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公开(公告)号：CN115954249A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211627382.1
申请日：2022-12-16
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提出了一种基于超辐射机制的同轴型相对论返波管，属于高功率微波技术领域。包括若干个轴向依次连接的高频系统；高频系统包括阳极壳体、环形阴极、管头、布拉格反射腔、漂移段、同轴型非均匀慢波结构、收集级、圆波导输出结构；通过在内导体与圆波导输出结构之间设置耦合间隙，使得微波从耦合间隙耦合到圆波导输出结构输出，同时通过控制圆波导输出结构的半径，能够使输出模式只有TM01模式；此外，本发明还在内导体上加载了波纹结构，有效提高了束波互作用效率，利用较短互作用区域电子注就可以与高频场实现充分互作用。
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公开(公告)号：CN1099915A
公开(公告)日：1995-03-08
申请号：CN93111954.5
申请日：1993-08-31
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H02M3/28
CPC分类号： Y02B70/1491
摘要： 本发明提出了一种恒频零电压边沿谐振开关(CF-ZVERS)变换器，由输入直流电源、传能电感、续流二极管、CF-ZVERS、输出滤波器及负载组成。其中CF-ZVERS是由主开关和辅开关复合组成的三端网络，用该开关替代经典开关功率变换器中的功率开关即可组成升压式、降压式、升降压式、单端反激式、单端正激式和CuK式CF-ZVERS变换器。本发明采用恒频PWM控制方式，其主、辅开关均为零电压开关。
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公开(公告)号：CN116646227A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310298531.2
申请日：2023-03-24
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提出了一种耦合输出的低磁同轴超辐射相对论返波管，属于高功率微波技术领域。包括若干个轴向依次连接的高频系统；高频系统包括阳极壳体、环形阴极、管头、漂移段、同轴型非均匀慢波结构、收集极、耦合输出结构；通过耦合输出结构，可以使微波从耦合间隙耦合至圆波导输出腔输出，耦合输出结构中的反射结构可以避免微波进入二极管区域，对电子束的产生及传输造成影响。此外，通过控制圆波导输出腔的半径，可以使得输出模式比较纯净；本发明在外加较低引导磁场强度的情况下，使用耦合输出的方式，可以减小传输损耗，实现高功率、高转换效率的微波输出，有利于高功率微波系统的小型化以及多管的空间功率合成。
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公开(公告)号：CN111933501A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010709474.9
申请日：2020-07-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种虚阴极倒置相对论磁控管，属于微波技术领域。该磁控管包括阴极、阳极、反射腔、射频激励结构、圆波导输出结构、外壳过渡段。本发明通过交换阳极与阴极的位置，在阴极端部与阳极叶片之间设置了用于产生电子的扇形阴极单元。本发明的扇形阴极单元有效地解决了由于互作用区中爆炸式发射产生的等离子体所带来的脉冲缩短、频率漂移、效率降低等问题，同时还可以实现有利电子的预群聚，从而提高能量转换效率和激励模式的纯净度，显著提高了器件的整体效率。
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公开(公告)号：CN110686574A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910857702.4
申请日：2019-09-09
申请人： 电子科技大学
摘要： 微波点火试验装置，涉及微波技术。本发明包括顺次连接的磁控管、环形器、横截面为矩形的微波谐振腔；所述微波谐振腔的腔体内设置有两对内导体，其中，第一对内导体包括两个尺寸相同、顶面相对且共轴设置的圆台导体，圆台导体的底面固定设置于微波谐振腔相对的两个内壁；第二对内导体包括两个尺寸相同、顶面相对且共轴设置的圆台导体，圆台导体的底面固定设置于微波谐振腔相对的两个内壁，第二对内导体中的一个圆台内导体的顶面开设有凹槽；第一对内导体中的圆台导体底面半径大于第二对内导体中的圆台导体底面半径。本发明结构简单，易于实现，可重复进行试验，且不需要真空设备。
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公开(公告)号：CN118888411A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410799812.0
申请日：2024-06-20
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于环杆提取结构的紧凑型相对论磁控管，属于微波技术领域。该磁控管采用轴向输出方式，通过在扇形阳极叶片的端面设置导体棒，并在导体棒的另一端连接金属圆环，金属圆环和导体棒共同作用，将谐振腔的内的电磁波的模式转换为圆波导TM01模式或TE11模式输出。本发明提出的一种基于环杆提取结构的紧凑型相对论磁控管，既实现了系统的小型化与紧凑化，同时还具有较高的工作效率，在紧凑型应用装置中有着巨大的潜力。
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公开(公告)号：CN113488363A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110762271.0
申请日：2021-07-06
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种TE11模式输出的相对论磁控管，属于微波技术领域。本发明在八腔相对论磁控管的基础上，将相邻的谐振腔中的微波经由各自的耦合槽缝将能量径向耦合至四个第一扇形波导腔中，激励起TE11模；然后以扇形波导腔的侧壁作为插片式模式变换器的模变插片，最终直接输出圆波导TE11模式。本发明的一体化结构使得高功率微波系统更加紧凑。
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公开(公告)号：CN111933501B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010709474.9
申请日：2020-07-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种虚阴极倒置相对论磁控管，属于微波技术领域。该磁控管包括阴极、阳极、反射腔、射频激励结构、圆波导输出结构、外壳过渡段。本发明通过交换阳极与阴极的位置，在阴极端部与阳极叶片之间设置了用于产生电子的扇形阴极单元。本发明的扇形阴极单元有效地解决了由于互作用区中爆炸式发射产生的等离子体所带来的脉冲缩短、频率漂移、效率降低等问题，同时还可以实现有利电子的预群聚，从而提高能量转换效率和激励模式的纯净度，显著提高了器件的整体效率。
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公开(公告)号：CN117790263A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410078918.1
申请日：2024-01-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种前端提取同轴输出的超辐射振荡器，属于高功率微波技术领域的微波源器件。该器件中的高频系统包括阳极壳体、环形阴极、管头、漂移段、同轴型非均匀慢波结构、收集极、前端提取输出结构；其中前端提取输出结构包括反射结构、同轴波导输出腔、支撑组件。本发明采用同轴波导输出腔结构降低了外加引导磁场，通过前端提取输出结构减小了微波传输过程中的功率损耗，能大幅提高器件的输出功率和功率转换系数。本发明能够在低引导磁场条件下工作，具有高输出功率功率，高转换系数的特点，对于高功率微波系统以及基于SR‑RBWO的空间功率合成系统的小型化和实用性具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113488363B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110762271.0
申请日：2021-07-06
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种TE11模式输出的相对论磁控管，属于微波技术领域。本发明在八腔相对论磁控管的基础上，将相邻的谐振腔中的微波经由各自的耦合槽缝将能量径向耦合至四个第一扇形波导腔中，激励起TE11模；然后以扇形波导腔的侧壁作为插片式模式变换器的模变插片，最终直接输出圆波导TE11模式。本发明的一体化结构使得高功率微波系统更加紧凑。
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