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公开(公告)号：CN114157305B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111370770.1
申请日：2021-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03M7/30
Abstract: 本发明属于数据压缩领域，具体涉及一种基于硬件快速实现GZIP压缩的方法及其应用，包括：将待处理文本划分为多个大小为m字节的处理窗口，并行计算一个处理窗口中以每个字节为起始的m个字符串哈希值，将哈希值作为字典的索引地址。将当前待处理字符串存储到字典中同时读取历史候选字符串完成字符串初步匹配。读取的历史字符串和当前待处理字符串逐字节比较完成精细匹配得到每个字符串的匹配长度和匹配距离。引入匹配修剪算法消除并行处理窗口内和窗口间字符串的匹配交叠，解决算法间的依赖，提高数据并行处理能力。本发明实现了适用于硬件的高带宽全流水可扩展的无损压缩数据通路，根据硬件资源、吞吐率和压缩率之间的权衡，动态调节处理窗口大小。
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公开(公告)号：CN115713052A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211414356.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/048 , G06N3/08 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种闪存可靠性特征参数预测方法及系统，属于存储器技术领域。方法包括：S1，在不同目标操作下，分别计算各闪存芯片样本的可靠性特征参数在执行该目标操作前后的变化量，再根据其分布划分动作；S2，接收使用待测闪存芯片的存储系统发送的闪存可靠性状态；S3，基于当前的预测策略，预测所述闪存可靠性状态对应的动作；S4，比较上一轮预测动作与实际动作，得到回报值，并基于所述回报值更新所述预测策略；其中，所述实际动作与所述存储系统执行所述待执行操作后得到的可靠性特征参数的变化量对应；S5，重复执行S2至S4，直至达到停止条件。从而，本发明不需要庞大的训练数据预先训练就能够进行闪存可靠性特征参数预测。
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公开(公告)号：CN110851079A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911027908.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种自适应的存储装置损耗均衡方法及装置，属于计算机技术领域，包括：(1)通过存储单元质量模型对非易失性存储器质量评估，并建立质量评估表；(2)若质量评估表中质量最优的存储单元与质量最劣的存储单元之间的量化质量差满足阈值条件，重新设置存储单元使用优先级；(3)接收数据命令后，采用使用优先级最高的存储单元擦写，并更新存储单元对应的质量评估表和特征数据；(4)满足预设条件的存储单元，将特征数据输入存储单元质量模型更新存储单元对应的质量评估表；不满足预设条件的存储单元，转至步骤(2)；(5)直至存储设备正常使用。本发明充分考虑了存储单元的擦写次数，延长了存储设备可靠工作的时间。
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公开(公告)号：CN110837477A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910950724.5
申请日：2019-10-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明公开一种基于寿命预测的存储系统损耗均衡方法及装置，包括：对存储系统的各个存储单元进行寿命预测，预测得到各个存储单元的剩余使用次数；当存储单元进行一次读或写操作后，其剩余使用次数减1；确定各个单元的剩余使用次数中的最大值和最小值，将最大值减最小值得到最大差值；若剩余使用次数的最大差值大于预设损耗均衡阈值，则将剩余使用次数最大值对应存储单元中的数据拷贝到剩余使用次数最小值对应的存储单元；并将剩余使用次数最大值对应存储单元中的数据擦除，并将该剩余使用次数最大值对应存储单元用于热数据存储，对存储系统进行损耗均衡。本发明真实反映存储单元可使用状态，提高存储单元后期的利用率，延长存储系统的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109637576A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811547901.7
申请日：2018-12-17
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G11C16/349 , G06F17/18
Abstract: 本发明公开了一种基于支持向量回归的闪存寿命预测方法，包括下述步骤：(1)获取待测闪存的特征量，特征量包括：闪存的编程时间、读取时间、擦除时间、电流、功耗、阈值电压分布、存储块编号、存储页号、闪存当前经历过的编程/擦除周期数、条件错误页数、条件错误块数、错误比特数和错误率；(2)对特征量进行处理后获得运算结果；(3)将特征量与运算结果组成集合，并将集合中的子集作为支持向量回归模型的输入进行支持向量回归运算后获得与特征量对应的闪存的寿命预测值。本发明可以预测闪存的剩余使用寿命，让闪存存储设备使用者在使用设备期间了解存储器的损耗状态，避免因存储器单元失效而造成的数据流失。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105159840B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510675524.5
申请日：2015-10-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明公开了一种闪存器件的软信息提取方法，包括离线训练与在线运行两部分，在离线状态下，对目标闪存器件进行先验性实验，实验测试内容包括对闪存器件内部物理块的存储单元进行大量重复的擦除、写入以及读出操作，从而记录闪存器件在其测试周期内的外部特征量；然后进行数据集训练，建立闪存内部存储单元物理状态与外部特征量之间的关联；在线运行状态下，对正在在线运行的闪存物理状态进行识别，并预估错误率，并计算软信息。本发明所提出的方法不仅不依赖于闪存内部的特殊命令，而且可以方便地集成进自主闪存控制器中，与LDPC纠错模块相配合，实现对先进工艺闪存器件的高强度纠错，满足固态存储对先进工艺闪存器件数据纠错的需求。
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公开(公告)号：CN108363639A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810125124.0
申请日：2018-02-07
Applicant: 武汉忆数存储技术有限公司 , 华中科技大学
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明涉及一种参数可配置的动态BCH纠错方法及装置，其中方法包括，根据Flash页容量大小、冗余区空间以及错误率要求，选择合适的纠错码码长分组方案；根据Flash的比特错误率变化曲线设置与短码方案和长码方案的级别相对应的纠错能力调整阈值；Flash系统固件实时获取P/E周期数，并根据所述P/E周期数与所述纠错能力调整阈值的大小，选取合适的纠错模式级别，以实现BCH纠错参数的动态配置。区别于一种固定参数的BCH纠错方案，参数可配的BCH纠错模块可以适用于多种页容量大小的Flash芯片，因此不必在更换Flash的同时再去设计相应的纠错模块，提高整个Flash控制器的兼容性。同时固件可根据不同Page具体的P/E周期数，结合其实际出错比例，在保证可靠性的前提下尽可能提高Flash读写性能。
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公开(公告)号：CN105912064A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610259342.4
申请日：2016-04-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05F1/565
CPC classification number: G05F1/565
Abstract: 本发明公开了一种高精度高电源抑制比的带隙基准源，包括启动电路和基准电压产生模块；基准电压产生模块包括电源抑制比增强电路、基准电压产生电路和温度补偿电路；电源抑制比增强电路的第一输入端连接至启动电路的第一输出端，基准电压产生电路的第一输入端连接至启动电路的第二输出端，基准电压产生电路的第二输入端连接至电源抑制比增强电路的第一输出端；温度补偿电路的第一输入端连接至启动电路的第二输出端，温度补偿电路的第二输入端连接至基准电压产生电路的输出端，温度补偿电路的第三输入端连接至电源抑制比增强电路的第二输出端，温度补偿电路的输出端连接至电源抑制比增强电路的第二输入端；电源抑制比增强电路的第三输出端用于输出基准电压。
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