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公开(公告)号：CN100388410C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN02157972.5
申请日：2002-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法，本发明的方法包括以下步骤：1)用化学气相沉积方法制备碳纳米管，在其生长过程中填充过量的金属或非金属引入势垒，得到有调制结构的复合一维碳纳米管；2)用微电子光刻技术制备电极；3)将上述有调制结构的碳纳米管和电极进行组装和纳米加工，得到单电子器件。用本发明的方法制备单电子器件，通过调节势垒的间距，可以使单电子器件的工作温度达到室温或更高温，具有重要的理论及实际意义。
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公开(公告)号：CN1744254A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410009510.1
申请日：2004-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米碳管的场发射阴极及其制备方法，所述纳米碳管以平躺的方式排布于所述场发射阴极极板上。制备包括：将所述纳米碳管放在酒精或其他溶剂中，搅拌分散，制成溶液；将得到的溶液直接滴到所述阴极极板上；将所述滴有纳米碳管溶液的阴极极板自然晾干即可。本发明的场发射阴极极板上的纳米碳管平躺以后，其加工工艺将大大简化，成本也大大降低了。本发明的场发射阴极避免了直立排布碳管的困难，大大降低了生产成本并提高了性能。
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公开(公告)号：CN1209283C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03136943.X
申请日：2003-05-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种碳基纳米管的新结构及其制备方法和应用。碳基纳米管，在纳米管内部填充有金属或金属氧化物颗粒，所述颗粒使得所述碳基纳米管的外壁构成多个几何突起。碳基纳米管的制备方法，是在制造纳米管的过程中，通过可控间断地引入参与裂解反应的气体或液体，实现在一根纳米管中填充多个金属或金属氧化物颗粒的目的，并控制颗粒以及纳米管外壁突起的排列，产物为纳米管阵列薄膜或粉末状材料。这种特殊结构的纳米管，通过在纳米管内部填充金属或金属氧化物颗粒并引入局部变形，成倍地增加了材料的场发射效率，降低开启电场并提高发射电流密度，场致电子发射所需的开启电场和场增强因子明显优于通常的直壁碳管，可以用作场发射阴极。
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公开(公告)号：CN1510716A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN02157972.5
申请日：2002-12-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明属于纳电子学及纳电子器件领域，具体为利用调制的复合一维纳米材料构建单电子器件并提高其工作温度到室温或更高的思想和方法。通过在生长过程中控制地在一维纳米结构(纳米管)中引入势垒(可以用金属颗粒、成分改变、金属和绝缘体或非晶和晶体的转变、定位的电子或离子注入)，可以改变纳米管的电学性质。用这种复合纳米材料制备出单电子器件。通过调节势垒的间距，可以控制由此制备的单电子器件的工作温度达到室温或更高温。本发明用于纳电子学研究及单电子器件制备。
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公开(公告)号：CN1460639A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03136943.X
申请日：2003-05-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种碳基纳米管的新结构及其制备方法和应用。碳基纳米管，在纳米管内部填充有金属或金属氧化物颗粒，所述颗粒使得所述碳基纳米管的外壁构成多个几何突起。碳基纳米管的制备方法，是在制造纳米管的过程中，通过可控间断地引入参与裂解反应的气体或液体，实现在一根纳米管中填充多个金属或金属氧化物颗粒的目的，并控制颗粒以及纳米管外壁突起的排列，产物为纳米管阵列薄膜或粉末状材料。这种特殊结构的纳米管，通过在纳米管内部填充金属或金属氧化物颗粒并引入局部变形，成倍地增加了材料的场发射效率，降低开启电场并提高发射电流密度，场致电子发射所需的开启电场和场增强因子明显优于通常的直壁碳管，可以用作场发射阴极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1349240A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01140097.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用,属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列,是在金属平面电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列;基底厚度为1μm～0.5mm,纳米线直径为20～200nm,长度为100～500nm。制造步骤包括:(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板;(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发－电镀制造金属薄膜电极;(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列;(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板,露出金属纳米线。本发明的场发射阴应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低,电流密度大,制备简单,成本低。
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公开(公告)号：CN113764587B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202010496825.2
申请日：2020-06-03
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种抗辐照碳纳米管晶体管，包括：抗辐照衬底；碳纳米管粘附层，碳纳米管粘附层形成在抗辐照衬底上；碳纳米管层，碳纳米管层形成在碳纳米管粘附层上，碳纳米管层作为沟道；以及栅介质，栅介质为至少在碳纳米管层的一部分上形成的聚合物离子液体凝胶。本公开还提供了抗辐照碳纳米管晶体管的制造方法以及集成电路系统。
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公开(公告)号：CN115911105B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202211489343.X
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/41 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种基于二维半导体的固态源掺杂方法和二维半导体晶体管，该固态源掺杂方法，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上制备二维半导体材料层；对所述二维半导体材料层远离所述基底的表面进行表面改性处理；在所述二维半导体材料层远离所述基底的表面上蒸镀固态活性源金属层；在所述固态活性源金属层上蒸镀常规金属层；对所述固态活性源金属层和所述常规金属层进行退火处理，得到二维半金属/金属材料层。根据本发明的固态源掺杂方法避免了常规金属直接蒸镀产生的费米钉扎效应，可以形成欧姆接触，以较低的成本解决高电阻触点的问题。
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公开(公告)号：CN116143552B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202211490001.X
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，该二维硒化铟半金属/金属材料包括：含有钇原子的二维硒化铟，所述二维硒化铟半金属/金属材料的微观结构如下：硒化铟中掺杂有金属钇原子，硒化铟的一部分铟原子被所述钇原子所取代，所述二维硒化铟半金属/金属材料的能带结构中的导带底和价带顶至少具有重叠。根据本发明的有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，通过表面改性处理和退火处理使得金属钇原子替位铟原子掺杂到二维硒化铟材料中，实现二维硒化铟材料从半导体相向金属相的转变，以低成本得到稳态的具有金属相的二维硒化铟材料。
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公开(公告)号：CN117177581A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210572337.4
申请日：2022-05-23
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管肖特基二极管及其制备方法。所述碳纳米管肖特基二极管包括衬底介质层、碳纳米管有源层、T型阳极电极、自对准阴极电极，所述碳纳米管有源层置在所述衬底介质层之上；所述T型阳极电极置在所述碳纳米管有源层之上；所述自对准阴极电极置在所述碳纳米管有源层之上，并形成于所述T型阳极电极的两侧。本发明提供的T型阳极结构肖特基二极管及其制备方法，可以减小肖特基二极管的寄生参数，提高其截止频率，在太赫兹领域具有广泛的应用前景。
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