公开(公告)号：CN106098799A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610529238.2

申请日：2016-07-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  曹晓峰 ,  陈哲 ,  李爽 ,  陈文梅 ,  林育赐 ,  谢驰 ,  任敏

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种积累型二极管。本发明的积累型二极管，其特征在于，通过在二氧化硅层中注入Cs+离子，使二氧化硅层带正电荷。利用二氧化硅层中的正电荷在N‑漂移区中形成积累层，可以减小导通电阻。P型埋层的存在则可以改善电场分布，提高了反向击穿电压。本发明可以在不影响反向击穿电压情况下，具有较大的正向电流、较低的导通电阻、较小的导通压降、较小的反向漏电流等特性，且器件在高温下的可靠性更好。

公开(公告)号：CN106098762A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610594277.0

申请日：2016-07-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  熊景枝 ,  廖航 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC‑IGBT)及其制备方法，用于获得更好的器件特性、提高RC‑IGBT的可靠性；本发明RC‑IGBT器件在正向IGBT工作模式下完全消除了snapback现象，并且由于采用了两种浓度和厚度不同的P型集电区，可获得更低的IGBT正向导通压降与更好的正向导通压降和关短损耗的折中；在反向二极管续流工作模式下具有小的导通压降；同时由于不需要采用在正面多个MOS元胞并联的情况下增加背部P+集电区宽度，可采用小的背面元胞宽度，解决了传统RC‑IGBT器件电流和温度均匀性的问题，大大提高了可靠性，且其制备工艺与传统RC‑IGBT器件工艺相兼容。

公开(公告)号：CN106024915A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610596069.4

申请日：2016-07-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  林育赐 ,  包惠萍 ,  罗蕾 ,  李泽宏 ,  张波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/157 ,  H01L29/158 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种超级结肖特基二极管。本发明的特征在于：通过在器件体内沟槽处形成肖特基结，增大了肖特基结的有效面积，从而提高器件的电流能力。同时在反向偏压时，利用超级结结构提高器件的反向击穿电压，减小器件的反向漏电。采用本发明可以具有较大的正向电流、较低的导通电阻以及较好的反向击穿特性。

公开(公告)号：CN105957900A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610392836.X

申请日：2016-06-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  李爽 ,  陈哲 ,  曹晓峰 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  高巍 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0692

Abstract: 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种高耐压低导通压降的金属氧化物半导体二极管。该金属氧化物半导体二极管具有电子积累层结构和结型场效应管结构，二极管可以获得较低的导通压降；同时采用掺杂浓度较高的N型区3，使二极管在正向导通时的导通压降进一步降低。器件反向阻断时，P型区8与P型埋层7所含的受主杂质与N型区3所含的施主杂质相互耗尽，使漂移区的电场分布呈矩形分布，可提高器件的反向阻断电压。因此，本发明提出的新结构同时具有高耐压与低导通压降。

公开(公告)号：CN105870177A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610264184.1

申请日：2016-04-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波 ,  李肇基

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/66325

Abstract: 一种双向IGBT器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在器件的正背面采用宽的沟槽宽度并在沟槽内栅电极的底部引入与金属电极相连的电极，在不影响IGBT器件阈值电压和开通的情况下，实现了对称的正、反向特性，提高了双向IGBT器件正、反向的开关速度，降低器件的开关损耗；改善了整个N型漂移区的载流子浓度分布，改善了正向导通压降和开关损耗的折中；减小了器件的饱和电流密度，改善了器件的短路安全工作区，改善了沟槽底部电场的集中，提高了器件的击穿电压，进一步提高了器件的可靠性；本发明提供的制作方法通过两次电极填充工艺填充沟槽，工艺难度小，与传统双向IGBT的制作方法兼容。

公开(公告)号：CN103762231B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410049066.X

申请日：2014-02-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  陈伟中 ,  刘永 ,  王为 ,  姚鑫 ,  杨珏琳 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种通过工作点自调节实现低功耗的IGBT及其外围自检测与反馈电路。本发明的原理是：利用IGBT工作时电子电流与空穴电流的比值与Vce和Eoff具有对应关系，通过采样检测IGBT工作时的电子电流与空穴电流的比值，从而反馈控制IGBT的栅压，调节器件的工作点，使器件在实际应用时具有最佳的关断损耗与正向导通压降的折中关系。本发明的有益效果为，通过采样电子电流与空穴电流比值，来反馈调节栅信号，使IGBT的工作点设置在最低能耗点，实现关断损耗和正向导通压降的最佳折中，从而提高了IGBT的综合性能。本发明尤其适用于IGBT器件。

公开(公告)号：CN105789291A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610264416.3

申请日：2016-04-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  底聪 ,  田丰境 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层，在不影响IGBT器件阈值电压和开通的情况下，减小了栅极电容，从而提高了器件的开关速度，降低器件的开关损耗；同时宽的底部分裂电极和浮空p型基区进一步改善了整个N型漂移区的载流子浓度分布，并改善了器件的短路安全工作区和击穿特性，提高了器件的性能和可靠性。本发明所提出的双分裂沟槽栅电荷存储型IGBT制作方法不需要增加额外的工艺步骤，与传统CSTBT制作方法兼容。

公开(公告)号：CN105633127A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511030172.4

申请日：2015-12-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  王亚天 ,  陈哲 ,  曹晓峰 ,  李爽 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  高巍 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0634

Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种超结MOSFET。本发明与常规超结MOSFET的区别在于：在一个或多个常规超结元胞旁边设置一个由第二P型柱(5)构成的伪元胞，该伪元胞不含N+有源区，且P柱长度相比正常元胞适当缩短；或者其P柱长度和正常元胞一样，但底部靠近衬底处存在一个掺杂浓度相对较高的区域；或者P柱整体掺杂浓度略高于其他元胞的P柱。当发生雪崩击穿时，伪元胞的击穿电压将比正常元胞略低，雪崩击穿点将被限定在伪元胞处，雪崩电流将通过伪元胞的源电极流出。由于伪元胞不含N+有源区，不存在寄生BJT，就避免了寄生BJT的导通，因此能够提高超结MOSFET器件的雪崩耐量和可靠性。

公开(公告)号：CN103489924B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310421627.X

申请日：2013-09-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  邹有彪 ,  宋文龙 ,  顾鸿鸣 ,  吴明进 ,  张金平 ,  任敏

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种低电容JFET器件及其制造方法。本发明所述的低电容JFET器件，包括p型半导体材料衬底、覆盖于衬底表面的n型外延层、外延层中的第一p区及第二p区、外延层中的第一n型半导体区、第二n型半导体区与第二p区之间的氧化层介质槽以及器件表面的金属栅电极、源电极、漏电极。本发明的有益效果为，可以明显降低JFET器件的输入电容从而提升探测器的灵敏度，同时还可以降低JFET器件的泄漏电流。本发明尤其适用于低电容JFET器件。

公开(公告)号：CN105206656A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510524523.0

申请日：2015-08-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  郭绪阳 ,  张明 ,  陈文梅 ,  伍济 ,  陈钱 ,  任敏 ,  张金平 ,  高巍 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体的说涉及一种逆导型IGBT器件。本发明相比于传统逆导型IGBT结构，在源极金属增加了发射极肖特基金属、在N型电场阻止层下设置N-区，分别改善了工作在续流二极管模式下的反向恢复特性与抑制了snapback现象的产生。本发明的有益效果为，具有快的反向恢复时间、在较短的背面P+集电区就可以消除snapback现象，且其制备工艺与传统IGBT器件工艺相兼容。本发明尤其适用逆导型IGBT器件。