公开(公告)号：CN102828244A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210359830.4

申请日：2012-09-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 丁古巧 ,  朱云 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C30B29/06 ,  C23C8/20 ,  C23C16/26 ,  C01B31/02

Abstract: 本发明涉及石墨烯薄膜制备领域，具体公开了一种基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜材料及其制备方法，包括如下步骤：1）镍铜复合衬底的制备；2）渗碳：将铜镍复合衬底加热至200～300℃后，通入碳源气体和载气，保温30～240min，对镍层进行渗碳；3）析碳：切断碳源气体的供应，将铜镍复合衬底温度升高到300～1000℃，通入载气，保温10-180min，获得基于镍铜复合衬底的石墨烯薄膜。本发明的有益效果为，不仅提出了新的制备工艺，使石墨烯的层数控制更加容易，还解决了目前复合衬底制备成本高的问题，获得了一种成本低、制备方法简单易控，产品质量好、面积大的石墨烯薄膜材料。

公开(公告)号：CN102583359A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210096785.8

申请日：2012-04-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 丁古巧 ,  王庶民 ,  龚谦 ,  朱云 ,  孙雷 ,  狄增峰 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/003

Abstract: 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点之上进行化学气相沉积，从而在催化剂表面以及催化剂与基底界面形成连续的石墨烯薄膜。相比于铜和镍等固体催化剂表面生长石墨烯，本发明所制备的石墨烯层数可控、对基底表面微观形貌要求低、适用于多种基底材料、并且催化剂的移除非常简单。所获得的位于液体表面的石墨烯具有独特的应用价值。

公开(公告)号：CN102344132A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110191536.2

申请日：2011-07-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨喜超 ,  谢晓明 ,  江绵恒 ,  丁古巧

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明涉及一种逐层减薄石墨烯的方法，其特征在于首先利用等离子灰化技术，用等离子轰击多层石墨烯，然后在高温炉中退火以去除顶层石墨烯，实现高精度的减薄石墨烯。通过多次等离子体轰击和高温退火可以实现逐层减薄多层石墨烯。该发明特征在于将等离子技术对石墨烯改性和石墨烯各向异性的氧化过程相结合，对多层石墨烯进行精确刻蚀，能够实现单原子层精度减薄多层石墨烯，并且保留了减薄后石墨烯的优良性能。其应用领域包括制备石墨烯纳米结构及石墨烯电子器件等。

公开(公告)号：CN102336588A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110247262.4

申请日：2011-08-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 丁古巧 ,  唐述杰 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C04B41/53 ,  C01B31/04 ,  B82Y40/00 ,  C30B33/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明提供了一种具有单原子层台阶的六角氮化硼（hBN）基底及其制备方法，将hBN基底表面解理得到新鲜的解理面，然后用氢气高温下刻蚀六角氮化硼，得到可控的、规则的单原子层台阶。本发明利用了氢气对hBN的各向异性刻蚀作用，通过调节氢气比例、退火温度、退火时间来控制hBN的刻蚀速率和刻蚀程度，达到刻蚀出规则单原子台阶的目的。该制备工艺和化学气相沉积法制备石墨烯的工艺相兼容，可以用于石墨烯纳米带的制备。主要应用于新型石墨烯电子器件。