公开(公告)号：CN106810234B

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201710040122.7

申请日：2017-01-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  林申晔 ,  王如志 ,  王波 ,  郑木鹏 ,  侯育冬 ,  王昭辉 ,  王炎 ,  潘妍宏

IPC: H01F1/36 ,  C04B35/26 ,  C04B35/645

Abstract: 一种立方钙钛矿结构单相多铁材料，涉及新型功能材料领域。立方钙钛矿结构单相多铁材料其化学式为BiMn3Fe4O12，其晶体结构为立方钙钛矿结构，属于立方晶系，空间群为IM‑3，晶胞参数为其磁结构为共线的G型反铁磁构型(即在a、b、c三个方向均为反铁磁耦合)，其铁电极化方向为 方向，铁电极化值为39～220μC/m2，相比同类材料，其铁电极化值可提高一个数量级以上。

公开(公告)号：CN106518058B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201610968638.3

申请日：2016-10-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  李玲 ,  位秋梅 ,  郑木鹏 ,  侯育冬 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

Abstract: 一种由钛酸铋钾和氧化锌构成的无铅复合铁电陶瓷及制备，属于铁电陶瓷技术领域。为了抑制K0.5Bi0.5TiO3的退极化现象，提高铁电性能，以K2CO3、TiO2、Bi2O3及ZnO为原料，通过二步固相法合成无铅铁电复合陶瓷K0.5Bi0.5TiO3:ZnO。通过X射线衍射、扫描电子显微镜和介电测试，分析了复合陶瓷的微观结构和介电行为。结果表明：K0.5Bi0.5TiO3中ZnO后，复合陶瓷中生成了第三相Zn2TiO4，ZnO的引入抑制了K0.5Bi0.5TiO3由正常铁电体向弛豫铁电体的相转变，对K0.5Bi0.5TiO3的应用和研究有着重要的作用。

公开(公告)号：CN105859283B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201610299313.0

申请日：2016-05-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  郭金键 ,  李玲 ,  郑木鹏 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  王如志 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: K0.5Bi0.5TiO3–BiNi0.5Zr0.5O3电致伸缩陶瓷材料及制备，属于钙钛矿结构铁电陶瓷领域。用通式(1‑x)K0.5Bi0.5TiO3‑x BiNi0.5Zr0.5O3(0

公开(公告)号：CN105732024B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201610035194.8

申请日：2016-01-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  胡彬彬 ,  郭金键 ,  郑木鹏 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  王如志 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 新型二元系K0.5Bi0.5TiO3–BiMg0.5Zr0.5O3无铅压电陶瓷材料及制备，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域。材料用通式(1‑x)K0.5Bi0.5TiO3‑x BiMg0.5Zr0.5O3(0

公开(公告)号：CN109400153A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811183788.9

申请日：2018-10-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  闫晶 ,  于肖乐 ,  郑木鹏 ,  朱满康

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/622

Abstract: 一种应用于压电能量收集具有高换能系数的四元系陶瓷材料及制备，属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基本化学组成为(0.2-x)PZN-xPIN-0.8PZT，x为0.000～0.100。以ZnO、In2O3、Nb2O5、Pb3O4、ZrO2、TiO2为原料，采用湿磨、烘干、造粒、压制成型、烧结步骤。本发明实现了有效调控压电电荷常数和介电常数的非协同变化趋势，为进一步发展高性能压电能量收集材料提供了全新的设计思路，并且对大幅度增强压电能量收集器件的机电转换性能及工业化应用具有重大的推进作用。

公开(公告)号：CN109336588A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811183753.5

申请日：2018-10-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  徐玉茹 ,  贾文旭 ,  郑木鹏 ,  朱满康

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/634

Abstract: 一种高温稳定高介低损耗高绝缘无铅陶瓷电容器材料及制备，属于电子元器件材料领域。化学式(1-x)(0.8Bi1/2Na1/2TiO3-0.2Bi1/2K1/2TiO3)-xBi(Mg2/3Nb1/3)O3，x＝0.2-0.3，以Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、TiO2、Nb2O5和4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O为原料。先球磨混料，然后在900℃高温下煅烧3h，再进行二次球磨，烘干后研磨成粉状，以聚乙烯醇缩丁醛酒精溶液作粘结剂造粒，过筛压制成型，于650℃下保温4h排出胶体，在空气气氛中1050℃进行烧结，保温3h，随炉自然冷却至室温。本发明操作方法简单，制备周期短，成本低。

公开(公告)号：CN109205662A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811394020.6

申请日：2018-11-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  付靖 ,  付雨童 ,  郑木鹏 ,  朱满康

IPC: C01G23/00

CPC classification number: C01G23/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/20

Abstract: 两步熔盐法制备片状BaTiO3微米晶的方法，属于电子陶瓷材料技术领域。通过两步熔盐法，以第一步熔盐过程，BaCO3以及锐钛矿TiO2作为原料，NaCl和KCl(NaCl:KCl＝1:1)共晶盐作为介质，在950～1050℃得到的Ba6Ti17O40片作为模板，在第二步熔盐过程中，合成纯相的片状BaTiO3微米晶材料。本发明生产方法工艺简单、能耗低、片状BaTiO3微米晶具有大的直径厚度比、形貌较均匀。提供了一种可大量制备片状BaTiO3微米晶的新途径。

公开(公告)号：CN104362250B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410542348.3

申请日：2014-10-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  魏纪周 ,  邓浩亮 ,  楚上杰 ,  杜敏永 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王波 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  汪浩

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于磁性材料领域，提供一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结，以La0.7Sr0.3MnO3作为铁磁层及底电极层，掺杂有Ba、Ca、Sr、Pb中的一种或多种的BiFeO3作为反铁磁层，钙钛矿结构的铝酸镧、钛酸锶或镓酸钕单晶为衬底。本发明还提出所述铁磁/反铁磁异质结的制备方法。本发明提出的材料具有明显的电致阻变性能，在同一电场强度下具有两个不同的电阻状态，通过循环多次测量E‑I曲线可知，两个电阻状态保持较好，材料具有较好的耐疲劳性能。对材料的P‑E曲线分析，材料具有较好的铁电性，在电场强度为60KV/cm时，材料的剩余极化强度为Pr＝2.85μC/cm2。

公开(公告)号：CN107892567A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201711072282.6

申请日：2017-11-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  郭志华 ,  位秋梅 ,  赵海燕 ,  郑木鹏 ,  侯育冬

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种(Bi1/2K1/2)TiO3基二元无铅压电陶瓷及其制备，属于压电陶瓷领域。所用的原料为Bi2O3,K2CO3,TiO2,Sb2O3和MnCO3，实现了无铅陶瓷的制备。该体系在800-900℃进行煅烧，1040-1070℃进行烧结Bi(Mg2/3Sb1/3)O3的加入，成功了提高了KBT的压电性能，在准同型相界(MPB)x＝1.5％附近，退极化温度Td＝200℃，d33＝104pC/N。在传感器，致动器,滤波器等方面具有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN104360424B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201410560036.5

申请日：2014-10-19

Applicant: 北京工业大学 ,  首都师范大学

Inventor： 严辉 ,  吕晶 ,  袁瑞玚 ,  宋雪梅 ,  耿超 ,  张铭 ,  王如志 ,  汪浩 ,  王波 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  刘晶冰

IPC: G02B5/00

Abstract: 一种基于L型结构的宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料技术领域。该太赫兹超材料吸收器，包括金属反射层、介质层和金属图案层。所述金属反射层为一层连续的金属薄膜，其厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层位于金属反射层和金属图案层之间，为二氧化硅薄膜；金属图案层，由呈L型的单元超材料结构周期性排列而成，且每个L型单元超材料结构均由相互垂直的水平臂和垂直臂连接组成。本发明通过合理设计L型结构的几何尺寸、晶格周期以及中间介质层的厚度，可以实现对垂直入射到超材料表面的电磁波完全吸收的特性。本发明图形结构简单、不需要多层材料堆叠，且具有宽频带高吸收的特性，可用于电磁波的收集和探测装置。