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公开(公告)号：CN116243478A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310103313.9
申请日：2023-01-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种铌酸锂薄膜Y波导调制器的拓扑优化方法及相关组件，包括：控制在预设优化区域内的铌酸锂薄膜Y波导调制器的材料折射率在预设折射率范围内连续变化取值以对铌酸锂薄膜Y波导调制器的材料折射率进行优化；将连续变化取值的铌酸锂薄膜Y波导调制器的材料折射率映射为二值折射率，二值折射率对应铌酸锂薄膜Y波导调制器的最优材料折射率分布；优化铌酸锂薄膜Y波导调制器的曲率半径，得到优化曲率半径值；根据铌酸锂薄膜Y波导调制器的最优材料折射率分布和优化曲率半径值对铌酸锂薄膜Y波导调制器进行拓扑优化设计。通过本发明提供的方法实现高性能的单偏振工作的铌酸锂薄膜Y波导调制器设计。
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公开(公告)号：CN115641649A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110813929.6
申请日：2021-07-19
Applicant: 清华大学 , 北京与光科技有限公司
IPC: G06V40/40 , G06V40/16 , G06V10/60 , G06V10/74 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供一种人脸识别方法及系统，该人脸识别方法包括：获取待识别的人脸光谱图像；将所述待识别的人脸光谱图像输入到训练好的人脸光谱图像特征提取模型中，获取所述人脸光谱图像的目标特征向量，其中，所述训练好的人脸光谱图像特征提取模型是由标记有人脸信息标签和真伪类别光谱信息标签的样本人脸光谱图像，对机器学习模型进行训练得到的；根据相似度评价标准，对所述目标特征向量进行识别，获取人脸识别和活体识别结果。本发明弥补了传统人脸检测的安全漏洞，提高了人脸识别结果的准确性和人脸识别系统的安全性。
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公开(公告)号：CN115621818A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211248509.9
申请日：2022-10-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明提供一种太赫兹频梳生成方法、装置、电子设备及存储介质，其中，太赫兹频梳生成方法应用于辐射器件，辐射器件基于受激放大相干史密斯‑帕塞尔辐射得到，太赫兹频梳生成方法包括：获取多频率信号，其中，多频率信号为包括第一频率和第二频率的信号，第一频率为太赫兹频率，第二频率为调制频率；将多频率信号注入至辐射器件，并在辐射器件处于饱和增益状态下，基于辐射器件的非线性交调失真效应得到新频率分量，其中，新频率分量为多频率信号在交调作用下生成并存在于电子周围消逝场频谱中的频率分量；基于新频率分量生成太赫兹频梳，其中，太赫兹频梳的频率间隔与调制频率相同。通过本发明确保生成的太赫兹频梳具有连续可调谐性。
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公开(公告)号：CN115611232A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211611871.8
申请日：2022-12-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及芯片，具体涉及一种纳米悬臂梁及其制备工艺。纳米悬臂梁的制备工艺，采用湿法刻蚀工艺，包括：将完成湿法刻蚀的芯片放入去离子水中停止反应；从去离子水中取出所述芯片后，立即放入第一溶剂中进行过渡；然后将所述芯片晾干；即可得到纳米悬臂梁；所述第一溶剂选自无水乙醇、甲醇、1‑丙醇、1‑丁醇中的一种或几种。本发明工艺避免了悬臂梁结构的坍塌，成功实现光声晶体微腔的制备。
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公开(公告)号：CN115128791A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110328489.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 清华大学
IPC: G02B23/12 , H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本发明提供一种光谱成像天文望远镜及天文望远镜光谱成像方法，光谱成像天文望远镜包括望远镜镜筒和光谱成像芯片；望远镜镜筒收集从天体发射的光信号；光信号经望远镜镜筒入射至光谱成像芯片；光谱成像芯片包括光滤波器层和图像传感器，光滤波器层设置在图像传感器的感光区域表面；光滤波器层包含有光调制结构，光调制结构对进入至光调制结构不同位置点处的入射光分别进行不同的频谱调制；图像传感器将与不同位置点经光滤波器层调制后对应的入射光携带信息转换为与不同位置点对应的电信号。本发明可以替代传统天文望远镜中所用的上千个光纤阵列或像切割器的光谱采集方式，本发明对望远镜在像焦平面所获取的图像一次拍照即可一次获得光谱成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114912599A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110172841.0
申请日：2021-02-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种光人工神经网络智能芯片、智能处理设备及制备方法，将光滤波器层作为人工神经网络的输入层，将图像传感器作为人工神经网络的线性层，将光滤波器层对进入光滤波器层的入射光的滤波作用作为输入层到线性层的连接权重，从而智能芯片中的光滤波器层和图像传感器以硬件的方式实现了人工神经网络中输入层和线性层的相关功能，使得后续在使用该智能芯片进行智能处理时不需要再进行与输入层和线性层对应的复杂的信号处理和算法处理，从而大幅降低人工神经网络处理时的功耗和延时。
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公开(公告)号：CN114779373A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210247969.3
申请日：2022-03-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及分束器技术领域，提供一种光功率分束器及其制备方法。其中，光功率分束器包括衬底和设置于衬底表面的多个呈柱状的超原子结构；其中，各个超原子结构的横截面积均基于超原子结构在衬底的位置r、子光束个数n、子光束幅度比An、子光束相对于入射光的横向波矢偏转量kn及子光束在衬底的投影位置Rn确定，且多个超原子结构的横截面积的范围能够使入射光的相位延迟覆盖0‑2π的变化范围。如此形成的光功率分束器能够按照预设功率分束比和预设子光束空间排布结构对入射光进行分束。同时，衬底和超原子结构形成的超表面具有平面化小型化的优点，可方便地集成于光路系统中。
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公开(公告)号：CN111916999B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202010671275.3
申请日：2020-07-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种具有槽结构的分布式反馈激光器及制备方法，分布式反馈激光器包括P电极、P掺杂层、量子阱有源层、N掺杂层和N电极；P电极位于P掺杂层的表面中央位置，P电极两侧分别设置有一个光子晶体孔阵列，光子晶体孔阵列由按照预设排布结构排布的多个光子晶体孔形成，每个光子晶体孔均贯穿P掺杂层、量子阱有源层和N掺杂层，并在衬底上表面截止；有源光子晶体波导层中还包括有对称双槽结构，对称双槽结构由第一凹槽和第二凹槽构成，第一凹槽和第二凹槽设置在P电极两侧，贯穿P掺杂层、量子阱有源层和N掺杂层，并在衬底上表面截止。本发明实施例利用光子晶体慢光效应设计超短激光谐振腔，从而降低芯片体积，提高芯片可集成性能。
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公开(公告)号：CN113722667A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110797381.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/16
Abstract: 本发明提供了一种基于伊辛机的数据处理方法、装置及伊辛机，该方法包括：对自旋组态进行循环更新，将更新后的自旋组态调制到高斯光束的相位上，获得输入矩阵；根据输入矩阵与变换矩阵获得输出矩阵；根据输出矩阵确定当前采样轮次的输出光强，根据输出光强和模型特征值矩阵确定哈密顿量，根据哈密顿量确定采样结果，并在确定末轮采样时，使末轮采样对应的自旋组态作为数据处理结果。本发明提供的一种基于伊辛机的数据处理方法、装置及伊辛机，能够将伊辛模型的数据处理过程在光束上完成，并能够实现由光信号到电信号的转换，具有以光速进行信息的并行处理的能力，可以极大提高求解伊辛问题的速率。
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公开(公告)号：CN112420466B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011183250.5
申请日：2020-10-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供一种表面等离激元诱导的电子发射源，包括：泵浦源发出光与金属牛眼光栅相互作用产生表面等离激元近场，通过中心小孔到达光阴极材料层，与光阴极材料相互作用产生电子，电子收集器收集所述电子，金属牛眼光栅的周期与表面等离激元的波矢满足：金属牛眼光栅的周期与表面等离激元的波矢之积为2π的整数倍；光阴极材料层为预设特殊材料，以使得表面等离激元近场照射到光阴极材料上，产生光致电子发射现象。本发明实施例基于光致电子发射原理和表面等离激元结合的高分辨率电子源，降低电子束的能散，提高了亮度。
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