-
公开(公告)号：CN218849498U
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202221994705.6
申请日：2022-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体结构，包括硅基板、绝缘层、双层、第一晶体管的通道区域及第二晶体管的通道区域。绝缘层在硅基板中。双层在绝缘层上方，且双层包括与应变松弛硅锗(SiGe)部分直接接触的硅部分。第一晶体管的通道区域在双层的硅部分上。第二晶体管的通道区域在双层的应变松弛SiGe部分上。
Search Results
101
records
(took 0.029 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
