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公开(公告)号：CN113488363B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110762271.0
申请日：2021-07-06
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种TE11模式输出的相对论磁控管，属于微波技术领域。本发明在八腔相对论磁控管的基础上，将相邻的谐振腔中的微波经由各自的耦合槽缝将能量径向耦合至四个第一扇形波导腔中，激励起TE11模；然后以扇形波导腔的侧壁作为插片式模式变换器的模变插片，最终直接输出圆波导TE11模式。本发明的一体化结构使得高功率微波系统更加紧凑。
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公开(公告)号：CN111613501B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010275810.3
申请日：2020-04-09
申请人： 广东格兰仕集团有限公司 , 广东格兰仕微波生活电器制造有限公司
摘要： 一种阳极组件频率调整设备的调整方法，调整设备包括检测、传输阳极组件频率数值的波导装置，以及用于调整阳极组件内大均压环空间位移的调整装置，波导装置一侧设有用于采集、储存、分析对比每次检测阳极组件频率数值，以及采集、储存、分析对比每次调整阳极组件内大均压环空间位移数据的控制装置，波导装置、调整装置分别和控制装置形成通讯式的电连接，调整装置设有相配合连接的调节组件和升降滑块，阳极组件的频率数值通过波导装置传输到控制装置，控制装置进行采集、储存并分析对比数据，进而控制调整装置的调节组件，调节组件进行上挑或下压阳极组件内大均压环，实现自动化调整阳极组件的频率。本发明有效提高阳极组件频率的调整效率。
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公开(公告)号：CN111341630B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010263814.X
申请日：2020-04-07
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种光阴极激发的电磁波发生器，在现有技术基础上，增加二次电子倍增片，二次电子倍增片沿厚度方向(电子传输方向)有多个微米直径微通道，微通道内壁涂敷有二次电子倍增膜，电子会在微通道内壁发生多次碰撞，每次碰撞会产生数个二次电子。所述二次电子倍增片垂直插入到光阴极与慢波结构或谐振腔之间，光阴极发射的电子束进入到二次电子倍增片的微通道中，实现电子数量倍增，倍增的电子束通过慢波结构或谐振腔，产生电磁波输出。本发明中光阴极结合二次电子倍增片只是作为阴极，类似常规真空电子器件的热阴极，持续发射电子，其中通过二次电子倍增实现了电子束电流倍增，即能量倍增，在输出更高太赫兹频率电磁波的同时，提高输出电磁波信号的功率。
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公开(公告)号：CN112233954A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010902195.4
申请日：2020-09-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十二研究所
IPC分类号： H01J23/087 , H01J23/02 , H01J25/34
摘要： 本申请实施例公开一种磁钢片、磁聚焦系统及包括其的行波管，包括具有第一中心通孔的第一本体，以及形成在第一本体上且贯穿磁钢片的上下侧表面的U型槽口；U型槽口由第一中心通孔的孔心沿第一中心通孔的径向方向延伸贯穿第一本体的外侧壁表面形成；还包括与U型槽口同中心线设置的，且开口方向背离U型槽口的开口方向的第一补偿槽口，第一补偿槽口贯穿磁钢片的上下侧表面；第一补偿槽口的长度小于磁钢片第一本体的半径长度。该磁钢片加工简单，便于安装，减小磁钢片的不对称性，缩短磁感线的偏心距离并提高电子注的通过率。
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公开(公告)号：CN111613501A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010275810.3
申请日：2020-04-09
申请人： 广东格兰仕集团有限公司 , 广东格兰仕微波生活电器制造有限公司
摘要： 一种阳极组件频率调整设备的调整方法，调整设备包括检测、传输阳极组件频率数值的波导装置，以及用于调整阳极组件内大均压环空间位移的调整装置，波导装置一侧设有用于采集、储存、分析对比每次检测阳极组件频率数值，以及采集、储存、分析对比每次调整阳极组件内大均压环空间位移数据的控制装置，波导装置、调整装置分别和控制装置形成通讯式的电连接，调整装置设有相配合连接的调节组件和升降滑块，阳极组件的频率数值通过波导装置传输到控制装置，控制装置进行采集、储存并分析对比数据，进而控制调整装置的调节组件，调节组件进行上挑或下压阳极组件内大均压环，实现自动化调整阳极组件的频率。本发明有效提高阳极组件频率的调整效率。
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公开(公告)号：CN111383875A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010264063.3
申请日：2020-04-07
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器，在现有技术的基础上，在慢波结构或谐振腔内壁涂覆或溅射二次电子倍增膜，其二次电子发射系数δ一般远大于3，同时，电磁波发生器无聚焦磁场系统。这样电子由阴极发射出来后，受到电磁波的作用产生速度和密度调制，由于无聚焦磁场，所以密度不同的电子束会发生散射，当散射的电子打到内壁上时，由于内壁二次电子倍增，所以即可产生更多的电子，增大电子束电流。由于密度大的位置产生更多，密度小的位置产生更少二次电子，所以电子束电流增幅变大，即电磁波增幅也变大，在输出端口能够获得更高功率的电磁波。
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公开(公告)号：CN111341631A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010264054.4
申请日：2020-04-07
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种利用二次电子倍增的电磁波发生器将慢波结构或谐振腔分成两段或三段，在前后两段之间垂直插入二次电子倍增片。二次电子倍增片沿厚度方向有多个微米直径微通道，微通道内壁涂敷有二次电子倍增膜，微通道的高度或者直径远小于二次电子倍增片厚度，即微通道长度，电子会在微通道内壁发生多次碰撞，每次碰撞会产生数十个二次电子，二次电子倍增实现电子束电流倍增，即能量倍增，但是并不影响电子束已经产生的密度调制，故而能够获得更高功率，更高增益的电磁波输出。与此同时，不需要外加聚焦磁场，虽然分散后只有少量的电子能够打到二次电子倍增片上，但是由于二次电子倍增片的增益高达数万倍，所以已经足够能将电子束电流放大。
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公开(公告)号：CN111223732A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010038924.6
申请日：2020-01-14
申请人： 四川大学
摘要： 本申请实施例涉及一种基于磁控管负载特性的侧馈多端口频率调节装置和组件，旨在解决组件体积过大和磁控管的输出信号频率难以调节的问题。所述频率调节装置包括：圆柱形腔体、频率调节探头以及多个输出探头，所述圆柱形腔体的第一端面上开设有天线插口；所述多个输出探头插接于所述圆柱形腔体的侧壁上，每个输出探头的一端位于所述圆柱形腔体之内，每个输出探头的另一端位于所述圆柱形腔体之外；所述频率调节探头插接于所述圆柱形腔体的第二端面上，所述第二端面与所述第一端面相对，所述频率调节探头的一端位于所述圆柱形腔体之外，所述频率调节探头的另一端位于所述圆柱形腔体之内，所述频率调节探头伸入至所述圆柱形腔体的长度可调节。
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公开(公告)号：CN109473326A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811310965.5
申请日：2018-11-05
申请人： 中国科学院深圳先进技术研究院
摘要： 本发明提供了一种场发射电子源及其用途与真空电子器件及装置，涉及场发射技术领域，该场发射电子源，包括绝缘且间隔设置的：阴极，增益极，与所述阴极相对设置，包括金属电极层以及形成于所述金属电极层上的增益层；栅极，设置于所述阴极和增益极之间；其中，所述金属电极层位于所述栅极与所述增益层之间，所述增益层为半导体材料，所述半导体材料的二次电子发射系数≥3。该场发射电子源缓解了现有电子源电流小，利用增加栅极电压方法易造成电子源不稳定的技术问题，达到提高场发射电子源电流密度和稳定性的技术效果。
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