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公开(公告)号：CN203800056U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201320713738.3
申请日：2013-11-13
IPC: H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型涉及一种功率器件，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本实用新型通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本实用新型加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN203687298U
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201420042286.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 国电南瑞科技股份有限公司 , 东南大学
Inventor： 苏义荣 , 赵仰东 , 丁孝华 , 吴琳 , 柳劲松 , 张晓燕 , 王丙文 , 时珊珊 , 王双虎 , 包海龙 , 吴俊兴 , 刘隽 , 杨文 , 徐久荣 , 席旸旸 , 谢琳 , 田小东 , 沈兵兵 , 刘元园 , 郁洁 , 周赣
IPC: F24F11/02
Abstract: 本实用新型公开了电制冷冷水机组中央空调的能耗监测系统，其特征在于，包括电能表，与电能表相连的冷水机组子系统、冷冻水子系统、冷却水子系统、空调末端子系统、监视器，所述监视器还分别与流量传感器模块和温度传感器模块相连，所述流量传感器模块还分别与冷冻水子系统和冷却水子系统相连，所述温度传感器模块还分别与冷冻水子系统和冷却水子系统相连。工作人员根据监视器显示的能耗情况，可以快速、精确的对中央空调系统实现节能控制或改造，降低中央空调系统的能耗。
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公开(公告)号：CN204179680U
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201420689599.X
申请日：2014-11-17
Applicant: 国网上海市电力公司 , 华东电力试验研究院有限公司 , 许继电源有限公司
IPC: H02J3/38
Abstract: 本实用新型涉及一种储能变流器并离网无缝切换控制装置，分别连接电网监控系统和并网点开关，包括储能变流器、控制器、电池管理系统、电池组和第一变压器，所述的控制器分别连接电网监控系统、储能变流器、和电池管理系统，所述的电池组分别连接储能变流器和电池管理系统，所述的储能变流器通过第一变压器与第一电网母线连接，所述的控制器上设有用于连接电压互感器的第一接口、用于连接并网点开关的第二接口以及用于连接并网点开关位置结点的第三接口，所述的电压互感器设在并网点开关的上侧。与现有技术相比，本实用新型具有能实现离网转并网高精度同期、实现并离网平滑切换、不依赖通信网络等优点。
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公开(公告)号：CN203607417U
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201320677023.7
申请日：2013-10-30
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 本实用新型涉及一种电力半导体器件，具体涉及一种沟槽型快恢复二极管。快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，在所述PN结的两侧对称设置有沟槽区；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，在所述衬底N-层上生长有氧化层。本实用新型提供的沟槽型快恢复二极管，是通过湿法腐蚀去除PN结边缘弯曲处，消除PN结曲率导致的电场集中，通过三次光刻工艺即可实现包含钝化的、反向耐压接近平行平面结的高压二极管，具有制造方式简单，工艺要求低的特点。
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公开(公告)号：CN203589041U
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201320677202.0
申请日：2013-10-30
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本实用新型涉及一种电力半导体器件，具体涉及一种快恢复二极管，包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，所述P区包括由上到下依次设置的磷离子补偿注入层和硼离子注入层；所述磷离子补偿注入层能够实现P区表面浓度降低，所述快恢复二极管正向导通时注入空穴数量减少；在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心，由此会带来一系列参数的优化。本实用新型提供的快恢复二极管，通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低，从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203562431U
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201320705065.7
申请日：2013-11-08
IPC: H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型涉及一种功率器件，具体涉及一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片。二极管芯片包括金属阴极和金属阳极，P型掺杂层，N型掺杂层，以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底，场氧化层以及钝化保护层结构，其阳极为低浓度P型掺杂区，阴极为低浓度N型缓冲掺杂区和低浓度N型增强掺杂区，并通过正面保护工艺形成背面注入掺杂的特殊制造方式形成器件结构。本实用新型通过降低阳极与阴极发射极区的掺杂浓度从而降低PN结自键电势差，减少P型掺杂区域注入的空穴总量，从而整体优化了恢复二极管的性能，在保证快恢复二极管具有较低正向导通压降的同时，提高器件的动态性能。
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公开(公告)号：CN205039556U
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201520675728.4
申请日：2015-09-02
Applicant: 国网上海市电力公司 , 华东电力试验研究院有限公司
IPC: H02J3/32
Abstract: 本实用新型公开了一种锂离子电池储能电站，包含：若干组储能机组，所述的若干组储能机组通过低压母线并联相连；低压保护装置，所述的低压保护装置与并联的若干组储能机组串联；变压装置，所述的变压装置的一次侧与低压保护装置串联；中压保护装置，所述的中压保护装置的一端与变压装置的二次侧相连，另一端连接到高压母线。本实用新型通过采用合理的拓扑，避免了电池组直接并联所引发的不可控环流问题，并能实现毫秒级快速响应，应对电压扰动。
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公开(公告)号：CN205039554U
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201520675583.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 国网上海市电力公司 , 华东电力试验研究院有限公司
IPC: H02J3/32
Abstract: 本实用新型公开了一种电站储能装置，包含：主电能输出装置，所述的主电能输出装置提供电能；电池管理装置，所述的电池管理装置与主电能输出装置通过电路相连，该电池管理装置控制主电能输出装置的有功功率、电压/无功输出；主控制器，所述的主控制器与电池管理装置通信，该主控制器根据并网测电压频率、电网侧电压水平向电池管理装置发送指令，控制主电能输出装置的有功功率、电压/无功输出；监控装置，所述的监控装置与主电能输出装置和电池管理装置相连，监控主电能输出装置和电池管理装置。本实用新型能够实现实时监控，在用电低谷期作为负荷存储电能，在用电高峰期释放电能，实现发电和用电间解耦及负荷调节，维护城市电网的安全稳定。
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公开(公告)号：CN204077388U
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201420243568.1
申请日：2014-05-13
Applicant: 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 国电南瑞科技股份有限公司
CPC classification number: Y02T90/16
Abstract: 本实用新型提供一种基于智能车载终端的电动汽车应急预警救援系统，包括电动汽车应急预警救援平台和若干与平台无线通信的车载终端；车载终端和平台端采用无线通信方式，平台端包括：数据采集服务器、数据存储服务器、预警分析服务器、救援引导服务器，根据车载终端上送的数据完成事件存储、预警分析、救援引导等任务。本实用新型通过采集电动汽车运行状态并进行全方位监测，对电动汽车的预计状态进行评估并及时提供有效指导消息，进行预警和救援，避免了电池自燃及车辆事故的发生，保证了人生安全和电池使用寿命。
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公开(公告)号：CN203481226U
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201320632802.5
申请日：2013-10-14
IPC: H01L25/07 , H01L23/13 , H01L23/492 , H01L25/00 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及一种大功率压接式IGBT器件。IGBT器件为圆柱体或矩形体，所述IGBT器件包括管壳以及设置在管壳上下两端的两个功率电极，上功率电极为平板结构，下功率电极其中一面分布凸台阵列。器件内部在每个凸台上会设置子模组，子模组分为IGBT子模组和FWD子模组两类。IGBT和FWD子模组均包括功率芯片、多片金属垫片和绝缘框架；功率芯片包括IGBT芯片和FWD芯片两组。子模组中的IGBT芯片和FWD芯片均为厚度100-1000微米的矩形硅片。压接IGBT器件内部无任何焊点。在实际应用时，依靠器件外部施加的数十牛压力实现芯片和上下功率电极的良好连接，提高了器件可靠性，降低了工艺复杂度。
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