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公开(公告)号：CN103938047B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410072086.9
申请日：2014-02-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 二维原子层级别超薄材料在纳米电子学、光电子学和光子学应用的关键是其带隙的调节。本发明首次用一种简单的方法合成了组分渐变的三角形MoS2xSe2(1-x)薄片，大小为几十微米，厚度为几个原子层。在激光激发下，样品的拉曼光谱及光致发光光谱很好地证实了其组分的可调性。所有的样品都展示出了很好的单一带边发射性能：光致发光位置从668纳米（MoS2）调节至795纳米（MoSe2），表明所合成全组分合金质量很高。这种带隙设计的二维结构在基本物理研究和纳米级功能性光电子器件的潜在性应用上将会令人关注。
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公开(公告)号：CN103913482B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410119104.4
申请日：2014-03-27
Applicant: 湖南大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明涉及一种基于CVD法合成的单根半导体纳米线热导率的测量方法；属于材料导热性能测量技术领域。本发明取一根采用CVD法于T1温度下沉积得到的纳米线，将所取纳米线一端固定在碳导电胶上，另一端悬空，悬空部分长度为8-12微米；然后，用垂直于纳米线轴线的聚焦激光束加热悬空端的端部，然后增加聚焦激光束的净输出功率，至悬空端的端部熔融时，停止加热，同时，记录此时聚焦激光束的净输出功率p∞，然后通过扫描电镜精确测得悬空部分L的长度和直径D；再将所的数据换算成纳米线吸收的激光功率（Pabs），再根据一维方向上的傅里叶热传导方程：计算得出单根纳米线热导率K。本发明无需搭建电极，具有操作简单，成本较低等优势。
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公开(公告)号：CN103737010B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410039958.1
申请日：2014-01-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明采用一种经过改良的化学气相沉积（CVD）法，结合离子交换机制和气液固（VLS）生长机制制备出组份连续可调的InAsxP1-x合金纳米线。其化学式为InAsxP1-x,其中0≤x≤1。这些合成的纳米线都有好的结晶质量。且低温（77K）下的光致发光表明这些InAsxP1-x纳米线呈现出与组分相关的带边发射，峰值波长从860nm到2900nm连续可调。该方法简单，成本较低，可操作性强。运用该方法合成的InAsxP1-x合金纳米线在红外光探测，生物传感以及可调谐光电器件等领域都有潜在的运用价值。
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公开(公告)号：CN104901156A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201410080676.6
申请日：2014-03-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种亚波长近红外通信光放大器；特别涉及一种以(Yb/Er)2Si2O7单晶纳米线为增益介质的、亚波长近红外通信光放大器。本发明以一维微钠尺寸的稀土硅酸盐单晶纳米线作为增益介质，成功的制备出了微钠尺寸的、亚波长近红外通信光放大器；有效的解决了现有技术无法进行微纳米尺度范围内的光集成的难题。本发明所述稀土硅酸盐纳米线是化学式为(Yb/Er)2Si2O7、直径为500-800纳米、长度为10-80微米的稀土硅酸盐纳米线。该纳米材料的具体合成方法是以Au作为催化剂，Si粉或SiO2、无水YbCl3颗粒和无水ErCl3颗粒作为原料，采用化学气相沉积法制得。本发明所制备的稀土硅酸盐纳米线对于实现全光通讯以及光集成器件有极其重要的意义。
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公开(公告)号：CN104726736A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510098122.3
申请日：2015-03-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种从中心到边缘组分连续可调层状MoS2(1-x)Se2x合金纳米片材料及其制备方法和装置，属于层状合金材料制备技术领域。本发明首次用一种简单的移动反应源的方法横向合成了组分渐变的单三角形合金MoS2(1-x)Se2x纳米片。在激光激发下，沿三角形纳米片平面，从中心到边缘，样品的拉曼光谱及光致发光光谱很好地证实了其组分的可调性。本发明所致制备的合金纳米片，其相应的光致发光位置从680纳米(MoS2)调节至755纳米。本发明合金纳米片结构设计合理、制备工艺简单、所用设备简单实用，便于大规模应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104695021A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510097755.2
申请日：2015-03-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种层状螺旋WS2二维纳米材料及其制备方法，属于层状二维纳米材料制备技术领域。本发明所述层状螺旋WS2二维纳米材料是通过螺旋位错的生长将相邻的WS2层连接在一起；所述WS2层呈三角形。本发明首次用一种简单的方法合成了组分均一层状螺旋WS2二维纳米材料。所得产品结晶质量高，便于应用于纳米级功能性光电子器件。
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公开(公告)号：CN119207246B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411732891.X
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京数字光芯集成电路设计有限公司 , 湖南大学
Abstract: 本发明涉及微显示技术领域，公开了一种微显示芯片中帧缓存电路的坏点规避方法，对帧缓存电路的每一个地址进行写入及读取操作，以确定帧缓存电路中的无法正确实施写入读取操作的坏点地址；确定所述坏点地址所对应的LED阵列的像素点的行列位置；针对每一个坏点地址进行像素数据补偿运算；基于每一个坏点地址所进行的像素数据补偿运算的结果驱动每一个坏点地址所对应的LED阵列像素点。本发明使在所述帧缓存电路即使出现大量电路缺陷的情况下，依然可以正确的进行画面显示，避免了由于帧缓存电路的异常造成的显示错误。
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公开(公告)号：CN119229827B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411732890.5
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京数字光芯集成电路设计有限公司 , 湖南大学
Abstract: 本发明涉及微显示技术领域，公开了微显示芯片及其异常信息的可视化显示方法，包括：对每一帧视频数据进行一次CRC校验，并与视频数据内该帧结束后所传递的在视频源侧形成的CRC校验结果进行对比；对每一帧的行列数量进行校验，以检测视频数据的画面分辨率是否与视频数据显示像素阵列的物理分辨率相匹配；对当前传输的视频数据的帧数进行校验，以检测当前帧的顺序值是否与视频数据所传送的帧顺序值一致；对当前微显示芯片的运行温度进行检测，判断其是否超出预设阈值；对微显示芯片的显示驱动电路的运行状态进行校验，以检测其工作状态是否正常。本发明的显示方法能够同时实现对视频数据及芯片驱动电路的校验，且能够以直观的可视化显示体现校验结果。
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公开(公告)号：CN119403332A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000199.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种鳍型三色集成Micro‑LED显示器件及其制备方法；涉及光学半导体领域，该显示器件包括驱动基板，所述驱动基板表面设有多个凹槽区，多个凹槽区呈阵列排布；每个凹槽区中均嵌设有LED bar单元，LED bar单元可被单独驱动；LED bar单元包括多个LED单元和多个电极层，LED单元与电极层穿插排列且呈鳍型固定在驱动基板凹槽区内，两电极层分别组成LED bar单元的最外侧两层；该方法是通过晶圆垂直键合并深槽刻蚀后进行旋转巨量转移；本申请将蚀刻后的LED bar单元旋转水平放置在驱动基板凹槽内，每个LED bar单元包括发光区和金属区，发光区呈鳍型水平排列，发光面积较小，进而可以实现纳米级尺寸发光，且垂直方向无光串扰现象；金属区可以阻挡反射发光区的光，避免水平方向上光串扰的同时也提高了发光区的亮度，从而提高LED像素bar单元的出光效率以及显示饱和度。
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公开(公告)号：CN119229775A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411732888.8
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京数字光芯集成电路设计有限公司 , 湖南大学
IPC: G09G3/20
Abstract: 本发明涉及微显示屏技术领域，公开了基于微显示屏的图像显示方法、装置、微显示屏及介质，该方法包括：通过MIPI接口接收MIPI视频发送端发送的待显示图像，并通过其他接口接收辅助显示信息；基于辅助显示信息的分辨率确定其在微显示屏中的多个候选显示区域；分别统计待显示图像在各个候选显示区域内的像素分布结果，从多个候选显示区域中确定目标显示区域；将待显示图像与辅助显示信息进行组合得到目标显示区域的目标图像；将待显示图像在目标显示区域外的图像和目标显示区域的目标图像在微显示屏中进行显示。本发明实现了微显示屏对视频数据和辅助信息同步显示功能，降低了对MIPI芯片要求，降低了微显示屏成本，提升了用户使用体验。
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