公开(公告)号：CN115188854A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210777449.3

申请日：2022-07-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖帆 ,  韩勤 ,  叶焓 ,  王帅 ,  肖峰 ,  褚艺渺

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供了一种光电探测器，包括：衬底、N型接触层、收集层、悬崖层、吸收层、电子阻挡层、P型接触层、钝化层、第一通孔、第二通孔、p型电极、n型电极和微透镜，钝化层生长于衬底的上表面、N型接触层的上表面和侧面、收集层和悬崖层的侧面、吸收层的上表面和侧面、电子阻挡层的侧面以及P型接触层的上表面和侧面；第一通孔开设于生长于N型接触层的上表面上的钝化层上；第二通孔开设于生长于P型接触层的上表面上的钝化层上；p型电极生长于第一通孔内且与P型接触层的上表面相接触；n型电极生长于第二通孔内且与N型接触层的上表面相接触；微透镜设置于衬底的下表面。本公开还提供了一种光电探测器的制备方法。

公开(公告)号：CN115148842A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210729723.X

申请日：2022-06-24

Applicant: 中国科学院物理研究所

Inventor： 葛琛 ,  张仔叶 ,  李格 ,  金奎娟

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种三端晶体管器件，所述三端晶体管器件包括自下而上依次设置的：位于沟道层下方的衬底；生长于衬底上的沟道层；完全覆盖沟道层的电极层；和离子液体层；还提供了其制备方法及紫外辐照计。本发明的三端晶体管器件由于其紫外光诱导的非易失性相变，能够感知、记忆紫外光激励。得益于与紫外光计量线性相关的相位转换比，该器件具有线性写入和良好的保持性能，并与输入的紫外光强度呈线性相关使得其在紫外光辐照计的应用方面具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN111987174B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202010906493.0

申请日：2020-09-01

Applicant: 深圳万物传感科技有限公司

Inventor： 康建龙 ,  张家宜

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种基于锗纳米片的工作电极，包括基底和设置于所述基底表面的锗纳米片层，所述锗纳米片层中的锗纳米片的横向尺寸范围为50～500nm，所述锗纳米片层中的锗纳米片的厚度小于等于20nm。本发明基于锗纳米片的工作电极属于首次探索利用锗纳米片的光电响应特征制备的工作电极，丰富了现有工作电极的种类。锗纳米片具有极高的环境稳定性，采用锗纳米片制得的工作电极也同样具有良好的环境稳定性，并且锗纳米片还具有较宽的光响应波长，对紫外、可见以及红外范围内的混合或单一光均具有良好的光电响应。本发明还提供了基于锗纳米片的制备方法和生物光电探测器。

公开(公告)号：CN114930116A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008248.0

申请日：2021-01-08

Applicant: 索尼互动娱乐股份有限公司

Inventor： S.巴什基罗夫

IPC: G01B11/00 ,  G01S5/16 ,  H01L31/101 ,  H04N5/33 ,  G01S17/66

Abstract: 一种事件驱动型传感器(EDS)(202、300、302、400、500、600)用于同时定位与地图构建(SLAM)，并且确切来说用于与发光二极管(LED)的集群(208、306、402、502、602)结合使用以在空间中同时定位所有的LED并跟踪EDS姿势。所述EDS可以是静止的(500)或可移动(400、600)并且可跟踪作为刚性体的可移动LED集群。使用最少的计算资源(不进行图像处理)以高速率将每一个别LED区分开。因此，替代相机和图像处理，将所述EDS检测到的迅速地脉冲式LED用于特征点，以使得EDS事件一次仅与一个LED相关。

公开(公告)号：CN113130693B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911407331.6

申请日：2019-12-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  罗明成 ,  闫锋 ,  石东海

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种金属化多晶硅红外微测辐射热计及其制备方法。该微测辐射热计包括硅衬底、吸收体和反射层，其中，吸收体位于硅衬底上方，吸收体是由二氧化硅/金属化多晶硅/二氧化硅/氮化硅构成的堆叠结构；吸收体的上方设有反射层，反射层与吸收体之间具有空腔。本发明增强吸收的金属化多晶硅红外微测辐射热计可以由标准的集成电路工艺技术制备获得，能够实现功能的高度集成化，功耗低，且具有成本优势。

公开(公告)号：CN114914325A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210842126.8

申请日：2022-07-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张军琴 ,  徐林可 ,  梁琪光 ,  杨银堂

IPC: H01L31/111 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种多结的近红外单光子雪崩二极管及制备方法，该二极管包括第一P+区、第一N阱、高压P阱、P型外延层、N+区、第二N阱、高压N阱、第一N埋层、第二N埋层、第一沟槽隔离区、第二沟槽隔离区、第二P+区、P型衬底、阳极、阴极和接地电极。该二极管包含三个PN结：第一P+区和第一N阱之间形成PN结以用作雪崩区，第一N埋层和高压P阱之间形成PN结以用作雪崩区和漂移区，P型外延层和第二N埋层之间形成PN结以用作漂移区；两个雪崩区用于倍增光生载流子，两个漂移区用于输运其内的光生载流子至雪崩区；雪崩区和漂移区的互动作用，使二极管在可见光和近红外波段的探测效率都有明显提升。

公开(公告)号：CN114695582A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210616456.5

申请日：2022-06-01

Applicant: 陕西半导体先导技术中心有限公司

Inventor： 汤晓燕 ,  杜丰羽 ,  宋庆文 ,  张玉明 ,  袁昊 ,  田鸿昌

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种双峰值异质结紫外探测器及制备方法，探测器包括镜面反射层、4H‑SiC衬底层、4H‑SiC外延层、β‑Ga2O3外延功能层、第一界面缓冲层、第二界面缓冲层和透明电极，镜面反射层、4H‑SiC衬底层和4H‑SiC外延层依次层叠；β‑Ga2O3外延功能层位于4H‑SiC外延层的部分表面上；第二界面缓冲层位于4H‑SiC外延层的另一部分表面上，且其侧面与β‑Ga2O3外延功能层的侧面相接触；第一界面缓冲层位于β‑Ga2O3外延功能层上；透明电极位于第一界面缓冲层和第二界面缓冲层上，且位于第二界面缓冲层上的透明电极的侧面与β‑Ga2O3外延功能层的侧面相接触。该紫外探测器通过设置4H‑SiC外延层和β‑Ga2O3外延功能层，拓宽了探测器的响应范围，提升了探测器在日盲波段的响应度。

公开(公告)号：CN114335203B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210251976.0

申请日：2022-03-15

Applicant: 杭州海康微影传感科技有限公司

Inventor： 蒋康力 ,  刘建华 ,  丁金玲

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/02 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146 ,  G01J5/10

Abstract: 本发明涉及一种像元结构、红外探测器以及制备方法。其中，像元结构包括基底、转化元件和增强元件，所述转化元件位于所述基底上，并用于将光信号转化为电信号；增强元件位于所述转化元件的远离所述基底的一侧；增强元件包括用于吸收光信号的伞面结构，所述伞面结构设置于所述转化元件的上方，并且，沿所述像元结构的厚度方向，所述伞面结构和所述增强元件间隔设置；所述伞面结构包括用于增强光信号吸收的第一主金属层，并且，所述第一主金属层的电位恒定。根据本发明的实施例，为第一金属层提供恒定的电位，可消除红外探测器在工作或者运输过程中因第一金属层悬空而引入的静电，提高红外探测器的可靠性。

公开(公告)号：CN113410124B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011156074.6

申请日：2020-10-26

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 孔金丞 ,  宋林伟 ,  吴军 ,  李东升 ,  黄元晋 ,  王文金 ,  王志斌 ,  陈姗 ,  黄蓓 ,  陶丽明 ,  姬荣斌

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明提供了一种金掺杂碲镉汞外延材料电学性能稳定性控制方法。本发明针对金掺杂液相外延碲镉汞材料热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体中扩散导致金掺杂碲镉汞外延材料电学参数不受控的问题，其方法包括：在金掺杂碲镉汞材料液相外延生长前，对碲锌镉衬底进行镉饱和退火，消除碲锌镉衬底中的镉空位，控制碲镉汞热处理时金掺杂原子向碲锌镉衬底中的扩散富集。本方法达到了消除碲锌镉晶体中的镉空位的效果，从而控制金掺杂碲镉汞薄膜热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体的扩散，提高了液相外延金掺杂碲镉汞薄膜电学性能稳定性及重复性控制。

公开(公告)号：CN114464632A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210125761.4

申请日：2022-02-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 崔素宁 ,  牛智川 ,  蒋洞微 ,  王国伟 ,  徐应强 ,  吴东海 ,  郝宏玥 ,  陈伟强 ,  蒋俊锴

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种近‑远红外宽光谱超晶格探测器，包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；在缓冲层上依次叠层设置的甚长波红外探测器、中波红外探测器和短波红外探测器；甚长波红外探测器与中波红外探测器之间依次设置有P+隧道结、N+隧道结，使甚长波红外探测器与中波红外探测器同时响应；中波红外探测器与短波红外探测器之间设置有载流子势垒阻挡层。本发明提供的探测器可以同时完成短红外波段、中红外波段、甚长波红外波段的探测，满足1μm～16μm宽光谱红外探测的要求。本发明提供的探测器通过设置甚长波通道空穴势垒层和载流子势垒阻挡层，可以降低探测器器件的暗电流，提高探测率。