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公开(公告)号：CN102964119A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210470746.X
申请日：2012-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法，它是先合成(1-x)BiFeO3-xMeMO3粉体，再不掺入或掺入少量SiO2，经压制成型、烧结制成掺SiO2的(1-x)BiFeO3-xMeMO3热敏陶瓷材料。本发明制备的可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料，烧结温度低于950℃且性能稳定，性能测试表明能够获得较好的综合热敏性能：热敏常数β25/85大于5000K，室温电阻率ρ25小于106Ω·cm，老化率η低于5%。制备过程采用传统的陶瓷固相烧结制备工艺，采用工艺相对简单、稳定，因而具有较高的实用性和推广应用前景。
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公开(公告)号：CN102249678A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110162420.6
申请日：2011-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了无铅无铋压电陶瓷，成分以通式(1-x)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2K1/2)NbO3+zMaOb、(1-x)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Li1/2)NbO3+zMaOb、(1-x-y)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2K1/2)NbO3-yLiTaO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)BaCu1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2K1/2)NbO3-u(Na1/2Li1/2)NbO3-vLi(Nb,Sb)O3+zMaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN101200369B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200710049650.5
申请日：2007-07-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了钛铌锌酸铋钠系无铅压电陶瓷材料及其制备方法，它是在ABO3型钙钛矿结构的(Na1/2Bi1/2)TiO3中B位离子Ti4+被复合离子(Zn1/3Nb2/3)4+部分取代构成的无铅压电陶瓷，可以用通式(Na1/2Bi1/2)Ti1-x(Zn1/3Nb2/3)xO3+zMaOb来表示，其中MaOb为一种或多种氧化物。该体系压电陶瓷采用两步合成法，经烧结得到。本发明无铅压电陶瓷，烧结温度低，节能，对烧结设备要求低，陶瓷致密度高，耐热性好，性能优良，其压电常数d33可达120pC/N以上，kt可达0.50以上，kp在0.20以下，具有较强的各向异性，且制备工艺简单、稳定，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN101826377B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010137147.7
申请日：2010-03-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及负温度系数热敏电阻材料技术领域，具体涉及以铋酸钡基材料为功能相的厚膜热敏电阻浆料、其制备方法以及用该厚膜热敏电阻浆料制备的厚膜热敏电阻。所述电阻浆料由功能相和有机载体溶剂组成，功能相和有机载体溶剂的重量比为60～80∶20～40，其中功能相是化学通式为(Ba1-xAx)BiO3的化合物，式中0≤x＜0.01，A为稀土金属元素，选自Y、La、Nd、Sm、Dy和Er元素中的一种。其制备方法为：1)制备功能相；2)制备有机载体；3)制备浆料。与现有技术相比，本发明所述厚膜热敏电阻浆料具有不需加入粘结剂，可实现低温烧结厚膜电阻，电阻性能优异，制备工艺简单的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100575302C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710050304.9
申请日：2007-10-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/475 , H01L41/16
Abstract: 本发明公开了一种三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料，所公开的无铅压陶瓷成分用通式(1-x-y)(Bi1/2Na1/2)TiO3-x(Bi1/2K1/2)TiO3-yBi(Me)O3和(1-x-y)(Bi1/2Na1/2)TiO3-x(Bi1/2K1/2)TiO3-yBi(Me)O3+zMaOb来表示，式中x、y和z表示摩尔分数，其中0≤x≤1.0，0≤y≤0.2，0≤z≤0.1，Me为三价金属元素，MaOb为一种或多种氧化物，其中M为+1～+6价且能与氧形成固态氧化物的元素。本发明无铅压电陶瓷，陶瓷致密度高，性能优良，其压电常数d33可达180pC/N以上，Kp可达0.36以上。该体系无铅压电陶瓷采用传统电子陶瓷制备工艺制备，烧结温度低，制备工艺简单、稳定，适宜产业化生产。
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公开(公告)号：CN101200369A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710049650.5
申请日：2007-07-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了钛铌锌酸铋钠系无铅压电陶瓷材料及其制备方法，它是在ABO3型钙钛矿结构的(Na1/2Bi1/2)TiO3中B位离子Ti4+被复合离子(Zn1/3Nb2/3)4+部分取代和A位离子(Na1/2Bi1/2)2+部分被Ba2+取代构成无铅压电陶瓷，可以用通式(Na1/2Bi1/2)Ti1－x(Zn1/3Nb2/3)xO3+zMaOb和(Na1/2Bi1/2)1－yBayTi1－x(Zn1/3Nb2/3)xO3+zMaOb来表示，其中MaOb为一种或多种氧化物。该体系压电陶瓷采用两步合成法，经烧结得到。本发明无铅压电陶瓷，陶瓷致密度高，性能优良，其压电常数d33可达150pC/N以上，Kt可达0.50以上，Kp在0.20以下，具有较强的各向异性，且制备工艺简单、稳定，适宜产业化生产。
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公开(公告)号：CN119504257A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411637190.8
申请日：2024-11-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及无铅铁电陶瓷材料技术领域，具体涉及一种具有高度非对称大形变的无铅铁电陶瓷材料及制备方法，具有高度非对称大形变的无铅铁电陶瓷材料制备方法包括：按照0.733(Bi1/2Na1/2)TiO3‑0.267(Ca1/3Bi2/9Sr1/3)Cu3(Ti1/2Zr1/2)4O12的化学计量分别称取分析纯原料，将所有原料混合球磨，球磨后对原料进行烘干，烘干后将原料保温合成，制得粉体；合成的粉体混合球磨后进行烘干，在80Mpa下冷等静压成型，然后保温后烧结成致密陶瓷，并冷却至室温；在烧结成的致密陶瓷一面丝网印刷银电极，另一面丝网印刷金电极，保温后成尺寸非对称电极；本发明能够制备具有高形变驱动性能的无铅铁电陶瓷材料，具有制备方法简单、成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN108863358B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201810756510.X
申请日：2018-07-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xSr(In0.5Nb0.5)O3，其中x表示摩尔分数，0.1≤x≤0.2。所述制备方法为固相反应烧结法，将K2CO3、Na2CO3、SrCO3、In2O3和Nb2O5按化学比例称料，然后多种粉体先后经过球磨、预烧、煅烧、造粒、成型和烧结，制备出具有宽温度稳定特性的铌酸钾钠基陶瓷电容器介质材料，在‑60℃至300℃具有稳定的介电性能，且具有制备方法简单、成本低和无铅环保等优势。
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公开(公告)号：CN108558391B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810668020.4
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数=2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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