台装置上实现对系统静态悬浮和导向力，以及在外部磁扰动下的动态悬浮和导向力进行测试，该装置结构测试内容多样、结构相对简单，体积小，操作方便，避免了现有某些技术中的测试内容单一、结构复杂、操作繁琐以及成本高的缺陷。
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公开(公告)号：CN102683572A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110343728.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法，其复合缓冲层制备步骤包含。a、NiW合金(200)基片的表面腐蚀修饰，b、NiO缓冲层的氧化热处理、c、SmBiO3缓冲层胶体的制备，d、SmBiO3缓冲层的涂敷，e、SmBiO3缓冲层的烧结成相。本发明中NiO缓冲层的制备采用自氧化外延制备的方法，该方法的制作成本低，工艺简单，易制得品质良好的NiO(200)缓冲层薄膜，并且厚度容易控制，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。在NiO缓冲层上生长SmBiO3缓冲层的制备采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积。以SmBiO3缓冲层为主的复合缓冲层的工艺制备将打破国外其他涂层导体复合缓冲层工艺制备的保护与封锁，将为我国的第二代高温超导涂层导体的研究与应用化进程起到积极的推动作用。
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公开(公告)号：CN102677030A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110341356.8
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO2缓冲层薄膜的方法，包括以下步骤：将六水合硝酸亚铈(Ce(NO3)3·6H2O)溶解在N-甲基吡咯烷酮(NMP)中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯基吡咯烷酮(PVP-K30)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在双轴织构NiW合金基片上，随后放入烧结炉中烧结成相，即得二氧化铈(CeO2)高温超导涂层导体缓冲层。该方法的制作成本低，易制得品质良好的二氧化铈(CeO2)薄膜，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。
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