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公开(公告)号：CN110459463B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201910749342.6
申请日：2019-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明适用于石墨烯材料技术领域，提供了一种石墨烯介质层异质结构的制作方法，包括：获取多块石墨烯介质层薄膜，并将多块石墨烯介质层薄膜置于去离子水中清洗；通过预设衬底在去离子水中旋转的方式将任一块石墨烯介质层薄膜缠绕在预设衬底上，得到石墨烯介质层异质结构样品；晾干石墨烯介质层异质结构样品；采用获得石墨烯介质层异质结构样品的方式继续在预设衬底上的晾干的石墨烯介质层异质结构样品外缠绕其余石墨烯介质层薄膜，直至得到预设层数的石墨烯介质层异质结构。本发明通过预设衬底在去离子水中旋转的方式获得预设层数的石墨烯介质层异质结构，极大的提高了石墨烯介质层异质结构的制作效率，简化了其制作流程。
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公开(公告)号：CN114047555A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111315822.5
申请日：2021-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石NV色心的磁力探测头及磁力探测系统。该基于金刚石NV色心的磁力探测头包括：具有两端开口的陶瓷套管、设置在陶瓷套管的腔体内的金刚石NV色心系综样品以及设置在陶瓷套管一端面上的微波天线；金刚石NV色心系综样品为毫米级的块状结构，其朝向微波天线的第一端面上设有用于接收激光入射的凹坑；微波天线设有中心通孔、且中心通孔与金刚石NV色心系综样品的凹坑同轴设置，微波天线用于连接微波源并向陶瓷套管的腔体发射微波；其中，金刚石NV色心系综样品在微波源和激光的激发下，在陶瓷套管的腔体内产生荧光。本发明提供的基于金刚石NV色心的磁力探测头灵敏度更高，且适用范围更广。
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公开(公告)号：CN109399620B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811477126.2
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其是在碳化硅衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气和氩气作为载气，通入气态碳源、氮气和气态乙醇，在1400‑1800℃、500‑1000mbar压力下生长1‑100min，制得所述高迁移率碳化硅基石墨烯材料。本发明方法制得的石墨烯材料表面褶皱密度低，载流子迁移率高，方块电阻不均匀性低。
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公开(公告)号：CN108206220B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711474465.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石肖特基二极管的制备方法，该方法包括：在第一厚度的重掺杂p型第一金刚石层的上表面形成第二厚度的轻掺杂p型第二金刚石层，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度；在所述第一金刚石层的下表面形成电极；通过光刻和刻蚀工艺，在所述第二金刚石层的第一区域形成凹槽；在所述凹槽的表面形成N型异质半导体层；在所述N型异质半导体层的表面形成第二金属层；在所述第二金属层的表面和所述第二金刚石层的第二区域的上表面形成第三金属层。本发明能够显著提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN111599681A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010387667.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，包括：在高浓度重掺杂P型金刚石衬底的正面生长低浓度轻掺杂p型金刚石外延层；在缓冲层的上表面生长高浓度重掺杂p型金刚石外延层；光刻源区图形，刻蚀出柱状源区和栅区；在柱状源区的顶部形成源电极，在高浓度重掺杂P型金刚石衬底的背面形成漏电极，经过退火形成源极欧姆接触和漏极欧姆接触；在柱状源区的顶部、侧壁及周围沉积栅介质；在栅介质上形成栅电极；淀积钝化保护层；光刻制作电极图形。本发明提供的垂直结构金刚石基金氧半场效晶体管，具有很好的击穿电压和极佳的导热性，可以有效减小散热成本及体积，扩大了金刚石材料在金氧半导体上的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111547711A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010343552.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基扭曲多层石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在碳化硅基底上进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源，在1500-1700℃和910-990mbar下生长10-45min，得碳化硅基扭曲多层石墨烯材料，其中，相邻两层石墨烯之间形成了30°的扭曲夹角。本发明提供的在SiC衬底上生长石墨烯材料的方法，有助于制备表面均匀平坦、晶体质量高、电学特性优良的碳化硅基扭曲多层石墨烯材料，且具有无需衬底转移、易与Si基半导体工艺相结合的优点。
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公开(公告)号：CN108987525B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810578809.0
申请日：2018-06-07
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种MSM光电探测器及其制作方法，该MSM光电探测器包括衬底以及设置在衬底上的二维半导体材料薄片和两个金属电极，所述二维半导体材料薄片的厚度均匀且具有不对称的几何结构，所述两个金属电极相对地设置在二维半导体材料薄片的两个边缘上，且两个金属电极与二维半导体材料薄片的接触长度不同。本发明的MSM光电探测器具有自驱动的功能、较低的探测极限以及较高可靠性，而且本探测器结构优良，制作工艺简单，生产成本低，可广泛应用于半导体行业中。
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公开(公告)号：CN110676169A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910837111.0
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/16
Abstract: 本发明适用于石墨烯晶体管制备技术领域，提供了一种石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，包括：在第一预设衬底上生长h-BN薄膜并利用第一光刻胶制备h-BN台面样品；将h-BN台面样品去除第一预设衬底后通过热释放胶带转移到石墨烯上，并去除热释放胶带以及第一光刻胶，获得石墨烯样品；其中石墨烯样品包括h-BN台面；对石墨烯样品进行第一次刻蚀，获得较h-BN台面大的石墨烯台面；在石墨烯台面以及h-BN台面上分别制备源极、漏极以及栅极，获得石墨烯胶囊封装晶体管。本发明的石墨烯胶囊封装晶体管的制备方法，可以使源极和漏极与石墨烯台面形成水平面内电极接触，从而降低接触电阻，降低石墨烯胶囊封装晶体管的制备难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN110429030A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910696974.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种纳米栅的制备方法，包括：根据第一介质层表面沉积的第一光刻胶上的光刻胶图形，对第一介质层表面光刻胶图形以外的区域进行第一次刻蚀，去除第一次刻蚀后的第一介质层表面沉积的第一光刻胶，获得衬底和第一次刻蚀后的第一介质层构成的台阶结构；在台阶结构的水平表面和垂直侧壁上沉积金属层，并在金属层的表面生长第二介质层；对金属层和第二介质层进行第二次刻蚀；在第二次刻蚀后的台阶结构上生长第三介质层，并对第三介质层表面进行抛光，使第三介质层上表面齐平并露出金属层对应的金属，获得纳米栅。本发明利用台阶垂直侧壁的金属层作为纳米栅，可以精确控制纳米栅的尺寸，降低纳米栅的制作难度。
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公开(公告)号：CN110408990A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910702309.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体材料制备技术领域，提供了一种单晶石墨烯的制备方法，包括：在预设衬底上沉积铜和镍；将沉积了铜和镍的衬底在第一预设气体氛围以及第一预设温度下退火处理第一预设时间，得到铜镍合金衬底样品；将铜镍合金衬底样品在第二预设气体氛围以及第二预设温度下氧化第二预设时间，得到氧化衬底样品；将氧化衬底样品放置在化学气相沉积CVD炉中，将CVD炉中温度快速升温到第三预设温度后，在CVD炉中通入第三预设气体，在氧化衬底样品上生长第三预设时间后，停止通入第三预设气体，并采用第四预设气体保护，快速降温至第四预设温度，获得单晶石墨烯。本发明通过选取预设衬底和将铜镍合金表面经过预氧化，实现了单晶石墨烯的超快平整生长。
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