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公开(公告)号：CN103090977B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310031213.6
申请日：2013-01-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹信号检测装置，包括集成芯片，所述集成芯片上同时设置低温半导体读出电路和超导体检测器；低温半导体读出电路和超导体检测器相互连通，超导体检测器用于检测太赫兹信号。本发明不仅能降低系统噪声提高超导太赫兹直接检测器的灵敏度、工作稳定性和运行速度，而且还便于设计和制作基于多通道读出电路的太赫兹二维检测阵列的成像系统。本发明将超导体元器件和半导体元器件集成在同一块芯片上，通过微加工技术很容易实现金属薄膜引线。因为集成度提高，也大幅度减少了焊盘从而实现了降低噪声和提高系统运行速度的目的。
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公开(公告)号：CN103968959A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410216876.X
申请日：2014-05-22
Applicant: 南京大学
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于电容耦合的室温太赫兹检测器，包括硅衬底，所述硅衬底上的第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层上的六氮五铌薄膜微桥，所述六氮五铌薄膜微桥两端连接的金属薄膜电极，位于所述六氮五铌薄膜微桥上的第二二氧化硅层，以及位于所述第二二氧化硅层上的金薄膜偶极子天线。本发明还公开了制备上述室温太赫兹检测器的方法。本发明的室温太赫兹检测器工作于室温，具有较高灵敏度，且容易做成大规模阵列芯片。
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公开(公告)号：CN103276365A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310191941.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。
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公开(公告)号：CN103175609A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310067215.0
申请日：2013-03-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种使用高温超导YBCO双晶结探测高温超导BSCCO太赫兹辐射的装置，包括相互连接的主体一和主体二，分别在所述主体一和主体二的对应位置设穿孔；在所述的穿孔内设超半球硅透镜一和超半球硅透镜二；待测BSCCO设在超半球硅透镜一外侧，并确保BSCCO结对准超半球硅透镜一的中心位置；待测YBCO设在超半球硅透镜二外侧，并确保YBCO结对准超半球硅透镜二的中心位置。该装置，结构简单，设计巧妙，可最大程度上减少辐射的损失。使用本发明的装置，可以成功使用高温超导YBCO双晶结探测到了来自BSCCO的太赫兹辐射。为今后研制集成了本振的高温超导YBCO太赫兹探测器打下基础。
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公开(公告)号：CN102324444A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110252925.1
申请日：2011-08-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种单光子探测器封装装置，包括由上到下依次设置的顶杆、顶盖和底座；所述顶杆和顶盖固定连接，顶盖和底座也固定连接；所述顶盖上设有至少两个通孔，其中第一通孔穿过并固定光纤，第二通孔穿过电缆；所述底座的上表面对应光纤的位置固定单光子探测器芯片，对应电缆的位置固定高频电路板，该单光子探测器芯片与高频电路板电连接。本发明结构紧凑，能够在20mm内径内实现双通道光电封装；使用光纤耦合外部被探测光，耦合效率大于95％并且干扰小；使用微带线共面波导和SMP高频接头连接芯片，提高了芯片输出电信号至外部放大器的传输性能；采用对称结构设计，方便组合，提高其重复使用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271173A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810023970.8
申请日：2008-04-23
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/032
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹液芯光纤，包括外部的包层和内部的芯层，其中包层材料为聚四氟乙烯，芯层材料为非极性高碳烃类有机溶剂、弱极性高碳烃类有机溶剂或上述两者有机溶剂的混合物。上述芯层材料可以是高碳烷烃有机溶剂，特别是主要成分为高碳烷烃的石蜡油，很适合作为芯层材料。聚四氟乙烯在该波段的折射率变化小且数值略小，与芯层材料形成了相对光疏和光密关系，又具备损耗小，力学性能好，化学性能稳定等优点，因而可以作为太赫兹液芯光纤的包层材料。采用这两种材料制成的液芯光纤不仅在传输过程中光线损耗低，而且材料获取方便便于引入实际应用，且生产成本低廉，此外由于芯层为液体，相对普通光纤更易弯曲，安装也更方便。
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公开(公告)号：CN101158026A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710132283.5
申请日：2007-09-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种在MgO或Si衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法，该方法包括(a)MgO或Si或SiOx/Si单晶基片的清洗；(b)将基片放入磁控溅射系统中的样品座上，样品座采用冷却循环水进行冷却，水温度低于摄氏20度；(c)对系统进行抽真空，利用离子束清洗技术清洗基片；(d)清洗结束，系统继续抽真空；(e)溅射生长NbN薄膜。XRD、AFM、TEM研究，证实了薄膜的外延性能以及薄膜生长的连续性和致密性。Si基片上的SiOx层有助于提高超薄NbN超导薄膜的超导电能，和单纯的单晶Si基片相比，其上生长的超薄NbN超导薄膜的Tc和Jc都更高。
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公开(公告)号：CN1482274A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03132208.5
申请日：2003-07-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化镁单晶基片上的氮化铝薄膜及其制备方法，采用射频磁控溅射方法在衬底不加热的情况下，在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜，该薄膜和单晶基片衬底间晶格匹配良好，薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大功率和短波长光电器件、压力传感器和热辐射传感器、高频声表面波器件以及电子器件的绝缘层和钝化层的制备和研究。
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公开(公告)号：CN119980158A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411939588.7
申请日：2024-12-26
Abstract: 本发明公开了一种在液氦温区保持高探测效率的超导纳米线单光子探测器制备方法，采用氧化硅以及硅构成的双层衬底；通过射频磁控溅射在衬底氧化硅面上生长出六氮五铌薄膜作为缓冲层，直流磁控溅射生长氮化铌薄膜，并通过XRR对厚度进行精准测量和控制；通过电子束曝光PMMA A4电子束胶的方式制备双线并联的纳米线结构，通过反应离子刻蚀的方式把纳米线的图形转移到氮化铌薄膜之上；在衬底氧化硅面通过紫外激光直写曝光AZ4620光刻胶的方式，去除需要刻蚀的区域上方的光刻胶，然后通过反应离子刻蚀从器件的氧化硅面刻蚀掉掉氧化硅及硅，制备悬浮桥结构。本发明大幅提高了器件的工作温度的同时，保证了器件的高探测效率。
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公开(公告)号：CN119890718A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411976954.6
申请日：2024-12-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种产生非厄密奇异点并实现波束偏转的器件，涉及太赫兹人工电磁材料以及太赫兹波波束偏转技术领域，具体包括实现奇异点的周期性挖孔排布阵列，所述实现奇异点材料为硅的介质板，在所述奇异点附近选取不同参数单元可以实现360度的相位覆盖从而实现有效的波束偏转。本发明结构简单，制备工艺简单，实现了太赫兹非厄密奇异点，丰富了现有太赫兹非厄密奇异点的手段，还通过广义斯涅尔定律的相位梯度排布，可以实现透射太赫兹波的波束偏转，在太赫兹波前整形，以及实现太赫兹高灵敏传感有较好的应用前景。
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