公开(公告)号：CN104729919B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201510108879.6

申请日：2015-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷

IPC: G01N3/08

Abstract: 本发明公开了一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统，利用新设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合的系统，提取微梁的拉伸断裂强度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测，也可用来预测器件的机械可靠性。具备自定位、自测力能力；具备施加大负载的能力(mN以上的力)，满足各种测量要求；方法简单，不需要大型高精密仪器。

公开(公告)号：CN103981512B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410196612.2

申请日：2014-05-10

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 魏武 ,  刘鹏 ,  赵红军 ,  张俊业 ,  童玉珍 ,  张国义

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，包括第一通道、第二通道。所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道，所通反应物气体为GaCl；所述第二通道位于第一通道中心位置，所通气体可以是N2也可以是GaCl与N2的混合气体；所述第二通道可以为一段圆柱形通道，也可由两段组成，上段为圆柱形，下段为圆台形或倒圆台形，两段相连处直径相等。本发明一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，通过最佳化两通道中气体流量大小，来改善反应物GaCl在衬底上方附近径向分布的均匀性，以满足较大面积衬底上GaN晶体材料均匀生长之需求。

公开(公告)号：CN103103501B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310012409.0

申请日：2013-01-14

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 张俊业 ,  刘鹏 ,  毕绿燕 ,  赵红军 ,  袁志鹏 ,  张国义 ,  童玉珍

IPC: C23C16/455 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用扇形喷头结构，使第一前驱物、第二前驱物、各种保护性气体在大面积反应区域内充分混合后形成较为均匀的流场。本发明包含有一个以上进气管道，进气管道上设有检测并控制进气流速和流量的控制器，喷头腔体内设有一个以上扇形的独立隔离区域，隔离区域顶端密封板连接一个进气管道，隔离区域底端的出气挡板上设有一个及以上的气体喷口，喷头下面设有圆形反应腔。本发明实现Ⅲ族-氮化物半导体材料的大批量生产，提高Ⅲ族-氮化物半导体材料的生产效率。

公开(公告)号：CN103094172B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210559378.6

申请日：2012-12-21

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 刘鹏 ,  毕绿燕 ,  赵红军 ,  张国义 ,  童玉珍 ,  廉宗隅

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明公开了半导体及微电子行业耐高温防滑夹具，通过夹头与夹臂的安装组合方式，使用时施力于夹臂，用卡槽卡住所夹持晶片，有效防止夹持过程中晶片的掉落。本发明包含有第一夹臂、第二夹臂，第一夹臂另一端安装第一夹头，第二夹臂另一端安装第二夹头，第一夹头与第二夹头之间形成卡槽夹持部，通过作用第一夹臂、第二夹臂控制第一夹头、第二夹头的运动作用于样品。本发明根据使用温度的不用，夹臂和夹头可选择适当的耐高温材料制成，达到高温条件下取放晶片的目的。

公开(公告)号：CN102828238B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210303314.X

申请日：2012-08-24

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 赵红军 ,  刘鹏 ,  张国义 ,  童玉珍 ,  孙永健 ,  毕绿燕

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明一种用于改良外延过程中衬底晶片表面温场的方法，首先选取复合衬底晶片，在初始温度和外延起始温度不同时，计算出复合衬底晶片中第一种材料的体积变化和第二种材料的体积变化，然后根据第一种材料的体积变化和第二种材料的体积变化计算出复合衬底晶片变形后的球面半径；再根据计算得出的R0值在载体上开设衬底球径结构；然后把复合衬底晶片置放到衬底球径结构中，在HVPE中进行半导体材料生长。本发明改善了半导体材料外延过程起始阶段衬底晶片表面温场的均匀性，提高外延起始层与原有材料的衔接质量，降低了工艺调试难度，提高了外延半导体材料的质量。

公开(公告)号：CN103094174B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201210559395.X

申请日：2012-12-21

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 刘鹏 ,  毕绿燕 ,  赵红军 ,  张国义 ,  童玉珍 ,  廉宗隅

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明公开了一种操作简易的晶片夹具，可以提高工作效率、节省人力成本、提高夹持工序的安全性。本发明包含有2个及以上的夹臂和夹头，夹臂之间相互连接形成连接端，夹臂另一端的自由端安装衔接有夹头，其中一个夹臂上安装一个以上夹头，夹臂中一些夹臂在夹取操作中其位置相对固定不变，为固定夹臂，另外的夹臂则相对于固定夹臂其位置在变动，为运动夹臂；运动夹臂带动夹头向固定夹臂移动，固定夹臂在夹具的夹取中起到定位作用。本发明操作简单容易，提高设备定位精度，简化设备控制系统的复杂程度，进而降低成本。

公开(公告)号：CN103060906B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201310012395.2

申请日：2013-01-14

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 张俊业 ,  刘鹏 ,  毕绿燕 ,  赵红军 ,  袁志鹏 ,  张国义 ,  童玉珍

IPC: C30B25/14 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用方形喷头结构，解决在较大的衬底和较大的沉积区域之上提供均匀的前驱物混合问题。本发明方形喷头内设有多个相互独立的隔离区域，隔离区域呈上下结构依层排布，方形喷头顶部设有与隔离区域连通的输入管道，隔离区域底部设有多个气体喷管，气体喷管的喷口设于方形喷头底部。本发明通过方形的喷头结构，独立的隔离区域，以及多个喷头联合使用的方式，可使前驱物以及各种气体混合后均匀沉积在衬底表面，并提高生产效率。

公开(公告)号：CN102963859B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210451765.8

申请日：2012-11-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试结果的可靠性。利用该结构制备MEMS器件的方法可与常用的牺牲层工艺兼容，可同时完成，实现工艺的在线监控。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率，并大大缩短工艺时间。

公开(公告)号：CN104729919A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510108879.6

申请日：2015-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷

IPC: G01N3/08

Abstract: 本发明公开了一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统，利用新设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合的系统，提取微梁的拉伸断裂强度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测，也可用来预测器件的机械可靠性。具备自定位、自测力能力；具备施加大负载的能力(mN以上的力)，满足各种测量要求；方法简单，不需要大型高精密仪器。

公开(公告)号：CN102828239B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201210306671.1

申请日：2012-08-24

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 吴洁君 ,  张国义 ,  刘南柳 ,  康香宁 ,  李文辉 ,  钟良兆 ,  刘鹏

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明公开了一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法，降低衬底内部缺陷及残余应力，提高衬底的断裂强度和表面特性。本发明利用缺陷应力去除技术对衬底的内部缺陷及残余应力进行去除，提高衬底的断裂强度和表面特性，在MOCVD中，生长GaN单晶薄膜，于HVPE中进行高质量的GaN单晶厚膜的快速生长，利用GaN和衬底之间的热膨胀系数差，从而获得自分离自支撑GaN衬底。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶自支撑衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的、高光学和电学性能的、可用于同质外延的GaN单晶自支撑衬底。