一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件

    公开(公告)号:CN108257858A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201611231185.2

    申请日:2016-12-28

    Abstract: 本发明提供了一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件,所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化,在其外延层的上表面形成牺牲氧化层;对牺牲氧化层进行腐蚀,直至完全去除外延层上的牺牲氧化层;对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理,形成光滑的钝化表面;在光滑的钝化表面上依次淀积Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层,并对Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层构成的叠层结构进行退火,形成高k栅介质层。与现有技术相比,本发明提供的一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件,能够减少SiC/SiO2界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷,提高栅介质层的耐压能力。

    一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN104810397B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201410037819.5

    申请日:2014-01-26

    Inventor: 杨霏 吴昊 于坤山

    Abstract: 本发明公开了一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法,主要解决现有高压碳化硅MOSFET导通电阻较大的问题。该器件包括:源极(1)、栅极(2)、栅氧介质(3)、N型源区(4)、P阱区(5)、JEFT区(6)、P型外延柱区(7)、N‑外延(8)、P型衬底柱区(9)、N+衬底(10)和漏极(11),其中在P阱的正下方的N+衬底与N‑外延的部分分别设有P型外延柱区(7)和P型衬底柱区(9),本发明可以有效降低器件的导通电阻,同时改善器件体内的电场分布,提高器件的耐压。本发明器件具有击穿电压高,导通电阻低,开关速度快、开关损耗低等优点,同时制作工艺简单,易于实现,可用于电力电子变压器,新能源发电、光伏逆变器等领域。

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