基于元素碲光热电效应的柔性长波红外阵列探测器

    公开(公告)号:CN114764029A

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202110037306.4

    申请日:2021-01-12

    Abstract: 本发明提供一种基于元素碲光热电效应的柔性长波红外阵列探测器,其特征在于,包括:所述探测器为平面型金属‑半导体‑金属结构;所述探测器的像素建立在温差的方向平行于所述探测器所在平面;所述金属‑半导体‑金属结构为半导体的两端沉积金属电极。本发明的柔性长波红外阵列探测器具有结构、制备工艺简单,易于规模化批量生产等优点,且表现出优良的长波红外探测能力。柔性光热电探测器在1000次弯折后,光响应性能没有明显降低。碲基柔性光热电探测器的响应时间为18ms,响应速度甚至优于众多紫外、可见、近红外光子型柔性探测器。

    一种高性能BiTe基复合热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114249304A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202011027037.5

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本文公开了一种具有高性能BiTe基复合热电材料及其制备方法。其通式为BixSb2‑xTe3‑ySeyMz;其中,所述M为Bi、Sb、Te、Se中的一种或多种与I、Br、Cu、Ag、Cd、Y、Yb中的一种或多种形成的合金,或I、Br、Cu、Ag、Cd、Y、Yb中的一种或多种形成的合金;x、y和z为摩尔分子数,范围为0~1。该Bi2Te3基热电材料装入球磨罐中,先在100rpm~400rpm的转速条件下球磨1h~5h,然后在400rpm~800rpm的条件下球磨5h~20h,得到了合金化的热电材料粉末,该粉末用冷压机在100MPa~500MPa的条件下冷压成合金块,然后将合金块进行放电等离子体烧结成致密块体。本发明所述的Bi2Te3基热电复合材料具有制备方法简单、生产效率高,同时具有很高的电导率和功率因子以及导热系数低、热电性能好等优点。

    一种生长高质量均匀硒化锗薄膜的装置及方法

    公开(公告)号:CN112853270B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201911194618.5

    申请日:2019-11-28

    Inventor: 姜鹏 袁敏 包信和

    Abstract: 本发明涉及一种生长高质量均匀硒化锗薄膜的装置及方法:本发明在管式石英炉中,利用物理气相输运方法,通过垂直放置衬底及调节生长温度(400‑600℃),使用GeSe作为生长源,实现在多种衬底上生长均匀硒化锗薄膜。所制备的材料成分均一,膜厚均匀性优于10%。本发明所述方法操作简单,成本低廉。所制备硒化锗薄膜在可见光区域的吸收光谱与薄膜厚度密切相关,可用于制备超薄光电子器件的硒化锗涂层、玻璃薄膜以及热电薄膜。

    一种钨单晶表面台阶限域二维氮化钨的制备方法

    公开(公告)号:CN113373441A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202010157190.3

    申请日:2020-03-09

    Abstract: 本发明涉及一种钨单晶表面台阶限域的二维氮化钨制备方法,主要包括以下步骤:对单晶W进行表面预处理;将预处理后的W衬底加热至600~670℃,并通入氨气,氨气压力为1×10‑7~1×10‑6Torr,通过表面成像仪器进行实时成像,原位观察单晶W表面氮化钨的生长,氮化钨达到所需覆盖度后,在氨气下进行降温,得到所述二维氮化钨。这种通过调变温度和气氛压力直接氮化衬底的制备方法,简单易行,制备过程中使用表面成像仪器进行实时成像,使其结构易于控制,可以扩展到其他过渡金属氮化物的可控制备,为后续氮化物薄膜材料的可控制备和应用研究奠定了良好的基础。

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