公开(公告)号：CN110289360B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201910207073.0

申请日：2019-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁大荣 ,  韩文奎 ,  O.曹 ,  金泰亨 ,  朴秀珍 ,  徐弘圭 ,  张银珠

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/13 ,  H10K71/00

Abstract: 公开了电致发光器件、包括其的显示设备、及其形成方法，所述电致发光器件包括第一电极、设置在所述第一电极上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上并且包括其上附着具有空穴传输性质的第一配体的第一发光颗粒的第一发射层、设置在所述第一发射层上并且包括其上附着具有电子传输性质的第二配体的第二发光颗粒的第二发射层、设置在所述第二发射层上的电子传输层、和设置在所述电子传输层上的第二电极，其中所述第一配体和所述第二配体具有不同的溶剂选择性。

公开(公告)号：CN111826161B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202010310970.7

申请日：2020-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金智荣 ,  权秀暻 ,  金善英 ,  金龙郁 ,  张银珠

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C08K9/10 ,  C08K3/30 ,  C08L101/08 ,  H10K50/115

Abstract: 一种核‑壳量子点、量子点、量子点聚合物复合物、显示装置和量子点制造方法，该核‑壳量子点包括锌、包含第一半导体纳米晶体材料的核、以及设置在核上的半导体纳米晶体壳，其中该核‑壳量子点不包括镉，并且包括锌、碲、硒和铝。

公开(公告)号：CN110240896B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201910180450.6

申请日：2019-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元裕镐 ,  金星祐 ,  J.A.金 ,  李晶姬 ,  金泰亨 ,  张银珠

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明涉及量子点以及包括其的电致发光器件和电子器件。量子点包括：包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯；以及设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫，其中所述量子点不包括镉，并且在所述量子点中，硫相对于硒的摩尔比小于或等于约2.4:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括其的电子器件。

公开(公告)号：CN108219769B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201711337199.7

申请日：2017-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元裕镐 ,  闵智玄 ,  张银珠 ,  章效淑

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/70 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 公开发射性纳米晶体颗粒、其制备方法和包括发射性纳米晶体颗粒的器件。所述发射性纳米晶体颗粒包括：包括包含III‑V族化合物的第一半导体纳米晶体的芯和包围所述芯的包含第二半导体纳米晶体的壳，其中所述发射性纳米晶体颗粒包括非发射性I族元素。

公开(公告)号：CN108865109B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201810447024.X

申请日：2018-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶姬 ,  张银珠 ,  康玄雅 ,  金泰亨

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  H10K50/115 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的电子器件，所述半导体纳米晶体颗粒包括锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)。在所述半导体纳米晶体颗粒中，碲的量小于硒的量，所述颗粒包括：包括包含锌、碲、和硒的第一半导体材料的芯，和设置在所述芯的至少一部分上并且包括具有与所述第一半导体材料不同的组成的第二半导体材料的壳，和所述半导体纳米晶体颗粒发射包括在小于或等于约470纳米的波长处的最大发射峰的蓝色光。

公开(公告)号：CN109652076B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201811189402.5

申请日：2018-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金龙郁 ,  张银珠 ,  金泰坤 ,  朴相铉 ,  章效淑 ,  郑煐树

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  H10K50/115 ,  G03F7/027 ,  G03F7/004

Abstract: 公开了组合物、量子点聚合物复合物、以及包括其的层状结构和电子装置。所述组合物包括：多个量子点；多个发光碳纳米颗粒；包含羧酸基团的粘结剂；包括碳‑碳双键的能聚合的单体；和引发剂，其中所述多个量子点包括II‑VI族化合物、III‑V族化合物、IV‑VI族化合物、或其组合，所述多个发光碳纳米颗粒具有小于或等于约10nm的尺寸，并且在其拉曼光谱中呈现出D带和G带两者，和所述多个发光碳纳米颗粒的至少一部分吸收具有大于或等于约400nm的波长的光且其最大发光峰波长大于或等于约480nm。

公开(公告)号：CN115692459A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210891855.2

申请日：2022-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金龙郁 ,  张银珠 ,  权秀暻 ,  金善英 ,  金智荣 ,  黄成宇

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供了一种显示面板和包括该显示面板的电子设备。该显示面板包括：包括发光单元的发光面板；和颜色转换面板。颜色转换面板包括：颜色转换层，包括包含半导体纳米颗粒的颜色转换区；以及限定颜色转换区的分隔壁。光学扩散器在发光单元与颜色转换区之间以覆盖发光单元的光提取表面。发光单元的光提取表面的长度大于或等于约500nm且小于或等于约100μm，光学扩散器的长度与发光单元的光提取表面的长度之比大于或等于约1.4：1且小于或等于约60：1。

公开(公告)号：CN114824107A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111366948.5

申请日：2021-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： O.曹 ,  金泰亨 ,  李日荣 ,  张银珠 ,  尹园植

IPC: H01L51/50 ,  H01L27/32

Abstract: 一种发光元件，其包括第一电极、第二电极和光发射层，所述光发射层介于所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述光发射层的发射效率基于施加到选自所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的电压而变化。

公开(公告)号：CN107022354B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201610963463.7

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵智玄 ,  张银珠 ,  金龙郁 ,  高劳姆·朴

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物，其中，A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属，B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属，X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF4‑、或其组合，和α大于0且小于或等于约3；和其中所述量子点具有约1纳米‑约50纳米的尺寸。化学式1ABX3+α。

公开(公告)号：CN113258012A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110183999.8

申请日：2021-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹园植 ,  韩文奎 ,  金光熙 ,  李熙在 ,  张银珠 ,  金泰亨 ,  章效淑

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 公开了量子点器件、其制造方法和电子设备，所述量子点器件包括第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、设置在所述量子点层和所述第二电极之间并且包括第一无机纳米颗粒和第一有机材料的电子传输层、以及设置在所述电子传输层和所述第二电极之间并且包括第二无机纳米颗粒和第二有机材料的电子注入层，其中所述电子注入层中的所述第二有机材料的量对所述第二无机纳米颗粒和所述第二有机材料的总量的按重量计的比率小于所述电子传输层中的所述第一有机材料的量对所述第一无机纳米颗粒和所述第一有机材料的总量的按重量计的比率。