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公开(公告)号：CN104034584A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410243633.5
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明提出了一种薄膜材料杨氏模量的测试结构及方法，该测试结构由两组结构组成。所述第一组结构中的由待测薄膜材料制作的悬臂梁(103)由锚区(103-2)和长梁(103-1)连接而成，长梁(103-1)和多晶硅悬臂梁(101)垂直，长梁(103-1)的自由端位于多晶硅悬臂梁(101)的左边第一凸点(101-5)之下；将力的加载驱动部分和待测薄膜材料制作的杨氏模量测试结构分开，通过几何参数设计控制测试结构的弯曲挠度，通过两组测试结构的相同部分受力相同的原理提取出杨氏模量测试结构所受到的力，利用力和挠度计算得到待测薄膜材料的杨氏模量。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的计算方法极其简单，适应性广，可以用于测试导电或绝缘薄膜材料的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN104034449A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410243181.0
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/00
CPC classification number: G01L1/086 , G01L5/0047 , H01L22/14 , H01L22/34
Abstract: 本发明提出了一种薄膜材料残余应力的测试结构及方法，其结构由两组结构组成，第一组结构包括静电驱动的多晶硅悬臂梁(101)、由待测薄膜材料制作的带有对准结构的非对称十字梁(102)、由待测薄膜材料制作的双端固支梁(103)；第二组结构是第一组结构去除固支梁(103)后的剩余结构；将力的加载驱动部分和待测薄膜材料制作的残余应力测试结构分开，通过几何参数设计控制测试结构的弯曲挠度，通过两组测试结构的相同部分受力相同的原理提取出残余应力测试结构所受到的力，利用力和挠度计算得到待测薄膜材料的残余应力。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的计算方法极其简单，适应性广，可以用于测试导电或绝缘薄膜材料的残余应力。
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公开(公告)号：CN103438837A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310399032.9
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种用于测量微机电结构偏转角的双向指针结构。微机电双向偏转指针由四个部分组成：一维双向移动测量游标尺；偏转指针；双向移动电热执行器；连接一维双向移动测量游标尺和双向移动电热执行器的水平直梁，以及连接偏转指针与双向移动电热执行器的水平直梁。该双向指针结构可以测量顺时针偏转角和逆时针偏转角，通过该双向偏转指针既可以测量微机电器件受驱动所产生的偏转角，也可以测量结构释放时因残余应力而产生的偏转角。
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公开(公告)号：CN102608153B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201210005598.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本发明的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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公开(公告)号：CN103064261A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210538668.2
申请日：2012-12-13
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G06F17/5009 , G03F7/20 , G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶刻蚀过程中表面演化模拟的哈希快速推进方法，包括：衬底网格化和确定刻蚀速度矩阵，网格点时间值初始化，构建哈希表和最小堆，向前推进并更新，重复上述步骤直到最小根节点的时间值不小于预设的光刻胶刻蚀（光刻胶显影）时间。本发明根据快速推进模拟方法只计算窄带网格点的特性，引入哈希表并设计了一种专门的数据结构来保存窄带网格点的数据信息；并根据刻蚀表面推进的单向性，复用刻蚀速度数组来保存已经经过的网格点的时间值，同时利用复用值的符号来区分不同网格点的状态；同时建立一个回收哈希表节点的队列，用于快速推进模拟方法申请空间时直接从队列中提取，避免系统频繁申请释放空间的过程，节省了模拟所需时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102897704A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210394906.7
申请日：2012-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明公开了一种静电力调变齿间隙的微机电梳齿机构，包括静电驱动齿、由左移定齿和右移定齿组成的定齿、动齿、第一锚区和绝缘衬底，第一锚区固定连接在绝缘衬底上；左移定齿包括第一宽梁、左移梳齿、四个沿横向弯折的第一折叠梁；右移定齿包括第二宽梁、右移梳齿、四个沿横向弯折的第二折叠梁；静电驱动齿包括梳齿和第三锚区，右移梳齿、梳齿和左移梳齿依次交替布置；动齿包括质量块、动齿梳齿、第二锚区和沿纵向弯曲的第三折叠梁，且右移梳齿、动齿梳齿和左移梳齿依次交替布置，第一宽梁上设有左移止挡块，第二宽梁上设有右移止挡块。该微机电梳齿机构在静电力的驱动下，调变齿间隙，使得微机电振动所产生的信号强。
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公开(公告)号：CN102608153A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210005598.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本发明的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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公开(公告)号：CN102590282A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210007367.7
申请日：2012-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅断裂强度的在线测试结构及其测试方法，对测试结构进行简单的电流激励并测量相关电阻，将测量得到的相关电阻值代入计算公式，利用多个计算方程消去热膨胀系数，最终得到多晶硅的断裂强度。本发明的测试方法简单，测试设备要求低，测试结构的加工过程与微机电器件MEMS同步，没有特殊加工要求，符合在线测试的要求，计算方法仅限于简单数学方程，测试与计算过程稳定，输出结果可靠。
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公开(公告)号：CN101980026A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010501597.X
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 本发明提出的圆形硅膜二维风速风向传感器采用圆形的半导体硅薄膜作为传感面，采用圆形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上设置二氧化硅绝缘层(103)，在二氧化硅绝缘层(103)之上设置半导体硅薄膜(104)，金属电极(105)沿着圆形的半导体硅薄膜(104)边界一周均匀分布；利用热分布变化引起半导体薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。
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