-
公开(公告)号：CN102005505B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010509942.4
申请日：2010-10-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/04
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池及其制备方法。其制备方法包括：在多晶硅原料中掺入锡和硼，锡的浓度为1016～1021cm-3，硼的浓度为1015～1017cm-3，然后在保护气氛下，生长掺锡的晶体硅；将掺锡的晶体硅切片后，进行太阳电池的制备，包括：对切片后得到的硅片进行清洗和制绒；制绒后进行磷扩散；进行刻蚀及减反射膜的沉积；最后制备电极并烧结，得到掺锡晶体硅太阳电池。本发明方法简单，成本低廉，实现了整个太阳电池制备与常规工艺的兼容，制备出有效抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池。
-
公开(公告)号：CN102394256A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110362766.0
申请日：2011-11-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于太阳电池吸收层的铜铟硫阵列化薄膜的制备方法，采用溶液法利用硼氢化钠还原铜盐和铟盐制备Cu-In合金纳米颗粒，进而将其溶解在有机溶剂中制备成Cu-In合金墨水，涂覆在Si片，Mo片或者玻璃等衬底上制备成前驱体薄膜；而后，在含有H2S/Ar混合气氛中烧结成为表面呈纳米棒阵列的CuInS2薄膜。本发明采用低成本的设备和简单的工艺，制备得到CuInS2阵列化薄膜，其表面纳米棒阵列能够很好的起到陷光作用，可减少反射，增强光的吸收，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101767207B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910157001.6
申请日：2009-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种甲醛还原法制备二氧化硅/银花状核壳结构颗粒的方法，采用的是甲醛还原快速生长的成核-再长大两步生长工艺，包括以下步骤：1)制备表面吸附纳米银颗粒的亚微米二氧化硅球；2)将步骤1)中得到的二氧化硅球分散在水中，在氨水的催化作用下，用甲醛还原硝酸银，然后加入聚乙烯基吡咯烷酮的水溶液搅拌反应；3)将反应液离心清洗后分散到水中得到二氧化硅/银花状核壳结构颗粒的胶体溶液。本发明方法过程简单可控，产物单分散性好，且颗粒中银具有面心立方与密排六方共存的独特晶体结构，花状银核壳颗粒具有较大的比表面积和粗糙度，颗粒中存在大量的热点区域。
-
公开(公告)号：CN101774585B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010040051.9
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种通过氧化处理提纯金属硅的方法，包括如下步骤：将金属硅去油、洗净、烘干；然后在氧气气氛下加热，保温、降温再保温之后冷却；最后在盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡后用去离子水清洗干净而得到纯度为4～5N的高级金属硅。本发明利用了硅中界面具有较高能量易于杂质聚集的原理，在金属硅表面通过氧化的方式人为形成硅-二氧化硅界面，对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理，得到较纯的硅材料，以用于后续的提纯工艺。本发明优点在于工艺流程简单，低能耗，低成本，无污染排放，生产效率高，产率高，通过此方法提纯制备的硅原料能够初步达到太阳级硅的要求。
-
公开(公告)号：CN102226064A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110110788.8
申请日：2011-04-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C09J7/00 , C09J123/08 , C09J11/04 , H01L31/048 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明公开一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法，包括以下步骤：用改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性或亲油性改性，再将改性后的半导体量子点均匀分散在溶剂中，形成半导体量子点墨水，然后把半导体量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合，经过热压成型或挤出成型，得到含有半导体量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。该制备方法简单，可控性好，可操作性强，易于工业化生产。本发明还公开了一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜，应用于太阳电池，能有效提高太阳电池的利用效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157636A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110030656.4
申请日：2011-01-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强硅基薄膜电致发光的方法，包括如下步骤：在P型硅片正面上沉积一层银薄膜，然后进行热退火，在P型硅片正面上形成银岛膜；在银岛膜上沉积富硅氮化硅薄膜，然后在富硅氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜表面沉积一层ITO薄膜作为正面出光电极，在P型硅片背面沉积一层Al作为背面电极，制得硅基薄膜发光器件。本发明方法制备的硅基薄膜器件的电致发光强度显著强于普通硅薄膜器件的电致发光强度；器件能工作在更高的输入功率下，不易被击穿。
-
公开(公告)号：CN102142483A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110004974.3
申请日：2011-01-11
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法，采用将金属纳米颗粒分散在醇溶剂中形成金属纳米颗粒胶体溶液，在硅太阳电池片迎光面上，丝网印刷或喷淋或旋涂金属纳米颗粒胶体溶液，烘烤使醇溶剂从电池片表面挥发完全，在保护气体氛围下进行快速热处理退火温度，再进行二次常规热处理退火，实现硅太阳电池表面等离子体增益。本发明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特点，具有较大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101597790B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910099994.6
申请日：2009-06-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了在氮气下融硅掺氮制备铸造多晶硅的方法，通过在多晶硅原料融化阶段通入氮气与融硅反应的方式掺入氮，通过控制融硅时间来控制掺氮浓度，定向凝固铸造得到氮浓度可控的掺氮多晶硅，其具有较高的机械强度，用于太阳能电池中可切割为更薄的硅片，从而降低太阳能电池的生产成本；还可进一步用于生产不同机械强度要求的掺氮多晶硅。本发明还公开了上述方法得到的铸造多晶硅，含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的硼、镓和磷，还含有浓度为1×1013～5×1015/cm3的氮。
-
公开(公告)号：CN101935869A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010284947.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构，内壁为若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。
-
公开(公告)号：CN101887931A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010212937.7
申请日：2010-06-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体量子点制造彩色太阳电池的方法，包括：玻璃盖板、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层、电池片以及位于电池片下方的保护材料层的制备，其特征在于，在所述的玻璃盖板的下表面、所述的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层的表面或电池片的上表面，涂覆由半导体量子点分散在有机溶剂中形成的墨水，有机溶剂挥发后，形成均匀覆盖的半导体量子点层，再通过光子的激发，使半导体量子点层发光形成太阳电池呈现色彩区域；再进行封装。采用本发明的方法制得的彩色太阳电池尤其适合用在节能型夜间景观装置中，可以在紫外灯的辐照下呈现出不同的颜色；同时，吸收部分高能光子转换成电能而输出。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
776
records
(took 0.039 seconds)
