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公开(公告)号：CN113235164A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110372155.8
申请日：2021-04-07
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种非线性光学晶体材料及其制备方法与应用，该类晶体材料的化学式为NaM(SO4)2(H2O)(M＝Ce3+,Bi3+)，属于三方晶系，其空间群分别为P3121和P3221。在1064nm激光照射下，粉末倍频强度分别为KH2PO4(KDP)晶体的0.2倍和0.38倍，且在该波长激光照射下都能实现相位匹配。与现有技术相比，本发明涉及的晶体材料NaBi(SO4)2(H2O)具有较大的带隙，测得的激光损伤阈值为已商业化的红外二阶非线性材料AgGaS2(AGS)的83倍，表明该材料在紫外非线性光学、电光调制、光折变信息处理等领域具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN111850694A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010561025.4
申请日：2020-06-18
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种氟代镓亚硒酸盐类无机化合物晶体、其制备方法、非线性光学晶体材料和激光频率转换器，该无机化合物晶体的化学式为AGa3F6(SeO3)2，其中，A＝Rb或Cs。与现有技术相比，本发明的晶体RbGa3F6(SeO3)2和CsGa3F6(SeO3)2在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的3.0和3.1倍，且在1064nm激光照射下都能实现相位匹配。
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公开(公告)号：CN110055592B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910214169.X
申请日：2019-03-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种有机杂化硫代锑酸盐倍频晶体材料及其制备和应用，晶体材料的化学式为[enH][Ag2SbS3](en＝乙二胺)，属于单斜晶系，空间群为Pc，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝119.2～119.5°，Z＝2，晶胞体积为与现有技术相比，本发明制备的晶体具有较大的光学带隙，约为2.2eV且该晶体材料具有较大的倍频效应，约为KDP晶体的2.5倍，在非线性光学、电光调制、光折变信息处理等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109913952B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910214755.4
申请日：2019-03-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Bi4O(IO3)6(SeO4)，并可通过水热法制备得到，材料可用于激光频率转化器中。与现有材料相比，本发明制备得到的碘酸硒酸铋晶体材料具有强的倍频效应和大的激光损伤阈值，在1064nm激光照射下，倍频效应为已商业化材料KH2PO4(KDP)晶体的4.2倍，激光损伤阈值为已商业化材料AgGaS2晶体的51倍，此外，该晶体材料在可见光和红外区有较宽的透过范围，光学透过波段为0.36～11.84μm，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119753848A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411989321.9
申请日：2024-12-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种氨基胍草酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用，该晶体材料化学式为(CN4H7)+(C2O4H)‑，属于单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α＝90°，β＝95～100°，γ＝90°，Z＝2。本发明的非线性光学晶体(CN4H7)+(C2O4H)‑在1064nm激光照射下的粉末倍频效应约为KH2PO4(KDP)晶体的1.0倍，且能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有较短的紫外吸收截止边(290nm)和易于生长等优点，在立体光刻、固态激光器、光通讯、光参量放大器、光参量振荡器、激光频率转换器等光电转化领域具有重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119753846A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411989311.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种亚甲基二硼酸二阶非线性光学晶体材料在非线性光学领域中的应用，该晶体材料的化学式为CH6B2O4，分子量为103.68，属于四方晶系，其空间群为I41md，晶胞参数为#imgabs0#α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为#imgabs1#本发明的亚甲基二硼酸晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的0.3倍，且能够实现相位匹配。此外，该二阶非线性光学材料的单晶制备方法简便，其紫外吸收截止边小于190nm，这些优点使其在激光频率转换、光信息处理、全息储存和光通讯等领域具有重要的应用潜力。
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公开(公告)号：CN119753838A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411989317.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种过氧化钼锶二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为SrMo2O3(O2)4(H2O)2·3H2O，分子量为545.58，属于四方晶系，其空间群为#imgabs0#晶胞参数为#imgabs1#α＝β＝γ＝90°，Z＝8，晶胞体积为#imgabs2#本发明的过氧化钼锶晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的3倍，且能实现相位匹配。该晶体材料不仅易于生长，还能通过二次谐波产生和光参量放大等光学频率转换技术，有效扩展相干光源的波长范围。在激光光刻、激光加工、医学诊疗等领域，这种晶体材料展现出重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN119753837A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411986063.9
申请日：2024-12-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种毫米级一水合碘化镉铵二阶非线性光学晶体的应用，所述光学晶体用于在1064nm激光照射下输出532nm绿光。与现有技术相比，本发明提供的毫米级的二阶非线性光学晶体NH4CdI3·H2O，能在1064nm激光照射下输出532nm绿光，在1064nm激光照射下其粉末倍频效应为KH2PO4的2.5倍，且能实现相位匹配，其带隙为3.8eV，属于宽带隙晶体。该光学晶体可应用于激光频率转换、光电调制或激光信号全息储存等领域。
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公开(公告)号：CN119065174B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411071186.X
申请日：2024-08-06
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种硫氰酸锌铵二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用，该晶体材料的化学式为(NH4)2Zn(SCN)4·3H2O，属于正交晶系，其空间群为P21212，晶胞参数为#imgabs0#α＝β＝γ＝90°，Z＝2，晶胞体积为#imgabs1#其结构特征在于该晶态材料含有孤立的[Zn(SCN)4]结构基元。本发明的硫氰酸锌铵晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)晶体的8倍，双折射值在波长546nm处为0.185，且能实现相位匹配。此外，该晶体材料在紫外可见光波段透过良好，物化性能稳定，易于生长，在激光频率转化、光参量振荡等领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN119297397A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411219177.0
申请日：2024-09-02
Applicant: 同济大学
IPC: H01M10/0567 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种提升锂硫电池性能的电解液及其制备方法和电池，具体提供了一种将非对称四级铵盐——甲基三正丁基溴化铵作为添加剂的锂硫电池电解液及其制备方法和锂硫电池，该电解液包括锂盐、醚基溶剂和添加剂；所述的添加剂为C13H30NBr，所述的锂盐的浓度为500～2000mmol/L，所述的C13H30NBr的浓度为50～150mmol/L。将该电解液用于组装锂硫电池。与现有技术相比，本发明引入的C13H30NB含有高供体数的溴阴离子并结合了高稳定性的铵盐，C13H30NBr中的长链烷基可以有效促进放电终产物Li2S的3D成核生长，促进Li+离子传输，提升正极氧化反应动力学。本发明中锂硫电池电解液还能改变锂离子的溶剂化结构，在锂负极表面形成固态电解质界面，有效抑制锂枝晶的生长，提高电池的硫利用率和循环稳定性。
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