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公开(公告)号：CN109492740B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811332134.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06K19/077 , H02M3/155
Abstract: 本发明涉及电压转换器以及集成了这种电压转换器的射频识别装置。电压转换器包括：第一升压单元，其被配置为在第一时钟信号和第二时钟信号的影响下，基于所接收到的输入信号，在第一输出端生成第一升压信号，并在第二输出端生成第二升压信号；第二升压单元，其被配置为在第一时钟信号和第二时钟信号的影响下，基于第一升压信号与第二升压信号，生成第三升压信号与第四升压信号。电压转换器还包括输出单元，其被配置为基于第三升压信号与第四升压信号，来生成输出信号。通过本发明的技术方案，可以减少电压转换器上的阈值电压损失和导通电阻，提升电压转换器的输出电压和驱动能力。
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公开(公告)号：CN113436579A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110525598.6
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3258 , G09G3/32 , H01L27/32
Abstract: 本申请涉及一种三维集成电路及其制造方法。本申请提供了一种有源阵列的显示器像素单元电路，包括寻址晶体管，其第一极配置为接收显示数据信号，其控制极配置为接收扫描信号，所述寻址晶体管为NMOS晶体管；驱动晶体管，其控制极耦合到所述寻址晶体管的第二极，其第二极配置为接收高电平，所述驱动晶体管为PMOS晶体管；发光元件，其耦合在所述驱动晶体管的第一极和低电平之间；以及存储电容，其耦合在所述驱动晶体管的控制极和第二极之间。
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公开(公告)号：CN113421942A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110521681.6
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/113 , H01L31/119 , H01L31/032 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本申请提供了一种光电探测晶体管，包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极；其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料，在所述有源层中包括沟道和源漏电极，并且所述光电探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料；其中所述源漏电极是通过对相应区域的所述有源层材料进行等离子体处理获得。本申请还公开了相应的制备光电探测晶体管和利用其感光的方法。
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公开(公告)号：CN108898992B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201810858008.X
申请日：2018-07-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 昆山龙腾光电有限公司
IPC: G09G3/3266 , G09G3/32 , G11C19/28
Abstract: 本申请公开了一种移位寄存器单元包括输入模块，配置为接收输入信号；输出和低电平维持模块，耦合到所述输入模块的输出端，并在第一时钟信号的影响下，将所述输入信号传输到所述移位寄存器单元的输出端；反相模块，耦合在所述输入模块和所述输出和低电平维持模块之间，其配置为基于所述输入信号向所述输出和低电平维持模块提供放电和/或低电平维持控制信号；以及抑制模块，耦合在所述输入模块的输出端以及所述反相模块的输出端之间，配置为在所述存储器单元输出端不输出有效电平的时候部分或者全部的抑制所述第一时钟信号跳变对所述移位寄存器单元输出的影响。
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公开(公告)号：CN112511769A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011226144.0
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04N5/341 , H04N5/353 , H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电成像技术领域，具体涉及一种图像传感像素电路、图像传感阵列以及图像传感器。其中，像素电路包括光敏单元、存储单元和读出单元；光敏单元用于接受入射光曝光以产生光电信号，并且该光敏单元在光照撤去之后其产生的光电信号仍能保持第一预设时间；存储单元与光敏单元耦合，该存储单元用于在积分阶段将光电信号进行存储得到第一电信号，积分阶段至少包括曝光结束后的第一预设时间；读出单元用于将存储单元存储的第一电信号输出。本申请的光敏单元的曝光以及积分方法使得光敏单元具有的良好的光电转化能力，从而在较高的帧率情况下，以较快的速度读出图像信号，并且图像传感像素电路的结构简单、可实现较高的空间分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112466915A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011298860.X
申请日：2020-11-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，衬底以及位于衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层分别位于不同层；第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管以及传感器件晶体管，传感器件晶体管用于感应外部环境信息。由于将显示器件和传感器件做在同一背板上，并将两种器件的控制TFT设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，同时还将独立的传感器件替换为具有其相同功能的薄膜晶体管，使得原本至少为两层的光感器件层和光感器件控制TFT层简化为一层，大大的减少了屏内光感传感器工艺流程，降低屏内光感应用的工艺成本。
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公开(公告)号：CN109658868B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910070697.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3291
Abstract: 本申请提供了一种显示器源极驱动电路包括，加法器单元加法模块，其被配置为在时钟信号的影响下，在第一时间段中对多个输入信号进行采样；保持模块，其被配置为在所述时钟信号的影响下在第一时间段提供保持信号；以及驱动模块，其被配置为在所述第一时间段中基于所述保持信号生成第一输出信号，在第二时间段中基于所述多个输入信号的叠加信号生成第二输出信号；其中，所述多个输入信号中至少包括数据信号和补偿信号，并且第一时间段以及第二时间段为与所述时钟信号中相邻的时间段。采用本申请所提供的加法器单元的源极驱动电路能够在模拟域上对输入信号进行叠加，有效地改善了显示精度。
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公开(公告)号：CN111355901A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010184227.1
申请日：2020-03-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请提供了一种光电传感器，包括光敏单元，配置为在曝光阶段接收入射光并产生光生电流，其具有光记忆功能，即入射光撤除后仍然在所述光敏单元内保持光生电流；以及存储单元，耦合到所述光敏单元，配置为在积分阶段将所述光生电流转化为光生电荷或光生电压并进行存储或保持，其中所述积分阶段至少包括曝光阶段结束后的预设时间段。本申请还提供了包括这种光电传感器的像素电路、包含这种像素阵列的图像传感器和电子设备以及相应的光电感测方法。
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公开(公告)号：CN109285505A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811301619.0
申请日：2018-11-02
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/3266 , G09G3/36 , G11C19/28
Abstract: 本申请公开了一种移位寄存器单元电路、栅极驱动电路和显示装置，提出了具有交叉耦合的正反馈增强管和自举电容的动态反相器设计，能够较好地抑制栅极驱动电路关键节点上的泄漏电流。相比于传统的栅极驱动电路，本申请的栅极驱动电路不存在直流通路，电路功耗更低；容许的薄膜晶体管阈值电压范围更大，更适合大尺寸平板显示器上集成的需要。
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公开(公告)号：CN105702192B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610127583.3
申请日：2016-03-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/20
Abstract: 本申请公开了移位寄存器单元及其应用的移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置。其中移位寄存器单元包括：输入模块(21)，用于从第一脉冲信号输入端接收输入的第一脉冲信号(VI1)；驱动模块(22)，用于在获得驱动电压后，将第一时钟信号(VA)的高电平脉冲传送到信号输出端；下拉模块(23)，用于在下拉控制信号的控制下将驱动控制端下拉至第二低电平；低电平维持模块(24)，用于在非选通状态时，将驱动信号输出端维持在第一低电平，将传递信号输出端维持在第二低电平，其中第二低电平小于第一低电平。本申请通过设计两个低电位源，在移位寄存器单元的非选通阶段，将驱动控制端Q下拉至较低的电位，从而更好地抑制了馈通效应、驱动管漏电问题。
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