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公开(公告)号：CN112332210B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202011204353.5
申请日：2020-11-02
Abstract: 本发明公开了一种基于衬底散热的VCSEL阵列芯片封装结构，包括：自顶部至底部依次设置的顶发射VCSEL阵列芯片、衬底层、焊料层和热沉；衬底层被刻蚀为片状结构，焊料层上设有过水结构，热沉上设有过水槽、进水口和至少一个出水口；片状结构、过水结构和过水槽构成了连续的水冷通道，水冷通道具有一个进水端和至少一个出水端；水冷通道的进水端与进水口相连、至少一个出水端与至少一个出水口对应相连。本发明使用水流散热系统代替传统的固体热沉散热片装置，将水冷和固体热沉相结合，弥补了传统的固体热沉散热片装置在工作一段时间后散热效果变差的缺陷，有效地改善了顶发射VCSEL阵列芯片散热问题。
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公开(公告)号：CN112342614B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202011163933.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种生长大尺寸片状SiC单晶的装置及方法，包括：坩埚；坩埚内放置有SiC原料，坩埚上设有至少一组进气通道和回流通道，进气通道内设有导模板，在进气通道与回流通道的连接处设有籽晶，籽晶通过在籽晶杆连接在籽晶夹持器；坩埚受热后，SiC原料受热分解产生Si蒸气，Si蒸气与坩埚的侧壁和导模板的侧壁上的C发生反应，反应生成的产物在籽晶上生成SiC单晶；多余的Si蒸气在抽风机的作用下通过回流通道重新进入坩埚中。本发明采用PVT法和导模法相结合的方式，结合层流理论，来对SiC单晶的生长进行控制。本发明能够有效节约材料，降低生产成本，提高单晶尺寸和质量，具有良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN112342614A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011163933.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种生长大尺寸片状SiC单晶的装置及方法，包括：坩埚；坩埚内放置有SiC原料，坩埚上设有至少一组进气通道和回流通道，进气通道内设有导模板，在进气通道与回流通道的连接处设有籽晶，籽晶通过在籽晶杆连接在籽晶夹持器；坩埚受热后，SiC原料受热分解产生Si蒸气，Si蒸气与坩埚的侧壁和导模板的侧壁上的C发生反应，反应生成的产物在籽晶上生成SiC单晶；多余的Si蒸气在抽风机的作用下通过回流通道重新进入坩埚中。本发明采用PVT法和导模法相结合的方式，结合层流理论，来对SiC单晶的生长进行控制。本发明能够有效节约材料，降低生产成本，提高单晶尺寸和质量，具有良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN112117640A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011204317.9
申请日：2020-11-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种衬底型衍射光学元件VCSEL分光结构及制备方法，自下而上依次包括：热沉、底发射VCSEL阵列芯片、带有二元衍射光栅的衬底层、超表面结构层、保护层和增透膜层；所述衬底层的底部设有所述底发射VCSEL阵列芯片，所述衬底层的顶部设有二元衍射光栅，所述超表面结构层的组成微元呈正方形网格结构排布。本发明在底发射VCSEL芯片上键合衍射光学元件，将VCSEL芯片每个发光单元发射的激光分束，使输出激光束数量级增大；以及在衍射光学元件之上键合超表面结构层，用于激光分束后聚焦。本发明设计的衬底型衍射光学元件的VCSEL分光结构可以在半导体工艺下一步制成，且不需要外部光学元件，易实现器件小型化、芯片化。
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公开(公告)号：CN110429031A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910776538.4
申请日：2019-08-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种降低砷化镓薄膜材料中缺陷的方法，包括：提供表面为GaAs薄膜材料的基片；将基片置于真空退火炉内，在600℃-1250℃进行退火处理；随后在GaAs薄膜材料的表面制备一层保护层；将带有保护层的基片放置于离子注入机内进行Ga离子注入；再把该保护层腐蚀去除后，将基片放置于真空退火炉中，装入在热处理温度下产生特定砷蒸汽压时所需保护砷；抽真空，调节压力和温度，进行退火处理，退火温度为600℃-1250℃；将炉内温度降至室温，取出基片，最终获得有低缺陷甚至无缺陷的GaAs薄膜材料的基片。本发明的方法简单快捷，可用于改善砷化镓薄膜的质量，从而用于制备高质量的砷化镓基光电器件以及电力电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109490253A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811600516.4
申请日：2018-12-26
Abstract: 本发明公开了一种新型模拟自然光双向反射分布函数测试装置，包括：测试光源、测试室和信号处理系统；测试光源包括卤素灯光源和可见光超连续谱激光光源，卤素灯光源经准直后的光束、可见光超连续谱激光光源的激光束经多层介质膜光栅后合为一合束光；合束光入射至测试室内的待测样品上，经待测样品散射后，散射光信号被测试室内的光电探测器接收，光电探测器输出信号至信号处理系统进行处理，得到待测样品的双向反射分布函数。本发明可选择被样品吸收率较低的卤素灯光源或可见光超连续谱激光光源作为测试光源，降低光学系统误差；可见光超连续谱激光光源在测试时可直接照射到待测样品上，无需进行准直，入射光照度光学系统误差和测量值误差较小。
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公开(公告)号：CN108878457A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810730800.7
申请日：2018-07-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了SOI基复合集成PHEMT和MOSFET的外延结构及制备方法，该外延结构由复合集成在同一SOI衬底上的GaAs基PHEMT和MOSFET构成；SOI基PHEMT和MOSFET结构区被InGaP腐蚀隔离层隔开；制备方法为：在SOI衬底基础上生长GaAs层，再在GaAs层上依次生长各层得到PHEMT，InGaP腐蚀隔离层在GaAs N型高掺杂盖帽层上外延生长而成；MOSFET由在InGaP腐蚀隔离层上依次外延生长而成；经过相应的外延和材料沉积工艺，可以达到单片复合集成SOI基PHEMT和MOSFET器件的目的。本发明可用于5G通讯中将功放器件和模拟器件实现单芯片集成。
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公开(公告)号：CN102240846B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110164672.2
申请日：2011-06-17
Applicant: 山西飞虹激光科技有限公司 , 北京工业大学
Abstract: 提供一种全光纤结构线偏振脉冲光纤激光加工装置，其包括：光纤激光器，用于产生脉冲激光；多个放大级单元，分别包括偏振相关隔离器、泵浦源、偏振相关合束器以及双包层保偏光纤；以及依次配置在所述多个放大级单元的最终输出端一侧的偏振相关准直隔离器、偏振分光器和λ/4波片，使得从所述多个放大级单元输出的经放大的激光经过所述偏振相关准直隔离器、偏振分光器和λ/4波片之后照射在被加工件上，而且，由所述被加工物件反射而沿光轴返回的激光经过所述λ/4波片之后，其偏振方向变成与原偏振方向垂直，从而被所述偏振分光器向与光轴垂直的方向反射。根据本发明的线偏振脉冲激光器，其稳定性高、成本低且带有防反射光功能。
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公开(公告)号：CN102248286A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110164379.6
申请日：2011-06-17
Applicant: 山西飞虹激光科技有限公司 , 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种线偏振脉冲光纤激光加工装置，其包括：线偏振固体激光器，用于产生线偏振脉冲激光；多个放大级单元，分别包括偏振相关隔离器、泵浦源、偏振相关合束器以及双包层保偏光纤；以及依次配置在所述多个放大级单元的最终输出端一侧的偏振相关准直隔离器、偏振分光器和λ/4波片，使得从所述多个放大级单元输出的经放大的激光经过所述偏振相关准直隔离器、偏振分光器和λ/4波片之后照射在被加工件上，而且，由所述被加工物件反射而沿光轴返回的激光经过所述λ/4波片之后，其偏振方向变成与原偏振方向垂直，从而被所述偏振分光器向与光轴垂直的方向反射。根据本发明的线偏振脉冲激光器，其稳定性高、成本低且带有防反射光功能。
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公开(公告)号：CN212033023U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020591934.8
申请日：2020-04-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型实施例提供一种二维光子晶体结构像元阵列，所述二维光子晶体结构像元阵列包括：多个二维光子晶体像元，所述二维光子晶体像元为六边形，多个所述二维光子晶体像元密排为二维阵列。本实用新型实施例提供的二维光子晶体结构像元阵列，采用六边形的二维光子晶体像元密排的方式，在整机体积相同的情况下，可以容纳更多像元，有效提高了像元占空比，在成像质量要求相同的情况下，可以极大地缩小传感器尺寸和光学系统尺寸，进而缩小整机体积，同时降低对光学系统长焦的要求，节约成本。
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