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公开(公告)号：CN113851923A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111217165.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及激光器封装技术领域，尤指一种激光器TO封装结构，包括管座、罩设于管座的管壳、设置在管座上的管舌、激光器芯片及过渡热沉；激光器芯片通过过渡热沉与管舌连接；管舌的外表面设有相变材料层。本发明可以通过管舌上的相变材料层进行相变潜热散热，提高了激光器的散热能力；另外由于激光器芯片与管舌之间通过过渡热沉连接，过渡热沉可以消除温度变化过快而导致产生应力的情况发生，使系统保持稳定工作状态。
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公开(公告)号：CN113571505A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110790367.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L25/075 , G02B30/52 , H01L33/00 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种立体显示装置及加工方法、立体显示屏，应用于电子显示技术领域。本发明提供的立体显示装置包括发光显示模块和控制电路模块，所述发光显示模块与所述控制电路模块电连接，其特征在于，所述发光显示装置包括多层发光层，每层所述发光层经过压制贴合构成所述发光显示装置；所述发光显示模块与所述控制电路模块通过柔性电路模块进行电连接；所述控制电路模块通过控制电路控制所述发光显示装置的工作状态。本发明提供的立体显示装置用以提高立体显示装置的成像效果。
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公开(公告)号：CN110616462B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910965282.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一：把C/GaN复合衬底与固体的Ga‑Na源材料一起置于高压反应釜的坩埚中，密封高压反应釜，通入高纯氮气，在室温条件下将高压反应釜加压至过渡压力；步骤二：对步骤一中加压至过渡压力的高压反应釜升温并继续加压，加压升温至生长条件，开始GaN单晶生长；步骤三：继续通入高纯氮气，GaN单晶生长达到目标厚度后，从高压反应釜中取出坩埚及晶体，即得GaN单晶衬底，本发明通过在Ga/Na熔体中插入C/GaN复合衬底，在提供GaN籽晶的同时又能提供碳元素，即有利于GaN薄膜的成核与生长，又能有效抑制GaN多晶的产生，从而提高GaN单晶的生长速率与晶体质量。
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公开(公告)号：CN110504231B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910880306.3
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/14 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体功率器件，包括基板和功率芯片，还包括覆盖层，基板设有图形化单元，基板的厚度匹配功率芯片设置，功率芯片的高度低于基板的厚度，功率芯片对应图形化单元安装，覆盖层盖设于基板设有图形化单元的一面，功率芯片经覆盖层覆盖安装于基板，本发明结构简单，设计合理，图形化单元的高度匹配功率芯片的厚度设置，装设后，功率芯片的高度低于基板，便于覆盖层的设置，也便于散热，使用效果好；本发明的制备方法，其工艺简单，便于工业化生产制造，且制备的半导体功率器件散热效果好。
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公开(公告)号：CN112064111A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010830589.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种大直径金刚石片的制备装置及其制备方法，该装置包括包括壳体、直径检测单元、升降式旋转支架和掩膜单元，壳体通过狭缝隔板分成上腔室和下腔室，上腔室内设有微波等离子体；本发明的方法通过升降式旋转支架带动金刚石圆片转动及升降，金刚石圆片一部分穿过狭缝隔板暴露在微波等离子体中，掩膜单元在金刚石圆片上涂布掩膜，抑制金刚石圆片的轴向生长，使得金刚石圆片只沿着径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片；并且根据直径检测单元的反馈，随着金刚石圆片直径生长变大，升降式旋转支架逐步降低，维持金刚石圆片的顶部高度不变，以便在微波等离子体下形成稳定的生长环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108336201B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810074402.4
申请日：2018-01-25
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种新型图形化衬底，包括衬底，所述衬底上外延生长有核心层和包层，包层包覆在核心层外，包层与核心层保持同一高度或者不同高度，核心层和包层都至少设置一层，当核心层和包层设置两层或者两层以上时，不同的核心层的高度、形状相同或不同，不同的包层的高度、形状相同或者不同。本发明能够沿核心层向外，逐步加工出具有不同晶格、不同热膨胀系数以及应力应变系数的多层材料，根据需要做多种选择，可以得到小曲率半径、高质量外延层，对于光电子器件的发展，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110616459A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201911063360.5
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种大颗粒金刚石的制备装置及其制备方法，本发明的大颗粒金刚石的制备装置包括沉积腔体，还包括吹气单元、排气单元和等离子体单元，吹气单元设有进气管路，进气管路伸入沉积腔体一端设为喇叭状开口，并在喇叭状开口处设有若干个吹气小孔，本发明通过设置于喇叭状开口处的若干个吹气小孔吹出气流，使得进气管路内的气压大于沉积腔体内的气压，两者的压力差使得金刚石籽晶悬浮在进气管路喇叭状开口处上方并三维旋转，从而实现籽晶可以在三维方向均衡生长；本发明的制备方法，其工艺简单，制备效率高，且制得的大颗粒金刚石质量好，满足工业化的生产制造。
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公开(公告)号：CN110491978A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910886342.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法、应用LED芯片结构的巨量转移方法，本发明的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本发明提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移；本发明的制备方法，工艺简单，制备容易，且制得的LED芯片结构紧凑合理，便于进行巨量转移；本发明提供的应用LED芯片结构的巨量转移方法，步骤操作简单，对位容易，巨量转移方便。
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公开(公告)号：CN109585582A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811486186.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，特别是涉及一种用于太阳能发电的透明导电面板，包括透明底板、透明电荷收集层和主导电层，所述透明电荷收集层和主导电层贴覆在所述透明底板上，所述主导电层呈线条状或网纹状或蜂窝状与所述透明电荷收集层连接。采用三层结构代替现有主流技术的两层结构，使得透明导电面板的透光率和电阻之间不相关，即可以同时提高透光率并降低整体电阻；可大比例减少透明导电材料的用量，既可节约成本又可以提高透光率；采用线条状或网纹状或蜂窝状的导电材料来承担主导电作用，这种类似镂空的结构既有陷光效果可维持高透过率又可以保证良好的导电性，还可以扩大选材范围，为降低器件成本提供便利。
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公开(公告)号：CN109440189A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811615323.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种光调制局部加强的晶体生长装置，包括反应釜、激光光源、设置在反应釜内的坩埚、装载在坩埚内反应溶液、浸在反应溶液内的籽晶以及光束整型元器件，反应釜设有入射窗口，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件设于入射窗口与籽晶之间，通过光束整型元器件可将光束汇聚在籽晶的局部位置或通过光束整型元器件可减弱籽晶局部位置的光束，与现有技术相比，本发明增设有光束整型元器件，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件可汇聚或减弱光束，光束通过光束整型元器件后在籽晶背面形成明暗区域，从而实现籽晶局部位置的光强度和温度调整，有效局部地增强或减弱晶体生长速率。
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