一种平板型VFTO测量传感器
    91.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101782603A

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN201010119127.7

    申请日:2010-03-08

    CPC classification number: H02B13/0356

    Abstract: 本发明实施例公开了一种平板型VFTO测量传感器,包括GIS壳体手孔、手孔盖板、密封介质板、两个密封垫圈、金属屏蔽板、金属箔、绝缘薄膜、引出线和匹配电阻。手孔盖板中间有孔,覆盖在GIS壳体手孔上并固定,它们之间有第一密封垫圈;密封介质板覆盖在手孔盖板内侧孔上并固定,它们之间有第二密封垫圈;金属屏蔽板放置在手孔盖板上的孔内,与密封介质板相对的面上贴有绝缘薄膜,绝缘薄膜上贴有金属箔;匹配电阻通过引出线与金属箔连接。这样通过拆卸金属屏蔽板,方便对传感器进行更换或检修,可以现场操作,不需要电网停电,实现电网长期的在线检测运行。

    一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件

    公开(公告)号:CN108257858A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201611231185.2

    申请日:2016-12-28

    Abstract: 本发明提供了一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件,所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化,在其外延层的上表面形成牺牲氧化层;对牺牲氧化层进行腐蚀,直至完全去除外延层上的牺牲氧化层;对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理,形成光滑的钝化表面;在光滑的钝化表面上依次淀积Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层,并对Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层构成的叠层结构进行退火,形成高k栅介质层。与现有技术相比,本发明提供的一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件,能够减少SiC/SiO2界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷,提高栅介质层的耐压能力。

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