公开(公告)号：CN107892567A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201711072282.6

申请日：2017-11-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  郭志华 ,  位秋梅 ,  赵海燕 ,  郑木鹏 ,  侯育冬

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种(Bi1/2K1/2)TiO3基二元无铅压电陶瓷及其制备，属于压电陶瓷领域。所用的原料为Bi2O3,K2CO3,TiO2,Sb2O3和MnCO3，实现了无铅陶瓷的制备。该体系在800-900℃进行煅烧，1040-1070℃进行烧结Bi(Mg2/3Sb1/3)O3的加入，成功了提高了KBT的压电性能，在准同型相界(MPB)x＝1.5％附近，退极化温度Td＝200℃，d33＝104pC/N。在传感器，致动器,滤波器等方面具有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN107892567B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201711072282.6

申请日：2017-11-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱满康 ,  郭志华 ,  位秋梅 ,  赵海燕 ,  郑木鹏 ,  侯育冬

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种(Bi1/2K1/2)TiO3基二元无铅压电陶瓷及其制备，属于压电陶瓷领域。所用的原料为Bi2O3,K2CO3,TiO2,Sb2O3和MnCO3，实现了无铅陶瓷的制备。该体系在800‑900℃进行煅烧，1040‑1070℃进行烧结Bi(Mg2/3Sb1/3)O3的加入，成功了提高了KBT的压电性能，在准同型相界(MPB)x＝1.5％附近，退极化温度Td＝200℃，d33＝104pC/N。在传感器，致动器,滤波器等方面具有巨大的应用潜力。