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公开(公告)号：CN103737010A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410039958.1
申请日：2014-01-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明采用一种经过改良的化学气相沉积（CVD）法，结合离子交换机制和气液固（VLS）生长机制制备出组份连续可调的InAsxP1-x合金纳米线。其化学式为InAsxP1-x，其中0≤x≤1。这些合成的纳米线都有好的结晶质量。且低温（77K）下的光致发光表明这些InAsxP1-x纳米线呈现出与组分相关的带边发射，峰值波长从860nm到2900nm连续可调。该方法简单，成本较低，可操作性强。运用该方法合成的InAsxP1-x合金纳米线在红外光探测，生物传感以及可调谐光电器件等领域都有潜在的运用价值。
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公开(公告)号：CN103913482A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410119104.4
申请日：2014-03-27
Applicant: 湖南大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明涉及一种基于CVD法合成的单根半导体纳米线热导率的测量方法；属于材料导热性能测量技术领域。本发明取一根采用CVD法于T1温度下沉积得到的纳米线，将所取纳米线一端固定在碳导电胶上，另一端悬空，悬空部分长度为8-12微米；然后，用垂直于纳米线轴线的聚焦激光束加热悬空端的端部，然后增加聚焦激光束的净输出功率，至悬空端的端部熔融时，停止加热，同时，记录此时聚焦激光束的净输出功率p∞，然后通过扫描电镜精确测得悬空部分L的长度和直径D；再将所的数据换算成纳米线吸收的激光功率（Pabs），再根据一维方向上的傅里叶热传导方程：计算得出单根纳米线热导率K。本发明无需搭建电极，具有操作简单，成本较低等优势。
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公开(公告)号：CN103913482B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410119104.4
申请日：2014-03-27
Applicant: 湖南大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明涉及一种基于CVD法合成的单根半导体纳米线热导率的测量方法；属于材料导热性能测量技术领域。本发明取一根采用CVD法于T1温度下沉积得到的纳米线，将所取纳米线一端固定在碳导电胶上，另一端悬空，悬空部分长度为8-12微米；然后，用垂直于纳米线轴线的聚焦激光束加热悬空端的端部，然后增加聚焦激光束的净输出功率，至悬空端的端部熔融时，停止加热，同时，记录此时聚焦激光束的净输出功率p∞，然后通过扫描电镜精确测得悬空部分L的长度和直径D；再将所的数据换算成纳米线吸收的激光功率（Pabs），再根据一维方向上的傅里叶热传导方程：计算得出单根纳米线热导率K。本发明无需搭建电极，具有操作简单，成本较低等优势。
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公开(公告)号：CN103737010B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410039958.1
申请日：2014-01-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明采用一种经过改良的化学气相沉积（CVD）法，结合离子交换机制和气液固（VLS）生长机制制备出组份连续可调的InAsxP1-x合金纳米线。其化学式为InAsxP1-x,其中0≤x≤1。这些合成的纳米线都有好的结晶质量。且低温（77K）下的光致发光表明这些InAsxP1-x纳米线呈现出与组分相关的带边发射，峰值波长从860nm到2900nm连续可调。该方法简单，成本较低，可操作性强。运用该方法合成的InAsxP1-x合金纳米线在红外光探测，生物传感以及可调谐光电器件等领域都有潜在的运用价值。
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