-
公开(公告)号:CN102231365B
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN201010579216.X
申请日:2010-12-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/285 , H01L29/792 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法,具体步骤如下:a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al2O3,形成隧穿层;b)用原子层化学气相沉积方法在隧穿层表面沉积一层(HfO2)x(Al2O3)1-x薄膜作为存储层;c)用原子层化学气相沉积方法在(HfO2)x(Al2O3)1-x存储层表面沉积一层Al2O3作为阻挡层。不挥发电荷存储器件包含顺序连接的隧穿层、存储层和阻挡层,利用Al2O3作为存储器件的隧穿层和阻挡层,(HfO2)x(Al2O3)1-x作为器件的存储层。本发明能够很好的提高器件的写入和擦除速度,同时这种制备方法操作简单、易于控制。
-
公开(公告)号:CN101433833B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200810021689.0
申请日:2008-08-14
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了一种钽掺杂氧化锌纳米粉末光催化剂,其制备方法及应用。该催化剂制备方法是将可溶性锌盐溶于去离子水中形成锌盐溶液,加入适量的柠檬酸得到透明溶液A;再取适量钽前体溶液,加入适量乙二醇形成溶液B;将两种溶液混合,在搅拌过程中加入PVP和硝酸,搅拌0.5~1小时,得到透明溶液;将透明溶液加热,蒸发至原质量的50~70%,再加入为分散剂和稳定剂,搅拌后置于空气中,老化、烘干,形成粉末前体;再进行退火处理,得到样品。本催化剂能在太阳光、紫外光或可见光下催化分解有机物染料。其合成方法简单,且合成的钽掺杂氧化锌纳米粉末具有较高的催化活性,本发明的产率约为100%,产品比表面积约为20~35m2/g。
-
公开(公告)号:CN101864562A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN201010221160.0
申请日:2010-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种利用ALD技术在金属医疗器械上制备氧化物表面的方法,采用ALD技术,通过前驱体脉冲和氧源脉冲的交替通入,在金属医疗器械表面上发生化学吸附反应使其表面形成一层氧化物薄膜。本发明提供的利用ALD技术在金属医疗器械上制备氧化物表面的方法,可以在金属材质的植入型医疗器械表面制备具有1~100nm厚度的、致密、稳定的氧化物生物陶瓷表面,改善原有金属表面对其他材料如聚合物的粘附性,改善原有表面的生物相容性和血液相容性。
-
公开(公告)号:CN101337182B
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN200810021688.6
申请日:2008-08-14
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锌光催化剂、其制备方法及应用,制备方法是先将钛源和可溶性锌盐分别溶于乙醇和乙二醇,再将两种溶液混合,在搅拌过程中加入少量乙酰丙酮和表面活性剂,搅拌0.5~2小时,使反应体系混合均匀。将溶液静置在空气中,老化12~24小时后再进行反应,反应温度160~190℃,反应时间60~120分钟,得到白色浑浊液。反应生成物采用离心分离技术得到;先用丙酮超声清洗,再用乙醇清洗3~5次后,110~170℃烘干,即可得到前体粉末。最后将前体粉末或者离心分离得到的反应生成物进行600~900℃退火2~4小时,得到白色钛酸锌粉末样品。产率80%以上,比表面积约为10~15m2/g。
-
公开(公告)号:CN101752236A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910233409.7
申请日:2009-10-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种调控GaAs半导体与栅介质间能带补偿的原子层沉积Al2O3/HfO2方法,先将GaAs衬底清洗,去除油污和氧化层;再用(NH4)2S水溶液浸泡,使GaAs表面形成Ga-S以及As-S键,进一步去除多余的As单质和As的氧化物;最后将钝化好的GaAs衬底立即放入ALD反应室中,进行HfO2/Al2O3纳米叠层薄膜的沉积。本发明通过改变Al/Hf比率,优化和改善了栅介质与GaAs衬底之间的界面质量,调节了n-GaAs和栅介质薄膜之间的能带补偿,改进了栅介质薄膜的电学性能。而且此方法工艺简单,在GaAs基MOSFET制备中具有重要的应用前景。
-
公开(公告)号:CN100543941C
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200810123679.8
申请日:2008-05-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/288 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种制备超薄HfO2或ZrO2栅介质薄膜的软化学法,通过一种简便可行的工艺路线,成功地配制了具有较好稳定性与均匀性的氯化铪(锆)前体溶胶,此溶胶具有较长的保存寿命,使用此前体溶胶,通过软化学方法,在Si衬底上室温下,成功制备出表面平整的超薄氧化铪(锆)薄膜,通过后退火,获得了具有优异电学性能的栅介质薄膜。此方法制备工艺简单,成本低廉,在微电子领域独具优势,具有重要的应用前景。
-
公开(公告)号:CN101433833A
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN200810021689.0
申请日:2008-08-14
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了一种钽掺杂氧化锌纳米粉末光催化剂,其制备方法及应用。该催化剂制备方法是将可溶性锌盐溶于去离子水中形成锌盐溶液,加入适量的柠檬酸得到透明溶液A;再取适量钽前体溶液,加入适量乙二醇形成溶液B;将两种溶液混合,在搅拌过程中加入PVP和硝酸,搅拌0.5~1小时,得到透明溶液;将透明溶液加热,蒸发至原质量的50~70%,再加入为分散剂和稳定剂,搅拌后置于空气中,老化、烘干,形成粉末前体;再进行退火处理,得到样品。本催化剂能在太阳光、紫外光或可见光下催化分解有机物染料。其合成方法简单,且合成的钽掺杂氧化锌纳米粉末具有较高的催化活性,本发明的产率约为100%,产品比表面积约为20~35m2/g。
-
公开(公告)号:CN101337182A
公开(公告)日:2009-01-07
申请号:CN200810021688.6
申请日:2008-08-14
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锌光催化剂、其制备方法及应用,制备方法是先将钛源和可溶性锌盐分别溶于乙醇和乙二醇,再将两种溶液混合,在搅拌过程中加入少量乙酰丙酮和表面活性剂,搅拌0.5~2小时,使反应体系混合均匀。将溶液静置在空气中,老化12~24小时后再进行反应,反应温度160~190℃,反应时间60~120分钟,得到白色浑浊液。反应生成物采用离心分离技术得到;先用丙酮超声清洗,再用乙醇清洗3~5次后,110~170℃烘干,即可得到前体粉末。最后将前体粉末或者离心分离得到的反应生成物进行600~900℃退火2~4小时,得到白色钛酸锌粉末样品。产率80%以上,比表面积约为10~15m2/g。
-
公开(公告)号:CN100400717C
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200510041578.2
申请日:2005-08-23
Applicant: 南京大学
IPC: C30B5/00
Abstract: 本发明公开了一种控制胶体微球自组装及制备二维、三维光子晶体的方法,首先选择模板材料;在一片模板上滴上适量溶剂,待溶剂膜铺展整个模板后,再与另一片模板对合在一起,在模板间形成一均匀液膜;然后将胶体微球溶于溶剂中,制成微球悬浊液;再将微球悬浊液装入生长容器内;最后将制成的带有均匀液膜的模板放入生长容器内,模板下端浸入悬浊液中,得到大面积单畴高质量的光子晶体,调节溶剂膜厚度和胶体粒子悬浊液浓度,可以改变光子晶体的层数。本发明工艺简单,成本低,效率高,制备的模板质量高,具有较强的可操作性和较好的重复性,本发明在光集成、光通讯领域具有广阔的应用前景和极大的实用价值。
-
公开(公告)号:CN101209854A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200710192348.5
申请日:2007-12-25
Applicant: 南京大学
IPC: C01G9/00
Abstract: 溶剂热方法制备纳米层状Zn5(OH)8(NO3)2·2H2O纳米级薄片状晶体的方法,分别称量摩尔比为1∶1 Zn(NO3)2和C6H12N4粉末,用乙醇作为溶剂,将粉末加入乙醇与水的混合溶液中充分溶解,乙醇与水的体积比例为5-15∶1;将所得溶液装进密封的容器中,放入烘箱内,92±5℃加热 1±0.5小时;冷却后,将所得粉末取出,用去离子水清洗后并超声后,室温下干燥。本发明制备出单相的,厚度为纳米级的薄片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-