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公开(公告)号：CN103117333A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110364932.0
申请日：2011-11-16
Applicant: 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海宇豪光电技术有限公司 , 江苏奥蓝工程玻璃有限公司 , 中科德孵镀膜科技(南通)有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种提高器件良率的透明电极制作方法，包括以下步骤：①涂胶：在需要镀制透明电极的器件功能层上面涂一层光刻胶；②曝光和显影：在光刻胶上加上所需图形的光刻版进行曝光和显影；③镀膜：在前述带有光刻胶图案的器件上镀制所需的TCO薄膜；④去胶：将镀制好TCO薄膜的器件放入丙酮或其他溶解光刻胶的溶液中，洗掉光刻胶及光刻胶所保护区域上面镀制的TCO薄膜，得到所需图形的TCO薄膜。本发明先进行光刻后再镀膜，避免了腐蚀或刻蚀这一具有损伤性的步骤，从而消除了可能带来的损伤，大大地减少了腐蚀工艺给器件可能造成的破坏，既提高了产品的良品率又减小了工作量。
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公开(公告)号：CN102201487A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110063598.5
申请日：2011-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵聚光能力的方法，该方法是通过器件模拟和理论计算发现将光聚焦在距离锑化铟与硅界面处2.75倍的吸收长度位置上可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果将微透镜直接刻蚀在锑化铟红外焦平面探测器的背面衬底上，进而为优化锑化铟红外焦平面探测器背向集成微透镜列阵的聚光能力提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN102175727A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110008829.2
申请日：2011-01-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料器件中低背景载流子浓度的测定方法，包括步骤：测量待定区域表面的平带电压和光激发条件下的微分电容响应，待测定及邻近区域的数值建模，比较数值模型拟合和实际测量的待测定区域光激发条件下表面微分电容确定平衡载流子浓度。该方法适用于具有复杂结构的半导体材料或器件中背景载流子浓度低于1015cm-3特定功能区域的精确测定，并且能够对集成或阵列器件中单个微观区块实施检测。
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公开(公告)号：CN102136519A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010564411.5
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海中科高等研究院
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种量子阱长波红外探测器光栅波导微腔的光耦合单元。其结构特点是采用金属背反射层、介质层、金属光栅的夹层结构。这种光耦合结构有如下优点：一、采用金属的阵列结构提高了入射光的耦合效率。二、光场被局域在金属光栅层和金属背反射层之间的微小空间内传播，从而大大提高了量子阱层的电场强度。三、采用类似于微带天线结构使得垂直电场分量在纵向方向上具有很好的均匀性。四、金属结构不仅是光耦合单元，同时还充当上下电极。五、易于制备，适合做大面阵光敏元。
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公开(公告)号：CN101789446B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010107441.3
申请日：2010-02-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/205 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种双异质结MOS-HEMT器件，包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、InGaN嵌入层7、GaN沟道层6、AlN势垒层5以及其上形成的Al2O3栅介质层4、源极1和漏极3、Al2O3栅介质层4上形成的栅极2，其特征是：采用具有优良热导性和较大禁带宽度的AlN材料作为势垒层，降低了器件的自加热效应和栅极漏电流，降低了器件耗尽模式工作下的阈值电压；利用AlN材料强的极化性质，提高了沟道中的电子浓度，增大了饱和电流和器件的输出功率；使用原子层沉积工艺淀积的Al2O3材料作为栅介质层，大大地减少了栅极漏电流，提高了器件的击穿电压；利用InGaN材料的反向极化现象，提高了缓冲层的导带能量，降低了器件的电流坍塌效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101794839A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010107411.2
申请日：2010-02-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种优化锑化铟光伏型探测器件吸收层厚度的方法，该方法是通过器件模拟得出光照吸收区时不同吸收层厚度下的光谱响应曲线，通过与实验测量的光谱响应数据进行对比，得到最大光谱响应值对应的吸收层厚度即为最佳吸收层厚度，进而为优化锑化铟光伏型探测器件吸收层厚度提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN100580957C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710173511.3
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/88
Abstract: 本发明提供了一种半导体量子点亚稳态共振隧穿二极管结构及工作条件。该结构包括：衬底，在衬底上依次排列生长集电极、第二隧道势垒层、与发射极集电极间耦合的量子点、第一隧道势垒层和发射极。工作条件包括工作温度，工作偏压，量子点亚稳态的获得。它可以消除量子点邻近子能级对亚稳能态单电子隧穿的影响，达到提高二极管工作温度的目的。
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公开(公告)号：CN101551294A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910050313.7
申请日：2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法，该方法是通过测量不同光照强度下器件表面的电容微分信号，判断由光照引起的表面反型层即表面漏电通道的存在。结合测量数据，通过相应的数值模拟，得出测量区域具体漏电通道的大小。利用本方法可以直接、明确地得出器件具体的表面漏电特性，从而为器件漏电的抑制提供有针对性的参数。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN100498288C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610028489.9
申请日：2006-06-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种将InAs多量子点红外探测器和发光二极管串联集成在同一块芯片上的红外-近红外波长上转换探测器。所说的多量子点红外探测器是由交替生长10个周期的InAs/InyGa1-yAs/GaAs组成；所说的单量子阱发光二极管由GaAs势垒层和InzGa1-zAs有源势阱层组成。本发明的优点是能实现偏压下正入射辐射的长波热红外向容易被CCD相机成像的近红外光的转换，无需制作光栅，简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料的制备工艺成熟，材料的均匀性好。
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公开(公告)号：CN100461465C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610148069.4
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，该探测器与传统甚长波量子阱红外探测器的区别在于它是由低掺杂的电极层和高掺杂的量子阱层构成。在深低温器件工作温度下，量子阱层掺杂的适度提高不会使整个器件的暗电流明显变化，此时量子阱器件电极层的掺杂浓度的降低，使整个器件暗电流和噪声显著下降；高掺杂的量子阱层使整个器件的光吸收系数显著增强；相比传统的镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，本发明的甚长波量子阱红外探测器的探测率得到显著提升。
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