-
公开(公告)号：CN113628956B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110678808.5
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种复合孔径薄膜，包括堆叠的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层，所述第一掺杂硅层上分布有纳米尺度的通孔，所述第二掺杂硅层上分布有微米尺度的通孔，所述第一掺杂硅层的掺杂浓度大于所述第二掺杂硅层的掺杂浓度。本发明还涉及所述复合孔径薄膜的制备方法。本发明的复合孔径薄膜在厚度方向具有跨微纳尺度变孔径特征，在生物传感、光学、传热等领域内具有提升的性能。本发明的制备方法解决了常规微纳加工工艺难以实现跨尺度变孔径多孔薄膜的制备技术现状，通过表面掺杂工艺改变衬底表面的掺杂浓度，并通过电化学腐蚀工艺制备出在厚度方向具有跨微米至纳米尺度变孔径特征的多孔硅薄膜。
-
公开(公告)号：CN118016522A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410189160.9
申请日：2024-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3065 , H01L29/06 , B81C1/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本申请提供一种基于过度曝光的硅柱结构及其制备方法，涉及电子制造领域，包括：提供硅基衬底；在硅基衬底的一侧形成掩膜层；基于激光直写的光刻工艺对掩膜层进行过度曝光处理，形成与多个第一区域对应的多个第一通孔，其中，相邻第一通孔沿行方向和列方向的侧壁部分连通，以在第二区域形成阵列排布的多个第一结构；基于多个第一结构对硅基衬底靠近掩膜层的一侧进行刻蚀，形成与多个第一结构对应的多个硅柱。本申请采用激光直写的光刻工艺对掩膜层进行曝光处理，降低了对光刻精度的要求，且通过过度曝光的方式形成多个更小尺寸的第一结构，从而基于第一结构刻蚀得到高特征比的硅柱，有效降低了制备高特征比的硅柱结构的工艺复杂性和工艺成本。
-
公开(公告)号：CN117965272A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410368003.4
申请日：2024-03-28
Applicant: 北京大学人民医院
IPC: C12M1/00
Abstract: 本发明涉及生物医学技术领域，公开了一种用于细菌培养的微流控芯片、细菌培养系统及细菌培养方法，该微流控芯片包括基板和微通道结构，微通道结构设置于基板，微通道结构包括多组呈矩阵排列的半开放微孔单元和多条并联设置的分支通道，每组半开放微孔单元对应一条分支通道连接并连通，每组半开放微孔单元包括至少一个半开放微孔，半开放微孔背离基板的一端具有敞口。本发明通过设置多组呈矩阵排列的半开放微孔单元，顶部敞口的半开放式设计以气液界面替代固液界面，可使细菌处于较为富氧的状态，并使细菌周边的氧气和营养物质得到持续更新，实现细菌的高效生长，提高细菌的生长效率，同时，半开放式设计还可便于在培养过程中灵活便捷地进行取样。
-
公开(公告)号：CN115275003B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210842412.4
申请日：2022-07-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器，包括：存储第一液体的第一容器，存储第二液体的第二容器，以及位于第一容器和第二容器之间的工作层；其中，工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道；第一容器和第二容器的腔室尺寸，是纳米孔道的孔径和长度的至少100倍，第一液体和第二液体电导率不同且互不相溶，在纳米孔道中形成液‑液界面；纳米孔道的内壁面在第一液体中发生水解之后带负电；随着纳米孔道的两个开口端之间所施加的电压的大小的改变，液‑液界面基于电渗流作用在纳米孔道内移动。本申请实施例基于容器和纳米孔道，能快速实现纳流体界面型忆阻器对电压的增强型响应，可用于提高兴奋型人工神经突触器件的性能。
-
公开(公告)号：CN117747455A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410190422.3
申请日：2024-02-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/027
Abstract: 本申请提供一种基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；在所述晶圆基底的一侧形成掩膜层，基于激光处理工艺对掩膜层进行曝光处理，在掩膜层形成多个贯穿掩膜层的通孔，并在通孔内填充第一金属；去除掩膜层，对晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理，形成阵列排布的多个微凸点，微凸点的直径小于或等于2μm；在微凸点的间隙中形成绝缘层，得到微凸点基板。本申请通过激光处理工艺对掩膜层进行处理，可以在掩膜层上形成直径更小、厚度更大的通孔，基于激光处理工艺形成的通孔可以制备得到具有直径小于2微米的微凸点的基板。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117554340A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311329741.X
申请日：2023-10-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及分析检测技术领域的一种激光诱导荧光检测系统及检测方法，激光诱导荧光检测系统包括：二色镜，二色镜形成有激光入射光路、激光反射光路和荧光接收光路；激光器，激光器设于激光入射光路；收集物镜，收集物镜设于激光反射光路；三维平台，三维平台设于激光反射光路，三维平台位于收集物镜远离二色镜的一侧，三维平台靠近收集物镜的一侧形成微芯片放置台，三维平台能够调整微芯片放置台的空间位置；光电检测模块，光电检测模块设于荧光接收光路。本申请的激光诱导荧光检测系统可以实现对低浓度的蛋白质和其他生化小分子进行检测，其具有很高的灵敏度和很快的响应速度，且其微型化使得其占用空间很小。
-
公开(公告)号：CN116960009B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310877128.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本申请提供一种晶圆键合方法和键合结构，涉及半导体技术领域，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一表面上依次沉积阻挡层、种子层；在种子层上制备第一支撑层，在第一支撑层上，通过刻蚀制备得到多个待填充盲孔，待填充盲孔的底部为种子层；在待填充盲孔中填充与种子层匹配的金属材料，在金属材料上填充焊料，得到凸点；去除第一表面上除凸点以外的所有材料；在种子层上制备第二支撑层；在第二表面上制备嵌入多个金属衬垫的绝缘层；使第一晶圆与第二晶圆进行对准，使第一晶圆上的凸点与第二晶圆上的金属衬垫一一接触；键合第一晶圆与第二晶圆。
-
公开(公告)号：CN113651288B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110768772.X
申请日：2021-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种新型、高效的用于制备间隔墙上具有纳米通孔的微通道结构的方法。本发明方法利用硅材料的电化学腐蚀反应具有沿特定晶向生长的特点，在硅基微通道结构的间隔墙的两个侧壁上制备出横向生长的纳米盲孔结构。本发明方法采用电化学抛光工艺将电化学腐蚀反应的反应界面以各向同性的方式向侧向扩展，从而在间隔墙的中间部分形成两个分别与两侧的纳米盲孔结构连通的内腔；并通过将相邻内腔组合形成新的微通道结构，制备出了间隔墙上具有纳米通孔的微通道结构。
-
公开(公告)号：CN116598273A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310357664.2
申请日：2023-04-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/528 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种硅基填埋扇出结构及其制备方法，该硅基填埋扇出结构包括硅衬底、至少一个芯片、介质层和金属布线层，硅衬底上表面上开设有凹槽；所述凹槽的侧壁和底面以及所述硅衬底的上表面上均覆盖一层Cu/Sn合金层；所述芯片置于所述凹槽内，所述芯片与所述凹槽的侧壁之间存在缝隙；所述介质层覆盖所述芯片的上表面及所述Cu/Sn合金层设置，且充填所述缝隙；所述介质层上开设有通向所述芯片和/或所述Cu/Sn合金层的通孔；所述金属布线层置于所述介质层上方且充填所述通孔。本发明基于硅基填埋扇出技术，采用Cu/Sn合金层作为黏附层，增强了射频系统的散热能力，且制备了完整的金属接地互连，确保射频信号的一致性。
-
公开(公告)号：CN116494647A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310376214.8
申请日：2023-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种喷墨打印装置和压电式喷墨打印机，旨在解决现有的喷墨打印装置中的喷墨打印单元之间声学干扰严重的技术问题。喷墨打印装置包括：供墨通道；至少二个喷墨打印单元，至少二个喷墨打印单元彼此平行且间隔排列，至少二个喷墨打印单元均与供墨通道连通，每个喷墨打印单元均包括：压力腔室；限流腔室，限流腔室设置在供墨通道和压力腔室之间；隔离腔室，隔离腔室设置在供墨通道和限流腔室之间，压力腔室依次通过限流腔室和隔离腔室与供墨通道连通，隔离腔室的沿垂直于长度方向的截面面积大于限流腔室的沿垂直于长度方向的截面面积；压电驱动模块，压电驱动模块连接至压力腔室，压力腔室在压电驱动模块的驱动下产生声波。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
306
records
(took 0.043 seconds)
