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公开(公告)号：CN114678290A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011555811.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆化学处理装置及晶圆化学处理方法，其中晶圆化学处理装置包括：槽体、槽盖、测压器和气压调控模块；所述槽体的上表面开设有开口，所述开口用于提供晶圆进行化学处理的腔室；所述槽盖与所述槽体连接，所述槽盖与所述开口适配，所述槽盖用于将所述腔室形成密闭的空间；所述测压器固定设置在所述腔室内；所述气体调控模块用于根据测压器的测量结果，调节所述腔室内的压强。本发明能够通过调节腔室内的压强，以稳定化学液的沸腾状态，从而提高晶圆进行化学处理的效果。
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公开(公告)号：CN114678249A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011555729.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀装置，该刻蚀装置包括刻蚀腔、设置在刻蚀腔内的载台。在刻蚀腔内还设置有用于刻蚀氧化物掩膜的等离子体刻蚀组件、用于调整刻蚀腔内的压强的调压组件。还包括控制单元，控制单元用于控制调压组件调整刻蚀腔内的压强呈脉冲式变化。控制单元还用于在刻蚀腔内的压强为第一设定压强时，控制等离子体刻蚀组件刻蚀氧化物掩膜；在刻蚀腔内的压强为第二设定压强时，控制等离子体刻蚀组件停止刻蚀衬底上的氧化物掩膜。第一设定压强大于第二设定压强。使等离子体刻蚀组件呈高压刻蚀‑低压停止刻蚀‑高压刻蚀等间断脉冲式的刻蚀状态，实现对氧化物掩膜的去除，同时防止氧化物掩膜下方的较大的高宽比的硅槽结构倾斜或倒塌。
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公开(公告)号：CN114628317A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011443168.1
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种先通孔双镶嵌方法，包括以下步骤：在半导体衬底的介质层内形成连接孔通孔；在所述介质层的上方以及连接孔通孔内形成水溶性聚合物层；在所述水溶性聚合物层上依次形成硬掩膜层旋涂硬掩膜层、底部抗反射层以及光刻胶图案；执行光刻、刻蚀工艺，以在所述通孔的上方形成与通孔连通的沟槽；在所述通孔以及所述沟槽内填充Cu。
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公开(公告)号：CN111105971B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201911242296.7
申请日：2019-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种离子注入装置，属于半导体处理技术和设备领域，解决了现有技术中束线离子注入技术保型性差以及等离子掺杂技术易引入杂质、掺杂源受限的问题。本申请的离子注入装置，沿离子的运动方向，包括依次设置的起弧室和离子注入单元，离子注入单元包括底电极和横向电极；底电极位于衬底远离离子束线的一面，横向电极位于衬底的侧面，底电极与横向电极之间周期性地施加射频。本申请离子注入装置可用于衬底的保型掺杂。
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公开(公告)号：CN114551315A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011344660.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆定位装置、方法以及半导体工艺设备，包括旋转驱动机构、承托机构和晶圆对中装置，承托机构支撑于旋转驱动机构上，晶圆对中装置包括：升降驱动机构以及与升降驱动机构连接的多个倾斜对中块，通过升降驱动机构支撑每个倾斜对中块在承托机构上方的外围区域，升降驱动机构用于带动每个倾斜对中块的升降；其中，每个倾斜对中块的倾斜滑动面朝向承托机构，且距离承托机构中心的距离相同。通过本发明简化了对中过程，缩短了对中动作时间，提高了产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114520178A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011293552.8
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中边缘环的维修和养护的操作复杂、耗时长的问题。本发明的边缘环组件，包括多个沿轴向堆叠的边缘环、驱动边缘环沿轴向运动的升降组件以及用于移动顶部的边缘环的机械手。本发明的边缘环更换方法为开启升降组件，升降组件驱动多个边缘环向上运动，顶部的边缘环移出晶圆制造区域，机械手将顶部的边缘环移至反应室外，位于顶部的边缘环下方且与顶部边缘环相邻的边缘环进入晶圆制造区域，作为新的边缘环，从而完成边缘环的更换。本发明的边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘可用于晶圆制造。
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公开(公告)号：CN114520138A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011297698.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种绝缘窗、反应腔及电感耦合等离子体处理装置，涉及半导体技术领域，以解决由于陶瓷窗表面温度不均匀，生成聚合物颗粒，影响刻蚀工艺的良率和性能的问题。所述绝缘窗包括：绝缘窗本体、加热组件和温度控制组件。绝缘窗本体具有腔体结构。加热组件均匀的设置在腔体结构中，用于对绝缘窗本体进行加热。温度控制组件与加热组件相连接，用于调节加热组件的加热温度。所述反应腔包括上述技术方案所提的绝缘窗。所述电感耦合等离子体处理装置包括上述技术方案所提的绝缘窗。本发明提供的电感耦合等离子体处理装置用于处理晶圆。
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公开(公告)号：CN114496868A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011254619.7
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种晶圆传送机械臂夹、半导体加工设备和晶圆传送方法，属于半导体输送设备技术领域，解决了现有技术中半导体制造设备的传送设备在晶圆传送过程中的晶圆歪斜问题以及因此造成晶圆破损和后续工艺质量下滑的问题。本发明公开了一种晶圆传送机械臂夹，包括单组或多组夹爪，机械臂夹以夹取的方式实现晶圆的拾取和放置；夹爪包括固定部分和可移动部分；可移动部分与固定部分通过导向装置和防脱落装置连接，导向装置对可移动部分的移动方向和轨迹起导向作用，防脱落装置用于防止可移动部分沿导向装置移动后脱离固定部分。本发明实现了半导体制造设备中传输设备机械手夹取晶圆歪斜的自调整。
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公开(公告)号：CN114483972A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011254140.3
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体设备腔室压力调节阀总成、压力调节方法及设备室，属于半导体刻蚀工艺配套设备领域，解决了现有技术中由于阀门开启时压力的不同步的问题。本发明公开的半导体设备腔室压力调节阀总成，包括：摆阀阀体、振子板和蝶阀；所述摆阀阀体两端分别通过真空管连通设备腔室和真空泵；振子板垂直于摆阀阀体内部的气体通道方向，一端与摆阀阀体转动连接，通过振子板的转动调节摆阀阀体内部气体通道的开闭状态；振子板中央设有圆形通气孔，蝶阀设置在所述通气孔处，蝶阀为两分体式的对称结构，两分体部分能够绕对称轴反向转动调节通气孔的开闭。实现了半导体刻蚀工艺进行中压力的平稳有效的控制。
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公开(公告)号：CN114446751A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011212062.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置及方法，涉及半导体制造技术领域，用于解决无法检测蚀刻过程中，聚焦环是否发生相对于晶圆的物理性偏移的技术问题，所述装置包括：底盘，光子型探测器和处理器；所述底盘盛放静电卡盘和聚焦环；所述底盘设置有检测槽；所述光子型探测器设置在所述检测槽的底部；所述处理器连接所述光子型探测器。本发明提供的技术方案能够精确地检测聚焦环是否发生偏移。
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