制造核/壳复合纳米粒子的方法

    公开(公告)号:CN101674906A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200780052571.8

    申请日:2007-04-25

    CPC classification number: B22F1/025 B22F1/0018 B22F9/24 B22F9/305 B82Y30/00

    Abstract: 本发明提供将为了防止烧结而预先进行热处理从而形成特定晶体结构的纳米粒子作为核、并在其表面形成壳的方法,该方法将由相转移催化剂等强密合性分散剂所致的对壳形成反应的妨碍排除,从而制造发挥优异特性的核/壳复合纳米粒子。所述核/壳复合纳米粒子的制造方法,是制造在纳米尺寸的核粒子上被覆壳而成的核/壳复合纳米粒子的方法,其中,预先实施了用于形成体现所需特性的晶体结构的热处理的核粒子通过第1分散剂分散到第1有机溶剂中而形成第1溶液,通过向该第1溶液中添加极性溶剂,从该核粒子上剥离除去该第1分散剂,使该纳米粒子凝聚而进行回收,使该回收的核粒子通过第2分散剂分散到第2有机溶剂中而形成第2溶液,向该第2溶液中添加该壳的前体,在该核粒子的表面形成该壳。

    Sm-Fe-N系磁性材料及其制造方法
    94.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118824668A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410463136.X

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本公开为Sm‑Fe‑N系磁性材料及其制造方法。提供即使削减Sm的使用量也能够尽可能抑制各向异性磁场的下降且提高饱和磁化的Sm‑Fe‑N系磁性材料及其制造方法。本公开的磁性材料具备具有规定的晶体结构的主相。主相的组成由(Sm(1‑x‑y‑z)LaxCeyR1z)2(Fe(1‑p‑q‑s)CopNiqMs)17Nh表示,R1是规定的稀土元素等,M是规定的元素,并且,满足0.25≤x+y≤0.73、0.25≤x≤0.73、x/(x+y)≥0.80、0≤z≤0.10、0.10≤p+q≤0.53、p+q≥1.45(x+y)‑0.5485、0≤s≤0.10和2.9≤h≤3.3。本公开的制造方法包含将具备结晶相的前驱体氮化的工序,所述结晶相具有由(Sm(1‑x‑y‑z)LaxCeyR1z)2(Fe(1‑p‑q‑s)CopNiqMs)17表示的组成。

    数据解析系统以及数据解析方法

    公开(公告)号:CN112951342B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202011386666.7

    申请日:2020-12-02

    Abstract: 本公开提供数据解析系统以及数据解析方法,在避免测量数据的解析结果的偏差的同时,提高测量数据的解析精度。数据解析系统(1)具备:测量数据取得部(21),取得经由通信部(10)接收到的、分析材料而得到的测量数据;数据解析部(22),使用已训练的机器训练模型来处理测量数据,输出测量数据的解析结果;储存处理部(27),将包括测量数据和处理测量数据而得到的处理结果的数据组作为解析结果数据组,储存到存储装置(30)的解析结果数据库(32);训练用数据组取得部(28),取得经由通信部(10)接收到的、包括根据解析结果数据组在外部进行的针对测量数据的处理结果的评价的结果的训练用数据组;以及训练部(29),根据训练用数据组,使机器训练模型再训练。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115602703A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202210765593.5

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本公开的半导体装置具有:n型氧化镓半导体层,具有中央区域以及施主密度比所述中央区域低的周边区域;电极层,层叠于所述n型氧化镓半导体层之上,并且在从层叠方向观察时,在所述中央区域中与所述n型氧化镓半导体层形成肖特基结;以及第一p型氧化镍半导体层,以部分地配置于所述n型氧化镓半导体层与所述电极层之间的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层之上,并且在从层叠方向观察时,所述周边区域侧的外周端部处于所述周边区域。

    稀土磁体及其制造方法
    97.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111383809B

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN201911313542.3

    申请日:2019-12-19

    Abstract: 本发明涉及稀土磁体及其制造方法。提供高温下的矫顽力的降低被特别地抑制的稀土磁体及其制造方法。稀土磁体(100)及其制造方法,该稀土磁体(100)具备主相(10)和晶界相(20),整体组成由式由式(NdxLayCezR1w)pFe(100‑p‑q‑r‑s‑t‑u)CoqBrGasCutM1u·(R2aR3bM2(1‑a‑b))v表示,其中,R1为选自Nd、La和Ce以外的稀土元素,R2为选自Pr、Nd、Pm、Sm、Eu和Gd的元素,R3为R2以外的稀土元素,M1为规定的元素等,M2为使R2aR3bM2(1‑a‑b)的熔点降低的合金元素等,以原子%计为5.0≤p≤20.0、0≤q≤8.0、4.0≤r≤6.5、0≤s≤0.5、0≤t≤0.5、0≤u≤2.0且0≤v≤10.0,并且以摩尔比计为0.20≤x≤0.60、0.40≤y≤0.70、0≤z≤0.10、0≤w≤0.10、0.50≤a≤0.70、0≤b≤0.10且x+y+z+w=1。

    稀土磁铁及其制造方法
    99.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113764149A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110598532.X

    申请日:2021-05-31

    Abstract: 提供方形性和在高温下的磁特性特别是在高温下的剩余磁化优异的R‑Fe‑B系稀土磁铁及其制造方法。本公开为具备主相(10)及存在于主相(10)的周围的晶界相(20)的稀土磁铁及其制造方法。本公开的稀土磁铁,以摩尔比计,整体组成由式(R1(1‑x)Lax)y(Fe(1‑z)Coz)(100‑y‑w‑v)BwM1v表示,其中,R1为规定的稀土元素,M1为规定元素,并且,0.02≤x≤0.1、12.0≤y≤20.0、0.1≤z≤0.3、5.0≤w≤20.0、0≤v≤2.0。主相(10)具有R2Fe14B型晶体结构,主相(10)的平均粒径为1~10μm,并且,相对于晶界相(20),晶界相(20)中的具有RFe2型晶体结构的相的体积比率为0.60以下。

    稀土磁体及其制造方法
    100.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113539598A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110234458.3

    申请日:2021-03-03

    Abstract: 本发明涉及稀土磁体及其制造方法。稀土磁体,其具备主相和晶界相,整体组成由式(R2(1‑x)R1x)yFe(100‑y‑w‑z‑v)CowBzM1v·(R3(1‑p)M2p)q·(R4(1‑s)M3s)t(其中,R1为轻稀土元素,R2和R3为中稀土元素,R4为重稀土元素,M1、M2和M3为规定的金属元素。)表示,主相具备核部、第一壳部、第二壳部,与在核部中相比,在第一壳部中,中稀土元素的含有比例高,与在第一壳部中相比,在第二壳部中,中稀土元素的含有比例低,并且第二壳部含有重稀土元素。

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