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公开(公告)号：CN105404071A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510961974.0
申请日：2015-12-18
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G02F2/004 , G02F1/3536 , G02F1/3538 , G02F1/3544 , G02F1/365 , G02F2002/006
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱全光波长转换的方法及装置，该方法对转换波导的输出端的目标光波长λi进行实时检测，λi发生改变时，根据固定的信号光波长λs0，计算此时泵浦源的波长λp并相应调整，然后将信号光和泵浦光依次通过耦合器、放大器、偏振控制器和具有平坦且低色散的转换波导。装置包括泵浦源、信号源、耦合器、放大器、偏振控制器和转换波导，泵浦源和信号源的输出端分别与耦合器输入端信号连接，耦合器的输出端依次通过放大器、偏振控制器和转换波导；信号源和转换波导的输出端之间依次连接有波长计和运算器，共同构成反馈环。本发明可以实现输出无色、宽光谱的全光波长转换，对泵浦无敏感性，大幅度增加此全光波长转换器的应用范围，降低成本。
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公开(公告)号：CN104977774A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510399031.3
申请日：2015-07-09
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G02F1/3536 , G02B6/1225 , G02F2203/56
Abstract: 本发明提供了一种用于实现硅基多波长光源的色散剪裁的微腔，微腔为环形结构，包括条形波导以及与条形波导连接的二维平板光子晶体波导；波长在目标波段内的泵浦光经过所述微腔后形成克尔光频梳；提高了目标波段内光频梳的泵浦效率。本发明中，在目标波段，两种波导结构的色散相互补偿，可以使得其目标波段的色散整体平坦且近零色散，符合级联四波混频的发生条件，而目标波段两边的波段依然色散较大，无法发生更高阶的四波混频，从而将光频梳限制在目标波段内，进而达到提高微腔在目标波段泵浦效率的目的。
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公开(公告)号：CN103777282A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410066458.7
申请日：2014-02-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/34
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，公开了一种光栅耦合器及光信号的耦合方法。其中，光栅耦合器包括：顶层硅层、底层硅层及二氧化硅层；二氧化硅层在底层硅层的上面；顶层硅层在二氧化硅层的上面；在垂直于光线的传播方向上，顶层硅层为至少2个直角三角形的排列结构；接收光纤对向直角三角形的排列结构。本发明通过对三角形光栅的应用，增大了本发明提供的光栅耦合器的工作带宽，从而增加了光栅耦合器的可适用性，有利于光传输的应用。另外，本发明还通过三维时域有限差分方法进行仿真计算，使得TE、TM光的耦合效率相同，并确定光栅结构参数，实现了偏振不敏感。本发明提供的光栅耦合器具有结构简单、工作带宽宽、偏振损耗低和耦合效率高的优点。
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公开(公告)号：CN103576413A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310543026.6
申请日：2013-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/365
Abstract: 本发明涉及一种利用高非线性效应实现全光信号处理的微环波导光器件。为克服现有微环进行全光信号处理时非线性系数不足，本发明提出了一种微环波导光器件，包括：直波导和在衬底上平行生长出的微环，所述微环为环形谐振腔，所述微环的脊形波导部分为平行slot结构，而不是单一的脊波导结构，所述直波导与耦合。本发明创新了一个平行slot微环波导结构，当光耦合进平行slot微环波导结构时，其中Slot波导结构可以很好的限制光场，而微环的谐振效应使谐振光光强增强非常大,因此微环中的各种非线性效应得到增强,降低阈值，提高效率，并可以在全光信号处理如光频梳、波长转换、逻辑门和码型转换等领域中得到应用。
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公开(公告)号：CN101808344A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910305707.2
申请日：2009-08-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04W24/00
Abstract: 本发明涉及光纤-同轴电缆混合网络接入技术领域。针对现有EoC技术应用的局限性，结合EPON技术应用，本发明提出一种基于多点控制协议的以太网无源电网络(EthernetPassive Electronic Network-EPEN)：所述以太网无源电网络包括连接以太网无源光网络FTTx光节点的头端设备(ELT)、连接用户单元的终端设备(ENU)、无源电分配网络(EDN)，所述EDN由同轴电缆和一个或多个无源电分路器组成，在ELT和ENU间提供电通道连接；其物理层采用正交频分复用技术(OFDM)，数据链路层采用多点控制协议(MPCP)，使双向以太网数据业务在点到多点的同轴接入网中进行承载。本发明可以有效实现EPON与EPEN复合接入的HFC网络双向改造，其技术先进性、用户接入带宽、支持的最大用户数较其他EoC技术标准相比都有提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101114885A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710053129.9
申请日：2007-09-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04J14/02 , H04B10/12 , H04B10/155
CPC classification number: H04J14/0282 , H04J14/0246 , H04J14/0247 , H04J14/025 , H04J14/0252 , H04Q11/0067 , H04Q2011/0011
Abstract: 本发明涉及一种混合波分时分复用无源光网络系统，包括：光线路终端侧的至少两个光模块连接至一个局端全光波长转换单元，所述局端全光波长转换单元与一用户端全光波长转换单元通过光纤相连接，所述用户端全光波长转换单元连接至少两个光分配器，每个光分配器均连接至少两个光网络单元；还涉及一种混合波分时分复用无源光网络系统，包括：所述光线路终端采用特定发送波长光模块，所述局端全光波长转换单元简化为局端波分复用器，所述局端波分复用器与一用户端全光波长转换单元通过光纤相连接，所述用户端全光波长转换单元连接至少两个光分配器，每个光分配器下均连接至少两个光网络单元；还提供了上述系统中的光线路终端，以及应用于上述系统的信号传输方法。
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公开(公告)号：CN118605022A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410830038.5
申请日：2024-06-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超紧凑光子张量计算芯片及设计方法，属于集成光子器件领域。包括M个输入波导和N个输出波导，其中输出波导支持Q个模式，在所述输入波导和输出波导之间具有X×Y个同等大小的像素块组成的转换区域；通过在像素块内进行精确打孔，形成特殊的通孔阵列结构。这种结构利用优化算法对像素阵列进行排布，由于亚波长尺寸的空气孔阵列的排布可以等效为一种非均匀缓变的折射率分布区域，可以同时对M个输入波导中基模组成的输入一个M维张量信号进行引导，转化为N个输出端口中的Q个模式组成的Q个N维输出张量信号，从而使得同一个的输入信号能够完成Q种不同的并行张量运算。
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公开(公告)号：CN115275773B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210630061.0
申请日：2022-06-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单纵模可调谐FP激光器及控制方法，属于半导体器件领域。激光器自下至上依次包括：n面电极、衬底、n型下包层、下限制层、多量子阱结构有源区、上限制层及p型上包层，还包括两个相互耦合的谐振腔及两个p面电极，所述两个相互耦合的谐振腔设在所述p型上包层上，所述两个p面电极分别对应的布置在两个谐振腔上，其中一个p面电极用于注入第一电流调控对应的谐振腔内增益最高的纵模的增益系数，另一个p面电极用于注入第二电流调控对应的谐振腔内增益最高的纵模的损耗系数。通过控制两个谐振腔内增益最高的纵模对应的增益系数及损耗系数，无需刻蚀光栅，即可实现FP激光器的单纵模激射。
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公开(公告)号：CN118249947A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410672044.2
申请日：2024-05-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04J14/02 , H04B10/572 , H04B10/516
Abstract: 本发明属于微环调制器波长锁定技术领域，公开了一种基于多载波调制格式的微环调制器波长锁定方法及系统，方法包括：在微环调制器的调制驱动器上加载多载波调制格式的调制信号，多载波调制格式的调制信号与耦合进微环调制器中的激光进行强度调制后形成高速光信号；在微环调制器的下载端接收高速光信号并转为电信号后，进行信道选择滤波，获得相对低速的单路子载波上的调制信号；对该调制信号进行OMA监测，将微环调制器的工作点锁定于OMA最大值处，实现波长锁定。还对应的提供了波分复用系统波长锁定方法、锁定装置及微环调制器波长锁定系统。本发明能够在于低带宽，低功耗下提升对波分复用系统中高调制速率的微环调制器波长锁定的准确度。
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公开(公告)号：CN118249193A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410671952.X
申请日：2024-05-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级硅基III‑V族异质集成器件及其制备方法，属于半导体器件领域，器件包括：键合硅区，以及分别键合在键合硅区上下两侧的器件硅区和有源器件区；器件硅区包括硅硅耦合器和硅基调制器；有源器件区采用III‑V族化合物半导体材料，包括：p型包层、有源层、n型包层、p面电极、n面散热电极和气密保护材料；p型包层、有源层、n型包层和n面散热电极依次设置在键合硅区的一侧；p面电极设置在p型包层上；气密保护材料包裹p型包层、有源层、n型包层、p面电极和n面散热电极。可实现高兼容、高可靠的硅基集成有源器件，可提供片上光源、片上放大及光学非线性变换等功能。
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