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公开(公告)号：CN105070827A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510416091.1
申请日：2015-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长第一电热绝缘材料层，旋涂并光刻形成纵向第一掩膜层；在第一电热绝缘层上淀积第一功能材料层，并形成第一功能材料层缝隙；之其上制备一层相变材料层；退火、腐蚀，将相变材料层去除，形成相变材料层纳米线；光刻，形成水平对置电极层局域化的相变材料量子点；去除第二掩模层，淀积第二电热绝缘层；去除第三掩模层；淀积第三电热绝缘材料层；光刻出第四掩模层，腐蚀，薄膜淀积第二功能材料层，并剥离形成测试电极，完成器件制备。本发明具有工艺精度要求低、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低和经济高效的优点。
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公开(公告)号：CN103515524B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310503144.4
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种面向片上集成的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积第一绝缘材料层；光刻形成纳米线结构；去除纳米线结构上的第一绝缘材料层并填充第二绝缘材料层；回刻；去除纳米线结构一侧周围的第二绝缘材料层；在基片上淀积第三绝缘材料层，并开孔，在开了孔的基片上淀积第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，使其暴露出部分第三绝缘材料层；在具有上下电极的基片上淀积第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法在第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN104659155A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094684.0
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1896
Abstract: 一种将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法，该方法包括：步骤1：清洗薄膜太阳电池器件和外加转移衬底；步骤2：在外加转移衬底上蒸镀一层金属；步骤3：在薄膜太阳电池器件上蒸镀背电极；步骤4：采用热压键合的方法将外加转移衬底和薄膜太阳电池器件键合在一起，使薄膜太阳电池器件上的背电极与外加转移衬底上的金属发生接触，形成基片；步骤5：将基片放入腐蚀液中，将薄膜太阳电池器件本身的衬底进行剥离，完成制备。本发明可以解决外延剥离技术中传统的粘结剂体积大、重量大、易碎、易分解的问题。
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公开(公告)号：CN104465748A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410708477.5
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化介质层覆盖在得到的基板的上表面且形成台面图形；钝化保护层覆盖在钝化介质层的上表面。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。
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公开(公告)号：CN104445051A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410720797.2
申请日：2014-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种在衬底上制备多级台阶的方法，包括：在衬底上生长掩膜层；旋涂第一层光刻胶，刻蚀在掩膜层上得到第一沟槽；在第一沟槽内的掩膜层上旋涂第二层光刻胶，刻蚀在掩膜层得到第二沟槽；依据所需的台阶级数重复上述光刻和刻蚀的步骤，在第二沟槽内的掩膜层上依次得到多个刻蚀沟槽，最后一个沟槽直接刻蚀到衬底的表面；去除最后一次刻蚀掩膜的残余光刻胶，以掩膜层上的多级台阶为掩膜，一次性将掩膜层上的图形转移到衬底上，采用湿法腐蚀的方法去除残余的掩膜层，完成衬底上的多级台阶制备。本发明是在同种衬底材料上制备多级台阶，避免了异质多级台阶中的粘附性问题和高台阶难以制备的问题，同时也大大降低了工艺流程的复杂性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103647016A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310681449.4
申请日：2013-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝缘材料层，并淀积一层第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，保留的第一金属材料层在核壳结构上的为上电极，在衬底上的为下电极；淀积一层第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法，使第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103258730A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310166137.X
申请日：2013-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种制备剖面为正梯形的台面的方法，包括如下步骤：S1、在一个刻蚀基片表面淀积一个硬掩膜层；S2、在所述硬掩膜层的表面涂布抗蚀剂；S3、在所述抗蚀剂表面形成刻蚀图形；S4、按照所述刻蚀图形对所述硬掩膜层进行刻蚀，以将所述刻蚀图形转移到所述硬掩膜层上，再将所述抗蚀剂去除；S5、通过ICP干法刻蚀技术刻蚀所述刻蚀基片，从而将硬掩膜层的图形转移到刻蚀基片上，其中，调整该ICP干法刻蚀的刻蚀条件得到侧壁与凹陷底部成钝角的凹陷；S6、去除硬掩膜层，从而形成剖面为正梯形的台面。本发明能够形成用于与金属电极连接的具有正梯形的剖面的半导体台面，以防止安装在台面上的金属电极的断裂。
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公开(公告)号：CN102050427B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910237086.9
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种纳流体测试器件的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层；在该侧墙材料层的该条边的金属上覆盖一条制作纳流通道的抗腐蚀绝缘材料层；最后去除侧墙材料层，同时剥离掉侧墙身上的金属层和抗腐蚀绝缘材料层，形成两侧埋有金属的通道；在通道两侧金属层上方开孔，引出两端电极即形成纳流体测试器件。
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公开(公告)号：CN102496562A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110389683.0
申请日：2011-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种将柔性薄膜材料粘附在玻璃基底上的方法，该方法包括：步骤1：清洗玻璃基底和柔性薄膜材料；步骤2：在该玻璃基底上滴加SU8光刻胶；步骤3：将该柔性薄膜材料的一侧接触该SU8光刻胶，并将该柔性薄膜材料从一侧到另外一侧赶平；步骤4：用一个平整面挤压该柔性薄膜材料，赶出多余的SU8光刻胶，并用丙酮擦除多余的SU8光刻胶；步骤5：用紫外光从玻璃基底背面曝光；步骤6：清洗并烘干。利用本发明，解决了在柔性薄膜材料表面进行微电子工艺加工的过程中，操作基底的平整度问题。
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公开(公告)号：CN102433529A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110440640.0
申请日：2011-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法，该方法包括：在GaAs衬底正反面各淀积一层SiO2进行保护；在GaAs衬底的正面再蒸镀一层金属铝膜；将蒸镀有金属铝膜的GaAs衬底在阳极氧化浴槽中进行阳极氧化；将氧化后的GaAs衬底在磷酸溶液中腐蚀扩孔；采用Ar离子轰击完全去除阻挡层，得到完全通孔的阳极氧化铝模板；将表面制备有阳极氧化铝模板的GaAs衬底进行电子束蒸发金属填孔；以及去除表面的阳极氧化铝膜，在GaAs衬底表面得到均匀的金属纳米颗粒。利用本发明，避免了采用已制备好的阳极氧化铝模板转移到半导体材料衬底过程中模板易碎、模板与衬底之间接触不好、以及引入污染等问题。
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