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公开(公告)号:CN106575679B
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201580044813.3
申请日:2015-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明是一种太阳能电池,其在第1导电型半导体基板的背面,具备由第1接触部与第1集电部构成的第1指状电极、由第2接触部与第2集电部构成的第2指状电极、第1母线电极、以及第2母线电极,所述第1导电型半导体基板在受光面的相反侧的背面具有第1导电型区域与第2导电型区域,并且,至少在第1母线电极和第2母线电极正下方的全部区域具备绝缘膜,在绝缘膜上,第1集电部和第1母线电极、以及第2集电部和第2母线电极电性接合,并且,至少在绝缘膜正下方,第1接触部和第2接触部连续成线状。由此,本发明提供一种钝化区域广、线路电阻低、并联电阻高、转换效率高的太阳能电池,并且提供一种太阳能电池的制造方法,可以用低成本来制造这种太阳能电池。
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公开(公告)号:CN107148681A
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201580072513.6
申请日:2015-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/22 , H01L21/316 , H01L21/324 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/1804 , C30B29/06 , C30B31/08 , C30B31/185 , C30B33/02 , H01L21/22 , H01L21/324 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种太阳能电池用基板的制造方法,所述太阳能电池用基板由单晶硅构成,所述制造方法的特征在于,具有以下步骤:制作单晶硅棒;由前述单晶硅棒切出硅基板;以及,以800℃以上且低于1200℃的温度对前述硅基板进行低温热处理;并且,在进行前述低温热处理前,以1200℃以上的温度对前述单晶硅棒或前述硅基板进行30秒以上的高温热处理。由此,提供一种太阳能电池用基板的制造方法,所述太阳能电池用基板即使当基板的氧浓度较多时,也可以抑制基板的少数载流子寿命下降。
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公开(公告)号:CN107148680A
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201580061522.5
申请日:2015-10-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor: 大塚宽之
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/0288 , H01L31/03767 , H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池,其具备P型硅基板,该P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面,在该背面上具备部分地形成的多个背面电极,前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层,前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域,前述太阳能电池的特征在于,前述P型硅基板是掺有镓的硅基板,前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω·cm以下,前述多个背面电极的背面电极间距Prm[mm]与前述P型硅基板的电阻率Rsub[Ω·cm]满足由下式(1)表示的关系。由此,本发明提供一种太阳能电池及太阳能电池模组,所述太阳能电池使用光劣化得到抑制的基板,在所述太阳能电池中,抑制电阻损失,转换效率优异,log(Rsub)≦‑log(Prm)+1.0…(1)。
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公开(公告)号:CN105934828B
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201480074059.3
申请日:2014-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: [问题]为了提供一种具有低成本、高可靠性和高转换效率的太阳能电池单元。[解决方案]一种太阳能电池单元的制造方法,其中:第二导电型层和防反射膜通过层叠于第一导电型半导体基板上形成;将含有导电性颗粒和玻璃粉的导电性糊剂涂布至所述防反射膜的规定位置;和通过将已涂布有所述导电性糊剂的半导体基板烧结形成电极;所述电极贯通所述防反射膜并且电连接至所述第二导电型层。在所述烧结之后即刻而不是回复至室温,将已涂布有所述导电性糊剂的半导体基板连续地加热处理。
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公开(公告)号:CN104704639B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201380051963.8
申请日:2013-08-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/03125 , H01L31/06 , H01L31/068 , Y02E10/50 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及长期可靠性优良的高效的太阳能电池单元的制造方法,包括:工序(7),在至少具有pn结的半导体基板的受光面侧形成了的反射防止膜上涂覆包含导电材料的膏状的电极剂;以及电极烧成工序(9),具有以仅对上述电极剂涂覆部分照射激光而使上述导电材料的至少一部分烧成的方式进行加热的局部加热处理(工序(9a))、以及将上述半导体基板整体加热到低于800℃的温度的整体加热处理(工序9(b))。
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公开(公告)号:CN103329280B
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201180065728.7
申请日:2011-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池,是在结晶硅基板的受光面侧形成添加了具有与上述硅基板相反的导电型的掺杂剂的发射极层,在上述硅基板的表面形成钝化膜,形成了将光生成的电荷从硅基板取出的取出电极和至少部分地与上述取出电极相接、收集用上述取出电极收集的电荷的集电极的太阳能电池,其特征在于,上述取出电极包含第1电极,该第1电极是含有赋予硅以导电性的掺杂剂的导电性糊的烧结体,以至少上述第1电极贯通上述钝化层的方式形成,上述集电极包含具有比上述第1电极高的导电性的第2电极,根据本发明,在使硅与电极的接触电阻损失和在电极电阻的电阻损失减小的同时,能够使发射极层的光学的和电的损失减小,能够使太阳能电池特性大幅地提高。
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公开(公告)号:CN103329279B
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201180065726.8
申请日:2011-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及太阳能电池,是在至少具有pn结的结晶硅基板上形成钝化膜、经过导电性糊的印刷和热处理的工序形成电极的太阳能电池,其特征在于,具有:以将光生成的载流子从硅基板取出的取出电极与硅基板接触的方式形成的第1电极、和以将在上述第1电极收集的载流子收集的集电极与上述第1电极接触的方式形成的第2电极,上述第2电极和硅基板至少在第1电极和第2电极的接触点以外只部分地相接或完全不相接,根据本发明,通过在集电极与硅之间使钝化膜完全或部分地残留,从而能够使在电极/硅界面的电荷损失减少,改善短路电流、开路电压,提高太阳能电池特性。此外,工序能够采用以往的丝网印刷技术等实现,对于成本削减极其有效。
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公开(公告)号:CN103038865B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201180035789.9
申请日:2011-06-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/67109 , H01L21/67754
Abstract: 这里公开的热处理炉,用于半导体基片的热处理步骤中,其特征在于提供了柱形芯管,该柱形芯管的两端部有开口,该开口的尺寸设置成允许半导体基片插入芯管和从芯管中取出。这在连续的半导体热处理过程中减少了在批次之间的等待时间,从而提高生产率。而且,使用芯管结构的简单柱形降低了气体引入管部分失效的频率,从而降低了热处理方法的运行成本。
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公开(公告)号:CN104756259A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201380056984.9
申请日:2013-09-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/048 , H01L31/0504 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池,具备:半导体基板,至少形成有pn结;大量指状电极,在该半导体基板的至少单面上梳齿状地形成;以及多个母线电极,与所述指状电极的长边方向正交地配置并且与该指状电极连接,在太阳能电池中,连接于一个母线电极的一个指状电极、与连接于与该一个母线电极平行地配置的其他母线电极的其他指状电极相互间隔开,并且与各母线电极连接的指状电极的相互邻接的2根或者2根以上的长边方向的端部彼此通过辅助电极电连接,通过采用以上结构,还消除由断线所导致的不利情况,曲线因子高,变换效率也高,且电池的翘曲小,制造成品率提高,并且没有成本升高,长期可靠性高,使用该太阳能电池的太阳能电池模块具有高的输出维持率。
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公开(公告)号:CN104704639A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201380051963.8
申请日:2013-08-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/03125 , H01L31/06 , H01L31/068 , Y02E10/50 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及长期可靠性优良的高效的太阳能电池单元的制造方法,包括:工序(7),在至少具有pn结的半导体基板的受光面侧形成了的反射防止膜上涂覆包含导电材料的膏状的电极剂;以及电极烧成工序(9),具有以仅对上述电极剂涂覆部分照射激光而使上述导电材料的至少一部分烧成的方式进行加热的局部加热处理(工序(9a))、以及将上述半导体基板整体加热到低于800℃的温度的整体加热处理(工序9(b))。
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