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公开(公告)号:CN114899224A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210411896.7
申请日:2022-04-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L29/872 , H01L29/812 , H01L21/02
Abstract: 一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法,其方法中通过在两种半导体有源层之间形成中间结构层材料,中间结构层材料一方面使得阻挡两种半导体有源层之间的金属元素的扩散,另一方面中间结构层材料的能带对于电子具有较低的势垒,使得电子在两种半导体有源层之间能够发生自由迁移或者大量隧穿,从而使得第一有源层和第二有源层之间能够形成较理想的异质结界面,获得更深的异质结势阱。形成更为理想的半导体异质结,使得真正利用和发挥异质结在金属氧化物半导体器件中的性能优势。提升了现有的高迁移率高稳定性的晶体管或高耐压性的二极管等器件的性能。
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公开(公告)号:CN112466916B
公开(公告)日:2023-02-07
申请号:CN202011298874.1
申请日:2020-11-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置,包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层,第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成,也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上,但两种器件的所对应的控制TFT,即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内,使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积,使得更好的发挥应用,同时能够降低工艺复杂性,还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。
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公开(公告)号:CN112466916A
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN202011298874.1
申请日:2020-11-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置,包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层,第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成,也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上,但两种器件的所对应的控制TFT,即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内,使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积,使得更好的发挥应用,同时能够降低工艺复杂性,还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。
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公开(公告)号:CN112466915A
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN202011298860.X
申请日:2020-11-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置,衬底以及位于衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层,第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层分别位于不同层;第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管以及传感器件晶体管,传感器件晶体管用于感应外部环境信息。由于将显示器件和传感器件做在同一背板上,并将两种器件的控制TFT设计在不同层内,使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积,同时还将独立的传感器件替换为具有其相同功能的薄膜晶体管,使得原本至少为两层的光感器件层和光感器件控制TFT层简化为一层,大大的减少了屏内光感传感器工艺流程,降低屏内光感应用的工艺成本。
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