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公开(公告)号：CN111865225A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735158.9
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器和电荷灵敏放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏放大子电路的输入端电连接，使输入电容和冲击传感器各自直接与电荷灵敏放大子电路的输入端耦合，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容具备防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，避免了冲击传感器通过输入电容与电荷灵敏放大子电路耦合，防止输入电容跟随冲击传感器工作，克服了现有微弱脉冲信号放电电路中的输入电容在冲击传感器与电荷灵敏放大子电路之间造成信号干扰的缺陷。
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公开(公告)号：CN111863606A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735237.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L21/265 , H01L21/331 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L23/552 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；向所述外延层内注入碳离子，以在所述外延层底部形成碳离子注入层；在所述外延层顶部两侧形成基区，并向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过碳离子注入层可形成有效的抗辐射隔离区，并形成碳氧/碳碳络合物及碳化硅结构层等，有助于提升晶体管抗辐射能力。同时，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度梯度的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，减少基区损伤区域，提升晶体管的抗辐射能力，同时又能够保证晶体管本身的性能。
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公开(公告)号：CN111856236A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735198.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种提取电子器件氧化层中负电荷的方法，包括以下步骤：S100、选择N型半导体材料制备成衬底；S200、在衬底上制备P型外延层；S300、在外延层上形成N+源区、N+漏区和P+阱区；S400、在外延层上生长氧化层；S500、对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；S600、将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置，检测栅极处的空穴电流；S700、在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获负电荷的状态。本发明基于MOS场效应管制备工艺，在N型半导体材料衬底上形成负电荷测试结构，并通过调置不同电极之间的电压，快速检测负电荷状态，达到高效高灵敏度检测氧化层中负电荷的目的。
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公开(公告)号：CN111766452A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735240.1
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R29/02
Abstract: 本发明提供了一种瞬态高频脉冲波形捕获系统及方法，涉及脉冲测试领域。本发明所述的瞬态高频脉冲波形捕获系统，包括前端电路、第一触发电路、第二触发电路、采样电路和数据处理模块，所述前端电路分别与所述第一触发电路、所述第二触发电路及所述采样电路连接，所述数据处理模块分别与所述第一触发电路、所述第二触发电路及所述采样电路连接。本发明所述的技术方案，通过阈值上限和阈值下限同步检测向上的瞬态脉冲和向下的瞬态脉冲，有效甄别瞬态高频脉冲对元器件的影响，使得电路系统可在较安全的环境下运行，有效保障了电路系统的稳定性及可靠性。
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公开(公告)号：CN111707922A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010735747.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统及方法，涉及测试技术领域，包括：向被测半导体施加周期触发信号，周期触发信号通过控制脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统中的多个开关器件的开闭形成；获取被测半导体在周期触发信号下的电容变化数据，电容变化数据通过脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统中的电容检测电路检测输出；对电容变化数据进行数据分析，确定双极脉冲深能级瞬态谱，双极脉冲深能级瞬态谱包括正向深能级瞬态谱和负向深能级瞬态谱。本发明采用双极脉冲触发深能级瞬态谱测量，可得到更为丰富的深能级瞬态谱信息，测试效率高，测试结果更为准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108458942B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810136596.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种航天器用聚合物基碳纤维复合材料空间热循环加速试验方法，涉及一种空间热循环加速试验方法。本发明为了解决现有针对航天器用聚合物基碳纤维复合材料的空间热循环试验的试验时间长的问题。方法：选择聚合物基碳纤维复合材料并测试微观结构；空间热循环条件确定，进行空间热循环试验并测定试验后材料中自由基的数量A和种类；确定地面加速热循环试验条件，进行地面加速热循环试验并测定试验后材料中自由基的数量B和种类；自由基的种类变化相同，数量满足∣A‑B∣/A≤5％，计算加速因子N＝W1/W2或V2/V1。本发明能够缩短试验周期，降低试验成本。本发明适用于聚合物基碳纤维复合材料热循环加速试验。
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公开(公告)号：CN108335979B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810136626.3
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/322
Abstract: 本发明提供了同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的辐照粒子能量选择方法其应用对象包括各类航天器用关键材料和器件，基于Monte Carlo计算方法，在特定材料状态条件下，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，即可确定入射粒子的能量，保证其同时产生稳定的电离和位移缺陷。
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公开(公告)号：CN106483061B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610911410.0
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
Abstract: 一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法，涉及空间环境效应领域，为了满足对位移损伤效应的研究需求。该方法为：选取带电粒子；计算带电粒子所产生的单位时间位移损伤吸收剂量D；根据计算D'(E)，D'(E)为一个能量为E的带电粒子所产生的位移损伤吸收剂量，为注量率；选取D'(E)大于位移缺陷产生阈值的有效带电粒子；在有效带电粒子中选取D小于点缺陷阈值的带电粒子作为辐照源，用于产生点缺陷；在有效带电粒子中选取D大于级联缺陷阈值的带电粒子作为辐照源，用于产生点缺陷和级联缺陷。本发明适用于产生级联及点缺陷。
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公开(公告)号：CN108562609A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810135794.0
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于自由基含量预测热循环对聚合物基复合材料热膨胀系数影响的方法，它属于复合材料的尺寸稳定性的评价技术领域，本发明解决了航天器在轨运行期间，由于受到实验条件和设备条件的限制，对结构复杂的聚合物基复合材料的热膨胀系数的测量需要的时间较长，且测量难度较高的问题。本发明在真空度小于1Pa条件下，对需要测定热膨胀系数的聚合物基复合材料进行热循环实验，得出该聚合物基复合材料的自由基含量随着热循环次数的变化规律与热膨胀系数随着热循环次数的变化规律一致，因此，在轨运行期间，可以仅测量自由基含量来预测聚合物基复合材料的热膨胀系数。本发明可以应用于复合材料的尺寸稳定性的评价技术领域用。
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公开(公告)号：CN108346565A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136630.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/324
Abstract: 一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，本发明涉及一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，本发明的目的是为了解决粒子辐射会引起器件的位移损伤的问题，本发明基于Monte Carlo计算方法，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，以及试样特征，确定入射粒子的类型，保证入射粒子在试样的输运过程中，能够促使试样内部已有的位移缺陷退火。本发明应用基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法，步骤简单，易于操作。本发明应用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。
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