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公开(公告)号：CN103264414A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310177074.8
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B26F3/06
Abstract: 大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的装置，它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的圆盘形电极架的上端面上设置有多个薄片形电极模块的安装孔，当薄片形电极模块安装在圆盘形电极架上的安装孔时，薄片形电极模块与圆盘形电极架的直径所在直线共线，根据待加工面型的要求选择薄片形电极模块的个数；每片薄片形电极模块的下端面都靠近待加工碳化硅密封环类零件的待加工表面。本发明能对那些表面要求比较高的、加工难度比较大的、需要多个工序才能完成加工的密封环类零件表面进行先均匀的大去除、然后局部修琢的小去除、最后刻蚀微结构的高精度、高效率的加工。
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公开(公告)号：CN103237402A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177047.0
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 大气等离子体加工装置，它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决现有五轴机床不能满足大气等离子体加工响应速度快、一体化等离子体发生装置装夹、屏蔽外界电磁干扰、工作舱密闭性需求的问题。它的壳体罩在底座的上端面上，并联机构采用3-PRS型并联机构，并联机构的上端面都连接在壳体的上端内表面上，并联机构的下侧活动端分别与三角平台的三个角连接，等离子体发生装置设置在三角平台的中部上，水平运动工作平台的下端面与底座上端面的中部连接，水平运动工作平台的上端面用于装夹待加工工件。本发明解决了普通五轴机床响应速度慢、一体化等离子体发生装置装夹不便，不能满足大气等离子体加工需求的问题。
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公开(公告)号：CN103236393A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177076.7
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 单电极大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的方法。它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的步骤一：圆盘形电极架外圆面上竖直设置有一片薄片形电极；步骤二：待加工碳化硅密封环类零件装卡在地电极上；步骤三：薄片形电极的下端面靠近待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：通入混合气体，启动射频电源；步骤六：控制薄片形电极的运动轨迹和在零件表面的驻留时间；步骤七：取出待加工碳化硅密封环类零件。本发明能对那些表面微结构形状比较复杂的、不规则的尤其是在圆周方向上不具有周期重复性的密封环类零件表面进行高精度、高效率的加工。
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公开(公告)号：CN103236391A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177035.8
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 成型电极大气等离子体加工回转零件装置，它属于等离子体加工碳化硅或融石英等硅基材料回转类零件的技术领域。它是为了解决高精度回转零件的加工效率和质量问题。该装置旋转成形电极的上端面绝缘连接在转轴上，旋转成形电极的中心开有出气孔；在加工内表面时，旋转成形电极的工作面直径尺寸需要比待加工零件的内表面直径尺寸小5mm-15mm，在加工外表面时，旋转成形电极的工作面直径尺寸需要比待加工零件的外表面直径尺寸大5mm-15mm；旋转成形电极靠近待加工零件的待加工表面，并使它们之间保持一定的放电间隙。本发明专利采用简单合理的结构，利用大气等离子体加工方法，实现了全表面复映去除，同时解决了高精度回转零件的加工效率和质量问题。
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公开(公告)号：CN103233230A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177051.7
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23F3/00
Abstract: 气冷式等离子体保护气罩喷嘴，它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决大气等离子体加工过程中，周围环境对加工的影响，反应不充分，及加工温度过高导致工件产生热应力的问题。它的圆管形保护罩的内孔呈锥形，其内侧壁上有三个间隔120度分布通气孔，圆盘的外圆面呈锥形，圆管形炬管延长件上端外圆面镶嵌在圆管形保护罩上端内孔中，圆管形炬管延长件下端圆盘的外圆锥形面与圆管形保护罩的下端内圆面密封连接或之间设置有间隙，当圆管形炬管延长件下端圆盘的外圆锥形面与圆管形保护罩的下端内圆面之间设置有间隙时。本发明通入气体后，可有效冷却等离子体，降低等离子体温度，从而使大气等离子体可加工温度敏感材料，扩大了其应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103212774A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310177071.4
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K10/00
Abstract: 自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工的装置，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的五轴联动数控机床的绝缘工作架上安装有大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬；将待加工光学零件装卡在地电极上；大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬分别对待加工光学零件待加工表面进行大气等离子体数控加工。本发明能采用不同类型的等离子体炬进行大气等离子体加工。
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公开(公告)号：CN103212755A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310177034.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23H3/00
Abstract: 水电极大气等离子体加工回转零件方法，它属于等离子体加工碳化硅或融石英等硅基材料回转类零件的技术领域。它是为了解决放电不均匀、工件热变形等问题。它的步骤一：旋转成形电极的上端面连接转轴上；旋转成形电极为圆形外凸形；步骤二：待加工零件的外表面浸入水槽中的电解质水溶液内；步骤三：旋转成形电极靠近待加工零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：使旋转成形电极做回转运动，启动射频电源；步骤六：控制旋转成形电极的运动轨迹和在零件表面的驻留时间；步骤七：取出待加工零件。本发明的水电极的应用，使得电极与工件表面无间隙贴合，放电均匀，保证了加工精度，提高了加工稳定性。
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公开(公告)号：CN101032802A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710072022.9
申请日：2007-04-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 常压等离子体抛光方法，它涉及一种抛光方法。本发明的目的是为解决常规的机械式研抛方法存在的不足及在碳化硅等硬脆性难加工材料的超光滑表面加工中存在的效率低、易产生表层及亚表层损伤、表面清洗困难等问题。本发明的方法主要是，等离子体气体与反应气体的体积比为4∶1～1000∶1；启动射频电源，逐步施加功率，控制反射功率为零，初始有效功率为180～240瓦，常用功率为400～1200瓦，最高功率可加至1500瓦。本发明可在常压下通过等离子体化学反应实现超光滑表面加工，不需要真空室，可降低设备成本并扩大其使用范围。加工效率是传统抛光方法的十倍，并且无表面损伤、无亚表层损伤、无表面污染，抛光工件的表面粗糙度小于1nm Ra。
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公开(公告)号：CN1876320A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610010296.0
申请日：2006-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 常压等离子体抛光装置，它涉及一种抛光装置。本发明的目的是为解决常规的机械式研抛方法存在的不足及在碳化硅等硬脆性难加工材料的超光滑表面加工中存在的效率低、易产生表层及亚表层损伤、表面清洗困难等问题。本发明的主要部件包括：密封工作舱(51)、等离子体炬(53)、第一联动系统(52)、第二联动系统(57)、第一流量控制器(60)、第二流量控制器(65)、反应气体瓶(61)、等离子体气体瓶(62)、气体回收处理装置(63)，等离子体炬(53)安装在第一联动系统(52)上。本发明可在常压下通过等离子体化学反应实现超光滑表面加工，不需要真空室，可降低设备成本并扩大其使用范围。加工效率是传统抛光方法的十倍，并且无表面损伤、无亚表层损伤、无表面污染。
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公开(公告)号：CN1864921A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610010156.3
申请日：2006-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 用于超光滑表面加工的电容耦合式射频常压等离子体炬，它涉及一种等离子体抛光设备。本发明的目的是为解决常规的机械式研抛方法在碳化硅等硬脆性难加工材料的超光滑表面加工中存在的效率低、容易产生表层及亚表层损伤和现有的平行板式等离子体抛光方法中存在的加工痕迹难以消除，以及感应耦合式等离子体炬存在的内炬管易腐蚀，成本高，系统的维护性不好等问题。本发明阴极(6)的外壁与外套(9)的内壁之间形成水冷环形空间(13)，阳极水冷导管(1)设置在阳极(5)的内腔(16)内。本发明不需要真空室，本发明加工效率约是传统抛光方法的10倍。不会像真空等离子体那样对超光滑表面造成表面损伤、亚表层损伤和表面污染，实现了光学零件的高效率高质量加工。
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