一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法

    公开(公告)号:CN113314668B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202110544500.1

    申请日:2021-05-19

    Abstract: 本发明公开了一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法,具体为:在室温环境下通过将等摩尔比的硫酸铜溶液和硫代硫酸钠溶液按照1:2.6‑3.0体积比例混合,得到一个亮绿色的混合溶液,然后把混合溶液倒入放有下电极基底片的容器中;将混合溶液在室温下静止放置数天,然后从混合溶液中取出放入的下电极基底片,即在下电极基底片上沉积出硫化铜薄膜;将下电极基底片取出、烘干;将银胶滴涂于烘干好的硫化铜薄膜表面作为上电极,最终形成一个具有三明治结构的忆阻器件。本发明制备过程简单可行、成本低,制成的器件结构简单、性能优异、具有明显的忆阻耦合电容效应,为开发新型多功能电子器件奠定了良好基础。

    基于阈值电压型忆阻器阵列的并行转存模数转换器及方法

    公开(公告)号:CN113541691A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110932522.5

    申请日:2021-08-13

    Abstract: 本发明提出了一种基于阈值电压型忆阻器阵列的并行转存模数转换器及系统,涉及半导体集成电路技术领域。其中,该模数转换器包括信号放大器选择开关电路、存储电路、读电路、外接电阻阵列电路和复位电路。信号放大器选择开关电路的输入端接模拟信号电压;信号放大器选择开关电路的输出端与阈值电压型忆阻器阵列存储电路相连;外接电阻阵列电路与存储电路相连;存储电路与读电路相连;复位电路与存储电路相连。该基于阈值电压型忆阻器阵列的并行转存模数转换器具有高速度、低功耗、可选精度、易集成、占用芯片面积小的优点。该模数转换方法具有上述模数转换器的所有有益效果。

    一种低温耐辐照高导热超导绝缘材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111286156B

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202010111258.4

    申请日:2020-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种低温耐辐照高导热超导绝缘材料,包括如下重量份的原料:双酚A型环氧树脂30~64份、脂环族环氧树脂8~14份、液态芳香二胺固化剂7~13份、柔性胺D‑230固化剂2~3份、氰酸脂树脂3~13份、改性AlN纳米粒子9~19份。通过加入适量的AlN纳米粒子,使得复合材料的内应力降低,提高系统的抗裂性,进而提高拉伸强度;通过在环氧树脂复合材料中加入氰酸酯,可以显著提高氰酸酯/环氧树脂体系的抗核辐射能力。

    一种磁控溅射制备ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料的方法

    公开(公告)号:CN109837516B

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201910170533.7

    申请日:2019-03-07

    Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射制备ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料的方法,在密闭环境中,分别以Fe和ZnO作为靶材,将密闭环境抽真空处理,在密闭环境气压降至2×10‑4Pa时,向密闭环境中通入氩气作为溅射气体;控制密闭环境的气压为0.15Pa~0.2Pa,Fe靶材通过直流溅射源进行溅射,ZnO靶材通过射频溅射源进行溅射,对Fe靶材和ZnO靶材同时进行磁控溅射,溅射完成后,取出产物并放置在马沸炉中高温退火处理,得到ZnFe2O4/Fe2O3三维异质结纳米材料。本发明制备得到的材料具有异质结的三维复合纳米结构,有效的提升了反应表面积和复合材料的光电催化性能,能广泛应用于光催化氧化还原领域。

    一种基于香菇粉末的柔性生物忆阻器的制备方法

    公开(公告)号:CN109309157A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201811054807.8

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于香菇粉末的柔性生物忆阻器的制备方法,包括以下步骤:制备香菇粉末:以食用香菇为原料,充分研磨后经过滤获得粒径为1μm以下的香菇超细粉末;制备前驱胶体:将香菇粉末与聚偏氟乙烯粉末、高氯酸钾溶液均匀混合,制得稀泥状前驱胶体备用;制备下电极:采用经细砂纸打磨过的柔性金属箔作为下电极;制备活性层:将步骤S2获得的前驱胶体均匀涂覆在下电极表面上形成生物膜;制备上电极:待生物膜干燥后,在生物膜上制备上电极,即获得的基于香菇粉末的柔性生物忆阻器。该方法制备流程易于实现,适用于大批量生产,成本消耗低,制备成的生物忆阻器件具有性能优异、稳定性好、对环境无污染、可用于制备柔性穿戴电子器件等优点。

    一种拉力下高温超导带材各向异性的测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN105738680B

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201610218547.8

    申请日:2016-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种拉力下高温超导带材各向异性的测试装置及测试方法,其装置的组成主要是:电磁铁壳空腔内置有T型的液氮杜瓦,电磁铁壳的夹层中安装有电磁铁,电磁铁壳的顶部放置支撑架;支撑架顶部的伺服电机输出轴向下与夹持高温超导带材上端的上夹具相连;下夹具夹持高温超导带材的下端,下夹具固定于伺服电机位于支撑架以下的部位;上夹具、下夹具均位于液氮杜瓦中;支撑架的顶部安装有电机,电机的轴与主齿轮相连,伺服电机的输出轴壳上固定有齿环,主齿轮与齿环啮合;应变片粘贴在高温超导带材上。该装置能够测出不同的拉力下高温超导带材临界电流的各向异性,从而为高温超导强磁体或变压器的设计和制造提供更可靠的实验依据。

    一种拉力下高温超导带材各向异性的测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN105738680A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201610218547.8

    申请日:2016-04-08

    CPC classification number: G01R19/0092 G01N19/00

    Abstract: 本发明公开了一种拉力下高温超导带材各向异性的测试装置及测试方法,其装置的组成主要是:电磁铁壳空腔内置有T型的液氮杜瓦,电磁铁壳的夹层中安装有电磁铁,电磁铁壳的顶部放置支撑架;支撑架顶部的伺服电机输出轴向下与夹持高温超导带材上端的上夹具相连;下夹具夹持高温超导带材的下端,下夹具固定于伺服电机位于支撑架以下的部位;上夹具、下夹具均位于液氮杜瓦中;支撑架的顶部安装有电机,电机的轴与主齿轮相连,伺服电机的输出轴壳上固定有齿环,主齿轮与齿环啮合;应变片粘贴在高温超导带材上。该装置能够测出不同的拉力下高温超导带材临界电流的各向异性,从而为高温超导强磁体或变压器的设计和制造提供更可靠的实验依据。

    可变高磁场下高温超导线圈磁悬浮特性测试装置

    公开(公告)号:CN105372608A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510981947.X

    申请日:2015-12-23

    CPC classification number: G01R33/1261

    Abstract: 一种可变高磁场下高温超导线圈磁悬浮特性测试装置,其组成是:绝缘的支撑板通过支撑杆固定在杜瓦顶部;支撑板上有伺服电机,伺服电机向下的电机轴依次通过导向杆、三轴力传感器、传力杆和高温超导线圈相连;支撑板上的位移传感器的传感头与导向杆相连;杜瓦中部的室温孔搁置上部敞口的T型液氮容器,高温超导线圈置于T型液氮容器内腔的中下部,高温超导线圈的接线端通过电流引线与支撑板上的电流引线接线杆相连;杜瓦环绕室温孔的腔壁上放置环型的超导磁体。该装置能测试可变高磁场下高温超导线圈的磁悬浮力性能;从而能为高温超导磁悬浮列车的设计、研制,提供可靠的磁悬浮性能试验数据。

    一种(220)取向的铜铟镓硒薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN103531661B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201310498733.8

    申请日:2013-10-22

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种具有(220)取向的铜铟镓硒薄膜制备方法,其技术方案主要是:A:清洗基片,B:预溅射;C:溅射沉积薄膜:保持溅射功率为5W/cm2,基片温度为320-380℃,并将氩气气压调节为1.0~4.0Pa进行10分钟的溅射;之后将氩气气压降低至0.5Pa,并在基片上施加20~30V的偏压,进行2小时的溅射,即得到具有(220)取向的铜铟镓硒薄膜。该方法用磁控溅射方法制备出的CIGS薄膜取向为(220),用作铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的吸收层,能有效降低晶界处的“电子-空穴”复合,提高电池转换效率。且其制备工艺简单、成本低,制备过程中无毒无污染,适合于工业化生产。

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