激光加工方法、及半导体构件的制造方法

    公开(公告)号:CN115812018A

    公开(公告)日:2023-03-17

    申请号:CN202180049476.2

    申请日:2021-07-01

    Inventor: 坂本刚志

    Abstract: 本发明的激光加工方法具备:激光加工工序,其中,对包含第1面和所述第1面的相反侧的第2面的对象物,以所述第1面为入射面而将激光聚光并形成所述激光的聚光斑,并且使所述聚光斑相对于所述对象物相对移动,从而进行所述对象物的激光加工,在所述对象物,沿着所述入射面设定有磨削预定区域,所述激光加工工序包含:第1形成工序,其中,将与所述入射面交叉的Z方向上的所述聚光斑的位置设定于第1Z位置,并且沿着在沿着所述入射面的X方向上延伸的线使所述聚光斑相对移动,从而在所述对象物形成第1改性区域及从所述第1改性区域延伸的第1龟裂。

    激光加工头及激光加工装置
    92.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115461182A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202180031324.X

    申请日:2021-04-27

    Inventor: 坂本刚志

    Abstract: 激光加工头具备:框体,其具有在第1方向上相互相对的第1壁部及第2壁部、在与第1方向垂直的第2方向上相互相对的第3壁部及第4壁部、以及在与第1方向及第2方向垂直的第3方向上相互相对的第5壁部及第6壁部;入射部,其配置于第1壁部或第5壁部,使激光入射到框体内;激光调整部,其配置于框体内,调整自入射部入射的激光;及聚光部,其配置于第6壁部,将被激光调整部调整的激光聚光并朝框体外出射,激光调整部具有用于调整自入射部入射的激光的光轴的光轴调整部,入射部在第1方向上偏向第1壁部侧,聚光部在第1方向上偏向第2壁部侧。

    激光加工装置及激光加工方法
    93.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115413364A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202180026088.2

    申请日:2021-03-31

    Abstract: 一种激光加工装置,其中,具备控制部,控制部执行下述处理:第一处理,以第一加工条件来控制激光照射单元,该第一加工条件被设定为:在晶圆的内部形成改质区域和改质区域;第二处理,确定有关改质区域的状态,并判断第一加工条件是否适当;第三处理,以第二加工条件来控制激光照射单元,该第二加工条件被设定为:在晶圆的内部形成改质区域,并且在晶圆的厚度方向上的改质区域之间形成改质区域;以及,第四处理,确定有关改质区域的状态,并判断第二加工条件是否适当。

    激光加工装置及激光加工方法
    94.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115335185A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202180019965.3

    申请日:2021-03-03

    Abstract: 一种激光加工装置,具备:照射部,其用于对对象物照射激光;摄像部,其用于对所述对象物进行摄像;以及控制部,其至少控制所述照射部及所述摄像部,在所述对象物,设定有多个线,所述控制部执行:第1处理,其通过所述照射部的控制,沿着所述多个线的各个对所述对象物照射所述激光,以不到达所述对象物的外表面的方式在所述对象物形成改质点及从所述改质点延伸的龟裂;以及第2处理,其在所述第1处理之后,通过所述摄像部的控制,利用相对于所述对象物具有透过性的光对所述对象物进行摄像,对于所述多个线的各个取得表示所述改质点及/或所述龟裂的形成状态的信息。

    检查装置及处理系统
    95.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115244652A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202180019117.2

    申请日:2021-03-03

    Abstract: 检查装置具备:激光照射单元,其朝晶圆照射激光;显示器,其显示信息;及控制部,控制部执行:导出估计加工结果,该估计加工结果是包含依据所设定的配方(加工条件)通过激光照射单元对晶圆照射激光的情况时形成于晶圆的改质区域及从改质区域延伸的龟裂的信息;及控制显示器,考虑作为估计加工结果被导出的改质区域及龟裂的晶圆上的位置,显示将晶圆的影像图与该晶圆的改质区域及龟裂的影像图一同描绘的估计加工结果影像。

    激光加工装置及激光加工方法

    公开(公告)号:CN115003450A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202180010454.5

    申请日:2021-01-08

    Abstract: 激光加工装置具备支承部、照射部、移动机构、驱动部、测定数据取得部及控制部。控制部执行第1处理及第2处理,该第1处理在较对象物的周缘更内侧,以聚光位置沿着周缘移动的方式使支承部及照射部中的至少一方移动,沿着周缘而在对象物的内部形成第1改质区域,该第2处理在进行第1处理后,以聚光位置从对象物的外部进入内部的方式使支承部及照射部中的至少一方移动,在对象物的内部形成第2改质区域。测定数据取得部在第1处理,使测定数据与关于对象物的位置的位置信息相关联并取得。控制部在第2处理,当聚光位置从对象物的外部进入内部前或进入时,使依据驱动部的支承部及聚光透镜中的至少一方的沿着光轴方向的位置,朝依据在第1处理取得的测定数据的初始位置移动。

    激光加工装置及激光加工方法

    公开(公告)号:CN113056346A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201980071542.9

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 激光加工装置,是通过对对象物照射激光,在对象物的内部沿着假想面形成改质区域。激光加工装置具备:支承部、照射部、移动机构、及控制部。控制部实行第1加工处理及第2加工处理。第1加工处理,是对对象物的第1部分以第1加工条件照射激光;第2加工处理,是在第1加工处理之后,对对象物中的比第1部分更内侧的第2部分,以与第1加工条件不同的第2加工条件照射激光。

    激光加工装置及激光加工方法

    公开(公告)号:CN112996628A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN201980071656.3

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 激光加工装置具备:支承部、照射部、移动机构、控制部及加工状态监视部。加工状态监视部,监视沿着一条加工用线形成了改质区域的情况的加工状态是否为第1切割状态及/或监视沿着具有并排配置的多条并行线的加工用线形成了改质区域的情况的加工状态是否为第2切割状态,第1切割状态,是使从改质区域所含的多个改质点延伸的龟裂朝沿着一条加工用线的方向伸展的状态;第2切割状态,是使从改质区域所含的多个改质点延伸的龟裂朝沿着并行线的方向及与并行线交叉的方向伸展而相连的状态。

    激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置

    公开(公告)号:CN112805811A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201980065097.5

    申请日:2019-10-02

    Abstract: 检查装置包括:支承晶片的载置台,其中,晶片在半导体衬底的内部形成有多排改性区域;光源,其输出对于半导体衬底具有透射性的光;和物镜,其使在半导体衬底中传播后的光通过;光检测部,其检测通过了物镜后的光;和检查部,其检查在多排改性区域中的最靠近正面的第1改性区域与最靠近第1改性区域的第2改性区域之间的检查区域中是否存在从1改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端。物镜使焦点从背面侧对焦到检查区域内。光检测部检测在半导体衬底中从正面侧向背面侧传播的光。

    摄像装置、激光加工装置和摄像方法

    公开(公告)号:CN112789136A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN201980065098.X

    申请日:2019-10-02

    Abstract: 本发明的摄像装置,用于拍摄因照射激光而形成于对象物(11)的改性区域和/或从上述改性区域(12)延伸的裂纹(14),其包括:利用透射上述对象物的光拍摄上述对象物的第1摄像单元;和控制上述第1摄像单元(4)的第1控制部,从与上述激光的入射面交叉的方向看时,上述对象物包含由第1线(15a)和与上述第1线交叉的第2线(15b)界定出的多个功能元件(22a),上述第1控制部,在沿着上述第1线和上述第2线形成上述改性区域之后,执行第1摄像处理,该第1摄像处理为控制上述第1摄像单元以拍摄从上述方向看时上述功能元件的与上述第1线对应的边的区域,该区域包含上述改性区域和/或从该改性区域延伸的上述裂纹。

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